雄關(guān)漫道真如鐵，長江存儲國家存儲器基地項(xiàng)目二期開工

時(shí)間：2020-07-09 11:22:01

關(guān)鍵字：二期長江存儲

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[導(dǎo)讀]6月22日消息根據(jù)長江存儲官方的消息，由長江存儲實(shí)施的國家存儲器基地項(xiàng)目二期（土建）于6月20日在武漢東湖高新區(qū)開工。據(jù)介紹，長江存儲國家存儲器基地項(xiàng)目由紫光集團(tuán)、國家集成電路基金、湖北省科投集團(tuán)和

6月22日消息根據(jù)長江存儲官方的消息，由長江存儲實(shí)施的國家存儲器基地項(xiàng)目二期（土建）于6月20日在武漢東湖高新區(qū)開工。

據(jù)介紹，長江存儲國家存儲器基地項(xiàng)目由紫光集團(tuán)、國家集成電路基金、湖北省科投集團(tuán)和湖北省集成電路基金共同投資建設(shè)，計(jì)劃分兩期建設(shè)3D NAND閃存芯片工廠。項(xiàng)目一期于2016年底開工建設(shè)，進(jìn)展順利，32層、64層存儲芯片產(chǎn)品已實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定量產(chǎn)，并成功研制出全球首款128層QLC三維閃存芯片。

在開工儀式上，紫光集團(tuán)、長江存儲董事長趙偉國介紹了項(xiàng)目有關(guān)情況。他表示，國家存儲器基地項(xiàng)目一期開工建設(shè)以來，從一片荒蕪之地變成了一座世界領(lǐng)先的存儲器芯片工廠，實(shí)現(xiàn)了技術(shù)水平從跟跑到并跑的跨越。

曾報(bào)道，4月份，長江存儲科技有限責(zé)任公司宣布其128層QLC 3D NAND 閃存（型號： X2-6070）研發(fā)成功，并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲產(chǎn)品上通過驗(yàn)證。作為業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格的3D NAND閃存，長江存儲X2-6070擁有業(yè)內(nèi)已知型號產(chǎn)品中最高單位面積存儲密度，最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND 閃存芯片容量，擁有1.6Gb/s高速讀寫性能和1.33Tb高容量。