應(yīng)用材料公司推出用于先進存儲器和邏輯芯片的新型刻蝕系統(tǒng)Sym3?

· Sym3® Y專為3D NAND、DRAM和代工廠邏輯節(jié)點中的關(guān)鍵導(dǎo)體刻蝕應(yīng)用而打造

· 這一最新系統(tǒng)為公司歷史上最迅速大量占領(lǐng)市場的產(chǎn)品擴大了應(yīng)用范圍

· 里程碑達成：Sym3反應(yīng)腔出貨量達到5000臺

2020年8月7日，加利福尼亞州圣克拉拉——應(yīng)用材料公司今天宣布為其大獲成功的Centris® Sym3®刻蝕產(chǎn)品系列再添新成員?，F(xiàn)在，該系列產(chǎn)品能讓芯片制造商在尖端存儲器和邏輯芯片上以更加精細的尺寸成像和成型。

應(yīng)用材料公司的Centris® Sym3® Y刻蝕系統(tǒng)能讓芯片制造商在尖端存儲器和邏輯芯片上以更加精細的尺寸成像和成型

新型Centris Sym3® Y是應(yīng)用材料公司最先進的導(dǎo)體刻蝕系統(tǒng)。該系統(tǒng)采用創(chuàng)新射頻脈沖技術(shù)為客戶提供極高的材料選擇性、深度控制和剖面控制，使之能夠在3D NAND、DRAM和邏輯節(jié)點(包括FinFET和新興的環(huán)繞柵極架構(gòu))創(chuàng)建密集排列的高深寬比結(jié)構(gòu)。

Sym3系列成功的關(guān)鍵在于其獨特技術(shù)特征：高電導(dǎo)反應(yīng)腔架構(gòu)能夠提供特殊的刻蝕剖面控制，快速有效地排出每次晶圓工藝產(chǎn)生的刻蝕副產(chǎn)物。Sym3 Y系統(tǒng)采用保護關(guān)鍵腔體組件的專有新型涂層材料，擴大了該成功架構(gòu)的優(yōu)勢，從而進一步減少缺陷并提高良率。

Sym3刻蝕系統(tǒng)于2015年首次推出，如今已成為應(yīng)用材料公司歷史上最迅速大量占領(lǐng)市場的產(chǎn)品。時至今日，Sym3反應(yīng)腔出貨量達到了5000臺大關(guān)。

應(yīng)用材料公司的戰(zhàn)略是為客戶提供全新的材料成型和成像方法，以實現(xiàn)新型3D結(jié)構(gòu)并開辟繼續(xù)進行2D微縮的新途徑，而Sym3系列正是實現(xiàn)這一戰(zhàn)略的關(guān)鍵產(chǎn)品。應(yīng)用材料公司采用獨特的化學(xué)氣相沉積(CVD)鍍膜技術(shù)對Sym3系統(tǒng)進行協(xié)同優(yōu)化，讓客戶能夠增加3D NAND內(nèi)存器件中的層數(shù)，并減少DRAM制造中四重成型所需的步驟數(shù)。應(yīng)用材料公司會將上述技術(shù)與其電子束檢測和審查技術(shù)一同部署，以加快研發(fā)并大規(guī)模實現(xiàn)行業(yè)最先進節(jié)點的產(chǎn)量爬坡，從而幫助客戶改善芯片功耗、增強芯片性能、降低單位面積成本并加快上市時間(PPACt)。

應(yīng)用材料公司半導(dǎo)體產(chǎn)品事業(yè)部副總裁兼總經(jīng)理Mukund Srinivasan博士表示：“應(yīng)用材料公司在2015年推出Sym3系統(tǒng)時采用了全新方法進行導(dǎo)體刻蝕，并解決了3D NAND和DRAM中一些最棘手的刻蝕難題。今天，在最先進的存儲器和代工廠邏輯節(jié)點中，關(guān)鍵刻蝕和極紫外(EUV)圖形化應(yīng)用呈現(xiàn)出強勁的發(fā)展勢頭和增長。未來，我們將繼續(xù)升級并助力業(yè)界向下一代芯片設(shè)計演進?！?

每個Sym3 Y系統(tǒng)均包括多個刻蝕和等離子清潔晶圓工藝反應(yīng)腔，并由智能系統(tǒng)控制可確保每個反應(yīng)腔都擁有一致的性能，從而實現(xiàn)穩(wěn)定的工藝和高生產(chǎn)力。全球多家領(lǐng)先的NAND、DRAM和代工廠邏輯節(jié)點客戶都在使用這一新系統(tǒng)。