當(dāng)前位置:首頁 > 公眾號(hào)精選 > 可靠性雜壇
[導(dǎo)讀]一、疲勞損傷過程的不同階段 疲勞損傷過程是交變載荷作用而引起的結(jié)構(gòu)材料性能衰減的過程,也是微裂紋的形成及擴(kuò)展的過程。實(shí)驗(yàn)觀察表明,無缺陷金屬和合金等工業(yè)材料,疲勞微裂紋總是在自由表面處形成,有三類形核位置,主要是駐留滑移帶(Persistent Slip B


一、疲勞損傷過程的不同階段

疲勞損傷過程是交變載荷作用而引起的結(jié)構(gòu)材料性能衰減的過程,也是微裂紋的形成及擴(kuò)展的過程。實(shí)驗(yàn)觀察表明,無缺陷金屬和合金等工業(yè)材料,疲勞微裂紋總是在自由表面處形成,有三類形核位置,主要是駐留滑移帶(Persistent Slip Band,PSB)、晶界和表面夾雜,然后一部分微裂紋繼續(xù)擴(kuò)大,形成宏觀裂紋,直至破壞。因此,金屬結(jié)構(gòu)的整個(gè)疲勞損傷過程一般可分為裂紋起始階段、裂紋擴(kuò)展階段和瞬時(shí)斷裂階段。圖1顯示了疲勞損傷過程的不同階段。


圖1 疲勞損傷過程的不同階段

在圖1中,裂紋起始階段包括循環(huán)滑移、微裂紋形核和微裂紋擴(kuò)展,裂紋擴(kuò)展階段主要指宏觀裂紋的擴(kuò)展情況。循環(huán)滑移需要循環(huán)剪應(yīng)力,在剪應(yīng)力作用下,當(dāng)晶體在沒有任何缺陷情況下滑移時(shí),晶體上下兩部分沿滑移面做整體滑移;當(dāng)晶體中存在位錯(cuò)時(shí),晶體的滑移不是整體滑移,而是位錯(cuò)在剪應(yīng)力作用下沿滑移面逐步移動(dòng)。當(dāng)大量位錯(cuò)重復(fù)此移動(dòng)方式,則在晶體表面會(huì)形成滑移痕跡,多個(gè)滑移痕跡又組成滑移帶。而微裂紋形核由滑移帶中的不可見微裂紋形成,通常在疲勞損傷早期就已發(fā)生。在微裂紋形核后,微裂紋沿滑移面擴(kuò)展,深入表面很淺,而且是有很多沿滑移帶的裂紋,這是微裂紋的擴(kuò)展階段。微裂紋擴(kuò)展是緩慢且不規(guī)律的過程,但在離開形核點(diǎn)的位置出現(xiàn)一些微裂紋擴(kuò)展之后,便觀察到更規(guī)則的擴(kuò)展。當(dāng)微裂紋擴(kuò)展不再依賴于材料表面狀態(tài)時(shí),認(rèn)為裂紋起始階段結(jié)束。

裂紋擴(kuò)展階段是從微裂紋過渡過來的宏觀裂紋的擴(kuò)展,當(dāng)微裂紋的擴(kuò)展不再依賴于材料表面狀態(tài)時(shí),可認(rèn)為是裂紋擴(kuò)展階段的開始。在該階段,裂紋擴(kuò)展速度增加,擴(kuò)展方向與拉伸應(yīng)力方向垂直,且是單一裂紋的擴(kuò)展。一般認(rèn)為裂紋長度在某個(gè)范圍內(nèi)的擴(kuò)展為裂紋擴(kuò)展階段。

瞬時(shí)斷裂階段是構(gòu)件失穩(wěn)擴(kuò)展而斷裂的階段。當(dāng)應(yīng)力循環(huán)累積到一定數(shù)量時(shí),裂紋已擴(kuò)展到足夠大,承載載荷的橫截面面積足夠小,即達(dá)到了臨界尺寸值,此時(shí)構(gòu)件會(huì)瞬時(shí)脆性斷裂,形成粗糙顆粒狀的斷裂區(qū)。

