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EMC測(cè)試幾乎是所以電子產(chǎn)品都要經(jīng)歷的，之前給大家分享過(guò)一些關(guān)于EMC的文章，今天繼續(xù)分享一篇關(guān)于EMI超標(biāo)的內(nèi)容。
某行車記錄儀，測(cè)試的時(shí)候要加一個(gè)外接適配器，在機(jī)器上電運(yùn)行測(cè)試時(shí)發(fā)現(xiàn)超標(biāo)，具體頻點(diǎn)是84MHZ、144MH、168MHZ，需要分析其輻射超標(biāo)產(chǎn)生的原因，并給出相應(yīng)的對(duì)策。
輻射測(cè)試數(shù)據(jù)如下：
該產(chǎn)品只有一塊PCB，其上有一個(gè)12MHZ的晶體。
其中超標(biāo)頻點(diǎn)恰好都是12MHZ的倍頻，而分析該機(jī)器容易EMI輻射超標(biāo)的屏和攝像頭，發(fā)現(xiàn)LCD-CLK是33MHZ，而攝像頭MCLK是24MHZ；
通過(guò)排除發(fā)現(xiàn)去掉攝像頭后，超標(biāo)點(diǎn)依然存在，而通過(guò)屏蔽12MZH晶體，超標(biāo)點(diǎn)有降低，由此判斷144MHZ超標(biāo)點(diǎn)與晶體有關(guān)，PCB布局如下：
從PCB布局可以看出，12MHZ的晶體正好布置在了PCB邊緣，當(dāng)產(chǎn)品放置與輻射發(fā)射的測(cè)試環(huán)境中時(shí)，被測(cè)產(chǎn)品的高速器件與實(shí)驗(yàn)室中參考接地會(huì)形成一定的容性耦合，產(chǎn)生寄生電容，導(dǎo)致出現(xiàn)共模輻射，寄生電容越大，共模輻射越強(qiáng)；
而寄生電容實(shí)質(zhì)就是晶體與參考地之間的電場(chǎng)分布，當(dāng)兩者之間電壓恒定時(shí)，兩者之間電場(chǎng)分布越多，兩者之間電場(chǎng)強(qiáng)度就越大，寄生電容也會(huì)越大，晶體在PCB邊緣與在PCB中間時(shí)電場(chǎng)分布如下：
PCB邊緣的晶振與參考接地板之間的電場(chǎng)分布示意圖
PCB中間的晶振與參考接地板之間的電場(chǎng)分布示意圖
從圖中可以看出，當(dāng)晶振布置在PCB中間，或離PUB邊緣較遠(yuǎn)時(shí)，由于PCB中工作地（GND）平面的存在，使大部分的電場(chǎng)控制在晶振與工作地之間，即在PCB內(nèi)部，分布到參考接地板去的電場(chǎng)大大減小，導(dǎo)致輻射發(fā)射就降低了。
將晶振內(nèi)移，使其離PCB邊緣至少1cm以上的距離，并在PCB表層離晶振1cm的范圍內(nèi)敷銅，同時(shí)把表層的銅通過(guò)過(guò)孔與PCB地平面相連。
經(jīng)過(guò)修改后的測(cè)試結(jié)果頻譜圖如下，從圖可以看出，輻射發(fā)射有了明顯改善。
高速的印制線或器件與參考接地板之間的容性耦合，會(huì)產(chǎn)生EMI問(wèn)題，敏感印制線或器件布置在PCB邊緣會(huì)產(chǎn)生抗擾度問(wèn)題。
如果設(shè)計(jì)中由于其他一些原因一定要布置在PCB邊緣，那么可以在印制線邊上再布一根工作地線，并多增加過(guò)孔將此工作地線與工作地平面相連。
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