新材料 a-BN被發(fā)現(xiàn)，次世代半導(dǎo)體有望加速現(xiàn)身

有四種常見類型的晶體：離子晶體，原子晶體，分子晶體和金屬晶體。氮化硼具有高硬度，耐高溫2000℃，在氮?dú)鈮毫ο氯埸c(diǎn)3000℃，不溶于冷水，微溶于熱酸，等等。從分子結(jié)構(gòu)的觀點(diǎn)來看，BN中的氮原子和硼原子通過共價(jià)鍵的作用結(jié)合在一起。因此，氮化硼是原子晶體。

三星先進(jìn)技術(shù)研究院(Samsung Advanced Institute of Technology，簡稱 SAIT)研發(fā)出新的半導(dǎo)體材料──「非晶質(zhì)氮化硼」(amorphous boron nitride，簡稱 a-BN)，有望讓次世代半導(dǎo)體加速現(xiàn)身。

三星官網(wǎng) 6 日稱，SAIT、南韓蔚山國家科學(xué)技術(shù)研究院(Ulsan National Institute of Science and Technology)、英國劍橋大學(xué)，合力發(fā)現(xiàn)了新材料 a-BN，此一結(jié)果刊載于知名科學(xué)期刊《Nature》。

SAIT 致力于發(fā)展 2D 材料，也就是只有一層原子的晶體材料。該機(jī)構(gòu)持續(xù)研究石墨烯，在石墨烯晶體管以及如何制作大型單晶的晶圓級(jí)石墨烯方面，達(dá)成了破天荒的研究成果。

SAIT 石墨烯計(jì)劃主管和主要研究員 Hyeon-Jin Shin 說：為了加強(qiáng)石墨烯和以硅為基礎(chǔ)半導(dǎo)體制程的兼容性，要在半導(dǎo)體基板上生成晶圓級(jí)石墨烯，必須在攝氏 400 度以下的低溫進(jìn)行。

新發(fā)現(xiàn)的材料名為 a-BN，從白色石墨烯淬煉而出，內(nèi)部的氮和硼原子成六角形排列，但是分子結(jié)構(gòu)與白色石墨烯相當(dāng)不同。a-BN 介電常數(shù)(dielectric constant)極低，只有 1.78，并有強(qiáng)大的電子和機(jī)械特質(zhì)，能作為隔絕材料，讓電子干擾最小化。a-BN 可望廣泛用于 DRAM、NAND 內(nèi)存，特別是大型服務(wù)器的次世代內(nèi)存解決方案。