二、位錯(cuò)對(duì)結(jié)構(gòu)疲勞損傷的影響

實(shí)際晶體存在著多種類型的缺陷,如點(diǎn)缺陷、線缺陷、面缺陷和體缺陷。這些缺陷使局部的原子排列不再規(guī)則并改變了晶體的性質(zhì),特別是對(duì)塑性、強(qiáng)度和擴(kuò)散等有著決定作用。其中,位錯(cuò)屬于線缺陷,即晶體中晶格變形區(qū)域呈線狀的缺陷,是晶體中比較常見的一種結(jié)構(gòu)缺陷。位錯(cuò)與其他晶體缺陷關(guān)系密切,常被用來解釋其他晶體缺陷的形成。

1.位錯(cuò)類型及表述

晶體中的位錯(cuò)類型很多,但存在兩種基本類型,一種為刃型位錯(cuò),另一種為螺型位錯(cuò),同時(shí)并存以上兩種位錯(cuò)類型的,稱為混合型位錯(cuò)。

假設(shè)一個(gè)長方形晶體,其三條邊分別與x、y和z重合,若沿y軸負(fù)方向,平行于xoy面切入晶體,會(huì)造成如陰影面ABCD 的切口,如圖2a所示。此時(shí),若在y 軸負(fù)方向上,對(duì)ABCD上半部的晶體作用一個(gè)力,使ABCD面的上半部晶體相對(duì)于晶體的其余部分沿y軸負(fù)方向滑移一個(gè)原子間距(用滑移矢量b表示)。然后使切面上下部分結(jié)合起來,在BC處會(huì)形成一個(gè)位錯(cuò),這種位錯(cuò)稱為刃型位錯(cuò),如圖2b所示。若在x軸負(fù)方向?qū)BCD面的上半部晶體作用一個(gè)力,使上半部的晶體相對(duì)于晶體的其余部分沿x軸負(fù)方向滑移一個(gè)原子間距(也用滑移矢量b表示)。然后使切面上下部分膠合起來,此時(shí)在BC處也會(huì)形成一個(gè)位錯(cuò),這種位錯(cuò)稱為螺型位錯(cuò),如圖2c所示。


圖2 晶體位錯(cuò)類型示意圖

根據(jù)位錯(cuò)的定義可知,刃型位錯(cuò)有如下特點(diǎn):①滑移矢量b 與位錯(cuò)線BC 互相垂直;②刃型位錯(cuò)具有額外的半原子面,圖2b中的BCEF即為額外的半原子面;③刃型位錯(cuò)有正、負(fù)之別,若半原子面在滑移面之上,則為正刃型位錯(cuò);若半原子面在滑移面之下,則為負(fù)刃型位錯(cuò);④正刃型位錯(cuò)的上半部分晶體受壓應(yīng)力,下半部分晶體受張應(yīng)力,而負(fù)刃型位錯(cuò)相反。

螺型位錯(cuò)有如下特點(diǎn):①滑移矢量b與位錯(cuò)線BC互相平行;②螺型位錯(cuò)沒有額外的半原子面;③螺型位錯(cuò)有左、右螺旋之別。從刃型位錯(cuò)的發(fā)展判斷螺型位錯(cuò)是左是右的方法為:令手臂沿著刃型位錯(cuò)指向螺型位錯(cuò),把手背朝著額外的半原子面,從而向外伸開的拇指沿著螺型位錯(cuò)。如用右手才能辦到,即為右螺型位錯(cuò),如用左手才能辦到,則為左螺型位錯(cuò)。

實(shí)際晶體中的位錯(cuò)往往沒有圖2列舉的那兩種單純的位錯(cuò),而要復(fù)雜得多,即位錯(cuò)線與滑移矢量既不平行又不相互垂直,這一類位錯(cuò)稱為混合型位錯(cuò)。但任何混合型位錯(cuò)都可以看成是刃型位錯(cuò)和螺型位錯(cuò)的組合。

