近日,據(jù)報(bào)道,三星宣布將于漢城南部的平澤市建造全新的5nm晶圓廠。很明顯在7nm時(shí)代,三星是落后于臺積電的,不過這家巨頭似乎想在5nm時(shí)代彎道超車,三星的野心不止于此,在規(guī)劃中的3nm時(shí)代,三星果斷拋棄了FinFET,押寶GAA環(huán)繞柵極晶體管技術(shù),試圖反超臺積電。
該工廠是三星在韓國國內(nèi)的第六條晶圓代工產(chǎn)線,將應(yīng)用先進(jìn)的極紫外光微影(ExtremeUltravioletlithography,EUV)制程技術(shù),拿7nmEUV工藝對比,三星5nmEUV工藝的性能提升10%,功耗降低了20%,邏輯面積效率提升25%。
隨著時(shí)間邁入2020年中,以臺積電和三星為代表的芯片半導(dǎo)體也從7nm逐步向5nm進(jìn)發(fā),三星表示這座5nm晶圓廠將于2021年下半年投產(chǎn),產(chǎn)品主要應(yīng)用于5G網(wǎng)絡(luò)和高效能運(yùn)算方面。