提高功率密度和效率的共漏極雙N溝道60 V MOSFET，你知道嗎？

時(shí)間：2020-06-27 10:39:59

關(guān)鍵字： MOSFET n溝道 Vishay

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[導(dǎo)讀]你知道提高功率密度和效率的共漏極雙N溝道60 V MOSFET嗎?它有什么特點(diǎn)?2019年12月11日—日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，推出采用小型熱增強(qiáng)型PowerPAK? 1212-8SCD封裝新款共漏極雙N溝道60 V MOSFET---SiSF20DN。Vishay Siliconix SiSF20DN是業(yè)內(nèi)最低RS-S(ON)的60 V共漏極器件，專門用于提高電池管理系統(tǒng)、直插式和無線充電器、DC/DC轉(zhuǎn)換器以及電源的功率密度和效率。

你知道提高功率密度和效率的共漏極雙N溝道60 V MOSFET嗎?它有什么特點(diǎn)?2019年12月11日—日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，推出采用小型熱增強(qiáng)型PowerPAK® 1212-8SCD封裝新款共漏極雙N溝道60 V MOSFET---SiSF20DN。Vishay Siliconix SiSF20DN是業(yè)內(nèi)最低RS-S(ON)的60 V共漏極器件，專門用于提高電池管理系統(tǒng)、直插式和無線充電器、DC/DC轉(zhuǎn)換器以及電源的功率密度和效率。

日前發(fā)布的雙片MOSFET在10V電壓下RS-S(ON) 典型值低至10 m，是3mm x 3mm封裝導(dǎo)通電阻最低的60 V器件，比這一封裝尺寸排名第二的產(chǎn)品低42.5%，比Vishay上一代器件低89%。

從而降低電源通道壓降，減小功耗，提高效率。為提高功率密度，SiSF20DN的RS1S2(ON) 面積乘積低于排名第二的替代MOSFET 46.6 %，甚至包括6 mm x 5 mm較大封裝解決方案。

為節(jié)省PCB空間，減少元件數(shù)量并簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)，該器件采用優(yōu)化封裝結(jié)構(gòu)，兩個(gè)單片集成TrenchFET® 第四代n溝道MOSFET采用共漏極配置。SiSF20DN源極觸點(diǎn)并排排列，加大連接提高PCB接觸面積，與傳統(tǒng)雙封裝型器件相比進(jìn)一步減小電阻率。這種設(shè)計(jì)使MOSFET適合用于24 V系統(tǒng)和工業(yè)應(yīng)用雙向開關(guān)，包括工廠自動(dòng)化、電動(dòng)工具、無人機(jī)、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、白色家電、機(jī)器人、安防/監(jiān)視和煙霧報(bào)警器。

SiSF20DN進(jìn)行了100 % Rg和UIS測(cè)試，符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，無鹵素。以上就是提高功率密度和效率的共漏極雙N溝道60 V MOSFET解析，希望能給大家參考。