位錯(cuò)主要通過位錯(cuò)密度進(jìn)行表征,所以位錯(cuò)密度是表征晶體中位錯(cuò)多少的一個(gè)物理量,即表征單晶結(jié)構(gòu)完整性的一個(gè)量。位錯(cuò)屬于線缺陷,一般將位錯(cuò)密度ρ定義為單位體積晶體內(nèi)位錯(cuò)線的總長度,即



式中,ρ為位錯(cuò)密度,單位為cm-2;L為晶體內(nèi)位錯(cuò)線的總長度;V為晶體的總體積。

若用實(shí)驗(yàn)方法精確測(cè)定晶體內(nèi)位錯(cuò)線的總長度是困難的。因此實(shí)際工作中,經(jīng)常用腐蝕坑法估計(jì)位錯(cuò)密度。根據(jù)位錯(cuò)的一般特性,位錯(cuò)附近的晶體中存在很大的應(yīng)力,且位錯(cuò)線與晶體表面相交處(位錯(cuò)線露頭處)附近的原子位能要比完整晶體部分的原子位能大,所以位錯(cuò)線的露頭處在化學(xué)腐蝕液中容易被腐蝕掉,形成腐蝕坑。這樣,位錯(cuò)密度可定義為單位晶體表面上腐蝕坑的數(shù)量,即


式中,S為對(duì)腐蝕坑計(jì)數(shù)的晶體表面積;N為S表面積上腐蝕坑的總數(shù)目。

用腐蝕坑法測(cè)量位錯(cuò)密度是一個(gè)近似的方法。這是由于位錯(cuò)線在晶體內(nèi)成環(huán)狀形式存在時(shí),是不顯露在晶體表面的。同時(shí),晶體內(nèi)有些位錯(cuò)線雖然與表面相交,但不一定相交在觀測(cè)面上,分布也不均勻。而且位錯(cuò)線有時(shí)相距很近,當(dāng)腐蝕時(shí)間過長時(shí),很可能兩根或兩根以上的位錯(cuò)線只顯示一個(gè)腐蝕坑。因此,用腐蝕坑法測(cè)得的位錯(cuò)密度一般總是小于實(shí)際位錯(cuò)密度。在充分退火的金屬晶體中,ρ通常在10^6~10^8cm-2之間。而位錯(cuò)密度隨塑性變形而快速增加,30%~40%冷塑性變形后的金屬晶體中,ρ為10^11~10^12cm-2。

除腐蝕坑法外,位錯(cuò)密度的測(cè)量和計(jì)算方法還包括透射電子顯微鏡法( Transmission Electron Microscope,TEM)、X射線衍射法(X-Ray Diffraction,XRD)、正電子湮滅法等。

2.位錯(cuò)對(duì)金屬強(qiáng)度的影響

位錯(cuò)對(duì)金屬強(qiáng)度有著重要的影響。圖3所示為位錯(cuò)密度和金屬強(qiáng)度的關(guān)系。


圖3 金屬強(qiáng)度與位錯(cuò)密度之間的關(guān)系

從圖3中可以看出,在位錯(cuò)密度增加的初期,金屬的實(shí)際強(qiáng)度下降很快。但隨著位錯(cuò)密度繼續(xù)增大,金屬晶體的強(qiáng)度又會(huì)上升,這是因?yàn)槲诲e(cuò)密度繼續(xù)增加時(shí),位錯(cuò)之間會(huì)產(chǎn)生相互作用,包括:①應(yīng)力場引起的阻力,如位錯(cuò)塞積,當(dāng)大量位錯(cuò)從一個(gè)位錯(cuò)源中產(chǎn)生并在某個(gè)強(qiáng)障礙(晶界、析出物等)面前停止的時(shí)候就構(gòu)成了位錯(cuò)的塞積;②位錯(cuò)交截所產(chǎn)生的阻力;③形成割階引起的阻力(兩個(gè)不平行柏氏矢量的位錯(cuò)在交截過程中在一位錯(cuò)上產(chǎn)生短位錯(cuò));④割階運(yùn)動(dòng)引起的阻力。研究表明,金屬的塑性變形抗力的增加與位錯(cuò)密度之間有如下關(guān)系:


