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[導(dǎo)讀]說起內(nèi)存參數(shù),大家肯定多知道容量、頻率,甚至是電壓、顆粒來源等,但和頻率一樣決定了內(nèi)存性能高低的時(shí)序(也常說延遲),卻往往容易被忽視。 今天,影馳就內(nèi)存時(shí)序做了一個(gè)簡(jiǎn)單的科普,一起來了解下。 內(nèi)存頻率

說起內(nèi)存參數(shù),大家肯定多知道容量、頻率,甚至是電壓、顆粒來源等,但和頻率一樣決定了內(nèi)存性能高低的時(shí)序(也常說延遲),卻往往容易被忽視。

今天,影馳就內(nèi)存時(shí)序做了一個(gè)簡(jiǎn)單的科普,一起來了解下。

內(nèi)存頻率是一個(gè)數(shù)字,而內(nèi)存時(shí)序則是一大串?dāng)?shù)字,最常用的就有4個(gè),表述的時(shí)候中間用破折號(hào)隔開,例如16-18-18-38。

這些數(shù)字都表示延遲,也就是內(nèi)存的反應(yīng)時(shí)間。當(dāng)內(nèi)存接收到CPU發(fā)來的指令后,通常需要幾個(gè)時(shí)鐘周期來處理它,比如訪問某一塊數(shù)據(jù),這就對(duì)應(yīng)時(shí)序參數(shù)。

當(dāng)然了,這個(gè)處理時(shí)間越短,內(nèi)存性能越好。

內(nèi)存時(shí)序4個(gè)數(shù)字對(duì)應(yīng)的參數(shù)分別為CL、tRCD、tRP、tRAS,單位都是時(shí)間周期,也就是一個(gè)沒有單位的純數(shù)字。

CL(CAS Latency):列地址訪問的延遲時(shí)間,是時(shí)序中最重要的參數(shù)

tRCD(RAS to CAS Delay):內(nèi)存行地址傳輸?shù)搅械刂返难舆t時(shí)間

tRP(RAS Precharge Time):內(nèi)存行地址選通脈沖預(yù)充電時(shí)間

tRAS(RAS Active Time):行地址激活的時(shí)間

看完感覺更懵圈了?沒關(guān)系,給你舉個(gè)例子。

我們可以把內(nèi)存存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的地方想象成下面這樣,每個(gè)方格都存儲(chǔ)著不同的數(shù)據(jù)。CPU需要什么數(shù)據(jù),就向內(nèi)存發(fā)來相應(yīng)的指令,比如想要的位置是C4。

內(nèi)存收到CPU的指令之后,要先確定數(shù)據(jù)具體在哪一行,時(shí)序的第二個(gè)參數(shù)tRCD就代表這個(gè)時(shí)間,意思就是內(nèi)存控制器接收到行的指令后,需要等待多長(zhǎng)時(shí)間才能訪問這一行。

由于每一行都有多個(gè)數(shù)據(jù),內(nèi)存并不能哪一個(gè)才是CPU需要找的,所以tRCD只是一個(gè)估值,這也就是為什么小幅改動(dòng)這個(gè)數(shù)值,并不會(huì)顯著改變內(nèi)存的性能。

內(nèi)存確定了數(shù)據(jù)所在的行之后,要想找出數(shù)據(jù),還得確定列。時(shí)序的第一個(gè)數(shù)字也就是CL(CAS),就表示內(nèi)存確定了行數(shù)之后,還得等待多長(zhǎng)時(shí)間,才能訪問具體的列數(shù)(時(shí)間周期)。

行列必然產(chǎn)生交點(diǎn),也就是說確定了行數(shù)和列數(shù)之后,就能準(zhǔn)確找到目標(biāo)數(shù)據(jù),所以CL是一個(gè)準(zhǔn)確的值,任何改動(dòng)都會(huì)影響目標(biāo)數(shù)據(jù)的位置,所以它在時(shí)序當(dāng)中是最關(guān)鍵的一個(gè)參數(shù),對(duì)內(nèi)存性能的發(fā)揮著舉足輕重的作用。

內(nèi)存時(shí)序的第三個(gè)參數(shù)tRP,就是如果我們已經(jīng)確定了一行,還要再確定另外一行所需要等待的時(shí)間(時(shí)間周期)。

第四個(gè)參數(shù)tRAS,可以簡(jiǎn)單理解成內(nèi)存寫入或者讀取數(shù)據(jù)的一個(gè)時(shí)間,它一般接近于前三個(gè)參數(shù)的總和。

所以,在保障穩(wěn)定性的前提下,內(nèi)存時(shí)序越低越好,而高頻率和低時(shí)序是個(gè)矛盾體,一般頻率上去了,時(shí)序就得有所犧牲,要想足夠低的時(shí)序,頻率又很難拔高。

那么,時(shí)序?qū)?nèi)存性能的影響到底有多大呢?

我們做了一個(gè)測(cè)試,保持內(nèi)存頻率不變,可以看到,內(nèi)存的性能隨著時(shí)序的變小而不斷變強(qiáng)。

另外,時(shí)序改變后,內(nèi)存延遲的變化比內(nèi)存讀寫速度的變化更加明顯,這也說明時(shí)序?qū)?nèi)存的影響,更側(cè)重在延遲方面。

現(xiàn)在,你懂了嗎?


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