在高端醫(yī)療設(shè)備中，F(xiàn)RAM有著100%的應(yīng)用！

傳統(tǒng)的閃存和EEPROM等存儲(chǔ)器是利用電荷注入來(lái)實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的，而FRAM是利用外部電場(chǎng)產(chǎn)生極化來(lái)實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的，因此它與傳統(tǒng)存儲(chǔ)器相比，不易α射線，x射線，γ射線，重離子等射線的影響。在醫(yī)院工作的人經(jīng)常會(huì)看到，配置有電子標(biāo)簽的注射器具。手術(shù)器具要用伽瑪射線進(jìn)行消毒，能夠抵抗照射劑量高達(dá)50kGy伽瑪射線消毒的只有內(nèi)置FRAM（非易失性隨機(jī)存儲(chǔ)器）的電子標(biāo)簽。我們可以肯定高可靠性的FRAM是適用于高端醫(yī)療領(lǐng)域的為數(shù)不多的電子產(chǎn)品。

“其實(shí)，與傳統(tǒng)存儲(chǔ)器相比，F(xiàn)RAM不只是具有抗輻射的特性，高速/高讀寫(xiě)耐久性（一萬(wàn)億次以上）和低功耗的特性也是他能夠成為醫(yī)療應(yīng)用中最佳存儲(chǔ)器選擇的重要原因。” 富士通半導(dǎo)體株式會(huì)社系統(tǒng)存儲(chǔ)器事業(yè)部副總裁松宮正人在一次專程從日本飛來(lái)深圳的一場(chǎng)活動(dòng)中如此表示。

FRAM（鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）結(jié)合了閃存和E2PROM的非易失性，和SRAM的高速、隨機(jī)存儲(chǔ)的特長(zhǎng)，為獨(dú)立存儲(chǔ)器芯片和嵌入式存儲(chǔ)器帶來(lái)一系列獨(dú)一無(wú)二的優(yōu)點(diǎn)。富士通開(kāi)創(chuàng)了FRAM技術(shù)，并在此領(lǐng)域耕耘超過(guò)10年，從1999年開(kāi)始量產(chǎn)， 到2013年累計(jì)銷售23億片F(xiàn)RAM產(chǎn)品，這其中在中國(guó)市場(chǎng)累計(jì)交貨達(dá)5300萬(wàn)片。

雖然近五年之內(nèi)，一些新型的非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)如FRAM、PRAM、ReRAM、MRAM不斷涌現(xiàn)，但達(dá)到出色市場(chǎng)量產(chǎn)業(yè)績(jī)的只有FRAM。排除一些低端應(yīng)用市場(chǎng)，F(xiàn)RAM在對(duì)需要非易失性、高可靠性、高安全性、高速寫(xiě)入、低功耗、高讀寫(xiě)耐久性和抗輻射性這些綜合性能的應(yīng)用領(lǐng)域表現(xiàn)出眾、口碑良好。在醫(yī)療領(lǐng)域，F(xiàn)RAM在尤其是在一些高端的重要場(chǎng)合，如呼吸機(jī)等設(shè)備中的應(yīng)用，更是引人注目。

松宮正人還分享介紹了FRAM在醫(yī)療領(lǐng)域的應(yīng)用現(xiàn)狀：“雖然FRAM在醫(yī)療領(lǐng)域目前已經(jīng)商用了，但是從廣泛性的角度來(lái)看它還處于起步階段。相比日本和歐洲市場(chǎng)，F(xiàn)RAM在中國(guó)市場(chǎng)的認(rèn)知度還有待提高，而未來(lái)富士通半導(dǎo)體也會(huì)加大在醫(yī)療應(yīng)用方面的投入，幫助更多中國(guó)醫(yī)療設(shè)備廠商解決其在數(shù)據(jù)存儲(chǔ)方面所遇到的挑戰(zhàn)。”

下圖強(qiáng)調(diào)了FRAM所具備的三個(gè)適用于醫(yī)療應(yīng)用的關(guān)鍵優(yōu)勢(shì)，其中無(wú)需電池的特性使其特別適合便攜式醫(yī)療器械的使用，同時(shí)能夠減少設(shè)備維護(hù)保養(yǎng)的費(fèi)用；而高速/高讀寫(xiě)耐久性使得患者信息可以實(shí)時(shí)，頻繁的存儲(chǔ)記錄；抗輻射的特性更是滿足了醫(yī)療器械高可靠性的要求。

與傳統(tǒng)的非易失性存儲(chǔ)器如EEPROM相比，富士通FRAM的優(yōu)勢(shì)主要體現(xiàn)在高速燒寫(xiě)（是EEPROM的40，000 倍）、高耐久性（是EEPROM的1，000，000倍 ）和低功耗（是EEPROM的1/1，000 ）等方面。這些優(yōu)勢(shì)使得FRAM越來(lái)越多地被需要高可靠性的應(yīng)用領(lǐng)域所采用，比如計(jì)量?jī)x表（三相電表以及水表、氣表等）、電力自動(dòng)化、醫(yī)療器械及醫(yī)療電子標(biāo)簽、汽車(chē)后裝設(shè)備、POS機(jī)/金融ATM機(jī)等等。

FRAM除了能夠在一些應(yīng)用中替代EEPROM外，更重要的是在一些關(guān)鍵醫(yī)療應(yīng)用中能夠?qū)崿F(xiàn)EEPROM所不能實(shí)現(xiàn)的功能。例如，在涉及CT掃描X射線、用于消毒的紫外線和伽馬射線的醫(yī)學(xué)和生物處理領(lǐng)域中，如前所述，F(xiàn)RAM對(duì)輻射有很強(qiáng)的耐受性?；贔RAM的RFID可輕松通過(guò)標(biāo)準(zhǔn)醫(yī)療滅菌過(guò)程，而基于EEPROM的RFID在這一過(guò)程數(shù)據(jù)信息會(huì)被破壞。

對(duì)于FRAM的成本問(wèn)題，松宮正人也闡述了他的觀點(diǎn)：“這是和存儲(chǔ)容量相關(guān)的，容量不同，價(jià)格不同，現(xiàn)在FRAM和EEPROM一般的價(jià)格差距在2～5倍，而在大容量方面，例如1M～2M的FRAM和EEPROM的價(jià)格差距就只有1～2倍，所以，在大容量應(yīng)用中，EEPROM的價(jià)格并不占優(yōu)勢(shì)，未來(lái)會(huì)被FRAM所替代。”

另一方面，由于控制著FRAM的整體開(kāi)發(fā)和量產(chǎn)及組裝程序，加上多年的經(jīng)驗(yàn)，富士通半導(dǎo)體因而能始終保證FRAM產(chǎn)品的高質(zhì)量和穩(wěn)定供應(yīng)。富士通半導(dǎo)體還在低功耗制造工藝上不斷創(chuàng)新，進(jìn)一步降低成本價(jià)格，實(shí)現(xiàn)大容量化。而EEPROM的制造工藝卻長(zhǎng)時(shí)間沒(méi)有變化，隨著時(shí)間的推移，EEPROM在成本上的優(yōu)勢(shì)將會(huì)逐漸減弱。

“排除非常便宜的一些低端應(yīng)用市場(chǎng)，在要求高可靠性，高速/高耐久性數(shù)據(jù)讀寫(xiě)、低功耗、抗輻射等高端醫(yī)療設(shè)備中，F(xiàn)RAM有著100%的應(yīng)用。”松宮正人指出。