式中,α為強(qiáng)化系數(shù);G為切變模量;b為柏氏矢量;ρ為位錯(cuò)密度。

3.疲勞損傷過程中的位錯(cuò)和塑性變形

基本上,塑性變形是由滑移和攀移兩類位錯(cuò)運(yùn)動(dòng)組合而成,而疲勞損傷過程伴隨著塑性變形,所以疲勞損傷過程可由位錯(cuò)變化來描述??傮w來講,疲勞損傷過程第一階段表現(xiàn)為位錯(cuò)密度的快速增加達(dá)到飽和。第二階段位錯(cuò)密度幾乎穩(wěn)定不變,位錯(cuò)的產(chǎn)生和滅絕保持在平衡狀態(tài)。同時(shí),在塑性區(qū)域形成位錯(cuò)偶極子和位錯(cuò)單元結(jié)構(gòu),且位錯(cuò)的釘扎作用會(huì)引起位錯(cuò)群的形成,從而造成位錯(cuò)塞積、空位聚合,形成空洞、萌生微裂紋。第三階段,微裂紋擴(kuò)展形成宏觀裂紋,直至斷裂。以單滑移取向的面心立方體為例,在恒分解塑性切應(yīng)變幅作用下的對(duì)稱循環(huán)疲勞試驗(yàn)中,其飽和應(yīng)力-應(yīng)變曲線分為A、B、C三個(gè)區(qū),各個(gè)區(qū)對(duì)應(yīng)不同的位錯(cuò)結(jié)構(gòu),如圖4所示。



圖4 飽和應(yīng)力-應(yīng)變曲線不同區(qū)域分析

在A區(qū),塑性應(yīng)變幅較低,對(duì)應(yīng)疲勞初始階段位錯(cuò)聚積。在循環(huán)載荷的作用下,材料出現(xiàn)加工硬化,飽和應(yīng)力不斷變大。這時(shí)可在表面上觀察到一些細(xì)小的滑移痕跡。在這個(gè)階段,循環(huán)變形會(huì)產(chǎn)生一些高位錯(cuò)密度區(qū)(密度高達(dá)1015m-2),呈條狀,中間被低位錯(cuò)密度區(qū)分隔,形成位錯(cuò)脈絡(luò)。脈絡(luò)阻礙主滑移面上的位錯(cuò)運(yùn)動(dòng),對(duì)硬化有一定貢獻(xiàn)。

在B區(qū),飽和應(yīng)力不隨塑性應(yīng)變的增加而變化。外加塑性應(yīng)變的增大使得滑移沿某些帶局部發(fā)展,產(chǎn)生駐留滑移帶(PSB),駐留滑移帶的位錯(cuò)墻所占體積比位錯(cuò)脈絡(luò)的小,但是墻內(nèi)的位錯(cuò)密度比位錯(cuò)脈絡(luò)的高2倍,墻間通道的位錯(cuò)密度也比基體的高10倍。在這個(gè)階段,總體的位錯(cuò)密度會(huì)保持相對(duì)不變,位錯(cuò)的產(chǎn)生和消失保持平衡。

在C區(qū),隨著塑性變形的進(jìn)一步增加,迷宮狀和胞狀結(jié)構(gòu)的位錯(cuò)逐漸顯現(xiàn)出來,即形成位錯(cuò)胞。隨著變形的繼續(xù),位錯(cuò)胞的形狀和大小會(huì)跟著變化。對(duì)于不同加載情況、不同材料,材料的微觀結(jié)構(gòu)變化不盡相同,位錯(cuò)變化規(guī)律也不一定和圖4-4所示一致。但是,疲勞過程伴隨著位錯(cuò)數(shù)量和結(jié)構(gòu)的變化是肯定的。位錯(cuò)運(yùn)動(dòng)與塑性變形和材料損傷發(fā)展密切相關(guān)。

材料表面形貌變化是塑性變形的外在表現(xiàn),材料內(nèi)晶界開裂是塑性變形的結(jié)果,而塑性變形的直接原因是位錯(cuò)塞積及變化,這也是塑性變形過程中磁化效應(yīng)產(chǎn)生的根本原因。不同塑性變形階段、不同疲勞損傷情況的試件,其內(nèi)部位錯(cuò)結(jié)構(gòu)有各自的特征。

