Redmi G游戲本磁盤性能、內(nèi)存寬帶測評

在這篇文章中，小編將對Redmi G游戲本的磁盤性能和內(nèi)存寬帶進(jìn)行測評，一起來了解下吧。

1、磁盤性能測試

Redmi G游戲本采用的是一塊512GB的NVMe SSD，總算是擺脫了萬年SATA SSD，下面來看看實(shí)際表現(xiàn)如何。

在AS SSD Benchmark中，這塊512GB NVMe SSD總分為3778，順序讀寫超過1900MB/s、1100MB/s，4K隨機(jī)讀取40MB/s，隨機(jī)寫入119MB/s。

在CrystalDiskMark測試中，順序讀寫速度分別達(dá)到了2425MB/s和1819MB/s。

2、內(nèi)存帶寬測試

Redmi G游戲本采用的是2條海力士DDR4 3200MHz 8GB內(nèi)存，總?cè)萘渴?6GB，內(nèi)存的電壓為1.2V，時序22-22-22-52。

Redmi G游戲本內(nèi)幕才能的實(shí)際運(yùn)行頻率為2933MHz，時序?yàn)?1-21-21-47 CR2。

使用AIDA64進(jìn)行內(nèi)存緩存測試，測得的讀取、寫入、復(fù)制帶寬分別為36084MB/s、39655MB/s、33407MB/s，延遲為69.2ns。

以上便是小編此次帶來的Redmi G游戲本磁盤性能和內(nèi)存寬帶相關(guān)測評，此外，如果你想進(jìn)一步了解有關(guān)它的其它方面的實(shí)際性能，不妨繼續(xù)關(guān)注小編后期帶來的更多相關(guān)測評哦。