變形時(shí),如果晶體在滑移面兩側(cè)相對(duì)滑過,則在滑移面上所有的鍵都要斷開,相對(duì)位移一個(gè)柏氏矢量b而產(chǎn)生永久變形,這是位錯(cuò)引起塑性變形的原因。塑性變形會(huì)導(dǎo)致微裂紋的產(chǎn)生,而微裂紋形核和擴(kuò)展是材料壽命演變的重要階段,疲勞壽命的絕大部分都花費(fèi)在這個(gè)階段了,可高達(dá)90%的疲勞壽命。前面提到,駐留滑移帶是最普遍最基本的一種形核方式,而循環(huán)滑移意味著位錯(cuò)活動(dòng),所以除制造過程中產(chǎn)生的空洞、鍛壓崩裂、沉積粒子等缺陷,以及氧化、腐蝕這些環(huán)境效果外,位錯(cuò)塞積就是最基本的裂紋形核方式。隨著塑性變形的增加,材料內(nèi)位錯(cuò)塞積點(diǎn)的位錯(cuò)數(shù)目、位錯(cuò)塞積點(diǎn)的數(shù)量都會(huì)增加,這些位錯(cuò)塞積及發(fā)展就是微裂紋形核和微裂紋擴(kuò)展的微觀體現(xiàn)。隨著塑性變形的繼續(xù)發(fā)展,位錯(cuò)塞積就可能迸發(fā)成為裂紋。

三、結(jié)構(gòu)疲勞中的累積損傷理論

累積損傷理論就是研究循環(huán)載荷作用下,疲勞損傷的描述和計(jì)算、疲勞損傷的累積規(guī)律及累積損傷的影響因素等。累積損傷理論是結(jié)構(gòu)疲勞壽命估算的關(guān)鍵。目前,累積損傷理論模型可大致分為三類。

1.線性累積損傷理論

該理論認(rèn)為,結(jié)構(gòu)在各個(gè)應(yīng)力水平下的疲勞損傷都是獨(dú)立進(jìn)行的,總損傷可以把各個(gè)應(yīng)力水平下的損傷線性地累加起來,累加到某一程度就會(huì)產(chǎn)生疲勞破壞。其中最出名的是Miner理論。Miner理論認(rèn)為,結(jié)構(gòu)受應(yīng)力幅Sa1重復(fù)作用N1次破壞,則在疲勞損傷整個(gè)過程中結(jié)構(gòu)所受的損傷線性地分配給各個(gè)循環(huán),則每一循環(huán)的結(jié)構(gòu)損傷為D1=1/N1,若Sa1應(yīng)力作用nl次,則損傷為Dn1=nl/N1,同樣,在應(yīng)力Sa2,Sa3,……作用下,損傷分別為Dn2=n2/N2,Dn3=n3/N3,……當(dāng)結(jié)構(gòu)的整個(gè)損傷完畢時(shí),∑ni /Ni=1 ,此時(shí),發(fā)生破壞。

除Miner理論外,還有Grover和蘭格(Langer)理論,他們認(rèn)為應(yīng)該把疲勞的裂紋形成和裂紋擴(kuò)展兩個(gè)階段分開,分別用Miner理論計(jì)算損傷,即在裂紋形成階段



在裂紋擴(kuò)展階段



式中,n為疲勞裂紋形成階段的循環(huán)次數(shù);m為擴(kuò)展階段的循環(huán)次數(shù);a為形成階段占整個(gè)循環(huán)數(shù)中的比例。

2.修正線性累積損傷理論

修正線性累積損傷理論就是對(duì)Miner線性累積損傷理論進(jìn)行修正,他們認(rèn)為結(jié)構(gòu)的疲勞損傷不能進(jìn)行簡單線性的累加,應(yīng)該考慮應(yīng)力之間的相互影響,并且認(rèn)為在估算疲勞壽命時(shí),也要有每類結(jié)構(gòu)的疲勞曲線。

修正線性累積損傷理論的典型代表是科登(Corten)和多蘭(Dolan)理論,他們從疲勞損傷的物理概念出發(fā),建立疲勞損傷和形成裂紋數(shù)目(損傷核)之間的關(guān)系,并通過推導(dǎo)二級(jí)載荷下疲勞壽命的計(jì)算公式,得到了多級(jí)載荷下疲勞壽命的計(jì)算公式:



式中,N1為最高應(yīng)力S1下的疲勞壽命;αi為在應(yīng)力Si下的循環(huán)次數(shù)在總循環(huán)次數(shù)中所占的比例;d為二級(jí)載荷試驗(yàn)確定的一個(gè)材料常數(shù)。

除了Corten和Dolan理論外,還有弗羅登索爾(Freudenthal)和塞倫森(Serensen)等理論。Freudenthal理論認(rèn)為,在疲勞損傷過程中,由于高應(yīng)力的引進(jìn),在應(yīng)力Si下的損傷應(yīng)該是ωi(ni/Ni)。其中,



是一個(gè)大于1的因子,Si越小,ωi就越大,也就是說,在疲勞加載過程中,由于有高應(yīng)力的作用,會(huì)加速低應(yīng)力下的疲勞損傷,此時(shí)的疲勞壽命應(yīng)按下式計(jì)算:


式中,d為由實(shí)驗(yàn)湊出來的一個(gè)材料常數(shù),等于(δ-a);δ為疲勞曲線的斜率;a為高應(yīng)力下循環(huán)次數(shù)在整個(gè)循環(huán)次數(shù)中所占的比例。

Serensen理論認(rèn)為,疲勞損傷的累積并不是線性累加,而且達(dá)到破壞時(shí)的損傷總和并不等于1。疲勞損傷累積公式應(yīng)為


式中,C 為依賴于載荷水平的某一個(gè)比例關(guān)系;m 為指數(shù),ni為第i 級(jí)載荷的循環(huán)次數(shù);Ni為第i級(jí)載荷下的疲勞壽命。

3.其他累積損傷理論

除上面提到過的線性和修正線性累積損傷理論外,還有一些是從實(shí)驗(yàn)和分析中得出的理論,多半是屬于經(jīng)驗(yàn)和半經(jīng)驗(yàn)公式。其中最主要的包括:

1)富勒(Fuller)理論認(rèn)為,考慮應(yīng)力之間的相互影響時(shí),只有低應(yīng)力S2作用時(shí), 疲勞壽命為N2,當(dāng)有高應(yīng)力S1引進(jìn)后,壽命就降低了,這時(shí)疲勞壽命計(jì)算公式應(yīng)為



式中



Na為最低應(yīng)力下的常幅疲勞壽命;N1為最高應(yīng)力下的常幅疲勞壽命。

2)萊維(Levy)理論從大量疲勞實(shí)驗(yàn)中推出一個(gè)損傷壽命(N)計(jì)算公式:


式中,α為高應(yīng)力占的百分比;Nl是高應(yīng)力;N2是低應(yīng)力。

3)曼森(Manson)理論認(rèn)為,結(jié)構(gòu)受到一定的應(yīng)力作用后,一般說這個(gè)應(yīng)力歷史對(duì)高應(yīng)力疲勞壽命影響較小,對(duì)低應(yīng)力疲勞壽命影響較大,原始材料在應(yīng)力Sl下循環(huán)nl次后,任一應(yīng)力的剩余壽命n2為


式中,N1為應(yīng)力Sl下的疲勞壽命;N2為任一應(yīng)力下的疲勞壽命;Np為具有存活率p的疲勞壽命。




長按二維碼識(shí)別關(guān)注我們


免責(zé)聲明:本文內(nèi)容由21ic獲得授權(quán)后發(fā)布,版權(quán)歸原作者所有,本平臺(tái)僅提供信息存儲(chǔ)服務(wù)。文章僅代表作者個(gè)人觀點(diǎn),不代表本平臺(tái)立場,如有問題,請(qǐng)聯(lián)系我們,謝謝!

本站聲明: 本文章由作者或相關(guān)機(jī)構(gòu)授權(quán)發(fā)布,目的在于傳遞更多信息,并不代表本站贊同其觀點(diǎn),本站亦不保證或承諾內(nèi)容真實(shí)性等。需要轉(zhuǎn)載請(qǐng)聯(lián)系該專欄作者,如若文章內(nèi)容侵犯您的權(quán)益,請(qǐng)及時(shí)聯(lián)系本站刪除。
換一批
延伸閱讀

9月2日消息,不造車的華為或?qū)⒋呱龈蟮莫?dú)角獸公司,隨著阿維塔和賽力斯的入局,華為引望愈發(fā)顯得引人矚目。

關(guān)鍵字: 阿維塔 塞力斯 華為

倫敦2024年8月29日 /美通社/ -- 英國汽車技術(shù)公司SODA.Auto推出其旗艦產(chǎn)品SODA V,這是全球首款涵蓋汽車工程師從創(chuàng)意到認(rèn)證的所有需求的工具,可用于創(chuàng)建軟件定義汽車。 SODA V工具的開發(fā)耗時(shí)1.5...

關(guān)鍵字: 汽車 人工智能 智能驅(qū)動(dòng) BSP

北京2024年8月28日 /美通社/ -- 越來越多用戶希望企業(yè)業(yè)務(wù)能7×24不間斷運(yùn)行,同時(shí)企業(yè)卻面臨越來越多業(yè)務(wù)中斷的風(fēng)險(xiǎn),如企業(yè)系統(tǒng)復(fù)雜性的增加,頻繁的功能更新和發(fā)布等。如何確保業(yè)務(wù)連續(xù)性,提升韌性,成...

關(guān)鍵字: 亞馬遜 解密 控制平面 BSP

8月30日消息,據(jù)媒體報(bào)道,騰訊和網(wǎng)易近期正在縮減他們對(duì)日本游戲市場的投資。

關(guān)鍵字: 騰訊 編碼器 CPU

8月28日消息,今天上午,2024中國國際大數(shù)據(jù)產(chǎn)業(yè)博覽會(huì)開幕式在貴陽舉行,華為董事、質(zhì)量流程IT總裁陶景文發(fā)表了演講。

關(guān)鍵字: 華為 12nm EDA 半導(dǎo)體

8月28日消息,在2024中國國際大數(shù)據(jù)產(chǎn)業(yè)博覽會(huì)上,華為常務(wù)董事、華為云CEO張平安發(fā)表演講稱,數(shù)字世界的話語權(quán)最終是由生態(tài)的繁榮決定的。

關(guān)鍵字: 華為 12nm 手機(jī) 衛(wèi)星通信

要點(diǎn): 有效應(yīng)對(duì)環(huán)境變化,經(jīng)營業(yè)績穩(wěn)中有升 落實(shí)提質(zhì)增效舉措,毛利潤率延續(xù)升勢(shì) 戰(zhàn)略布局成效顯著,戰(zhàn)新業(yè)務(wù)引領(lǐng)增長 以科技創(chuàng)新為引領(lǐng),提升企業(yè)核心競爭力 堅(jiān)持高質(zhì)量發(fā)展策略,塑強(qiáng)核心競爭優(yōu)勢(shì)...

關(guān)鍵字: 通信 BSP 電信運(yùn)營商 數(shù)字經(jīng)濟(jì)

北京2024年8月27日 /美通社/ -- 8月21日,由中央廣播電視總臺(tái)與中國電影電視技術(shù)學(xué)會(huì)聯(lián)合牽頭組建的NVI技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟在BIRTV2024超高清全產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展研討會(huì)上宣布正式成立。 活動(dòng)現(xiàn)場 NVI技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)...

關(guān)鍵字: VI 傳輸協(xié)議 音頻 BSP

北京2024年8月27日 /美通社/ -- 在8月23日舉辦的2024年長三角生態(tài)綠色一體化發(fā)展示范區(qū)聯(lián)合招商會(huì)上,軟通動(dòng)力信息技術(shù)(集團(tuán))股份有限公司(以下簡稱"軟通動(dòng)力")與長三角投資(上海)有限...

關(guān)鍵字: BSP 信息技術(shù)
關(guān)閉
關(guān)閉