新算力爆炸時(shí)代，國(guó)產(chǎn)化半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的征程該如何走？

在5G大規(guī)模商用普及的背景下，日益爆炸的數(shù)據(jù)傳輸和計(jì)算要求、存儲(chǔ)能力的躍進(jìn)、安全保障訴求的提升，都逐漸成為走在數(shù)字世界前沿的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)普遍突破的方向。在新算力時(shí)代，如何在國(guó)產(chǎn)化浪潮中夯實(shí)自身的技術(shù)能力?在各自細(xì)分領(lǐng)域的突破方向又在哪里?成為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)化國(guó)產(chǎn)征程該考慮的重點(diǎn)。

一、NB-IoT：集成式SOC是大勢(shì)所趨

在NB-IoT(物聯(lián)網(wǎng)通信技術(shù)的一種)正式被3GPP組織納入5G標(biāo)準(zhǔn)之后，市場(chǎng)對(duì)該領(lǐng)域的關(guān)注度愈發(fā)高漲起來(lái)。實(shí)際上在這些年的綿延探索過(guò)程中，國(guó)內(nèi)已經(jīng)出現(xiàn)不少NB-IoT領(lǐng)域的廠商，經(jīng)歷過(guò)初期的跑馬圈地之后，接下來(lái)的路徑該怎么走將是一個(gè)關(guān)鍵性問(wèn)題。

當(dāng)今物聯(lián)網(wǎng)世界有兩大趨勢(shì)：第一是傳統(tǒng)行業(yè)現(xiàn)代化、智能化;第二是物理世界數(shù)字化、機(jī)器海量連接。未來(lái)，集成式芯片會(huì)是歷史大勢(shì)，不可阻擋。具備集成多項(xiàng)技術(shù)能力的SOC可以更好獲得市場(chǎng)。

而IP成敗在一定程度上決定了芯片設(shè)計(jì)的成敗，用IP搭建芯片，集成，集成，再集成將是行業(yè)發(fā)展大勢(shì)。在封測(cè)端，高集成、高帶寬、低功耗、應(yīng)用場(chǎng)景定制化也驅(qū)使芯片封裝設(shè)計(jì)走向一體化。

作為中國(guó)芯片IP和芯片定制的一站式領(lǐng)軍企業(yè)，芯動(dòng)科技Innosilicon的發(fā)展一直受到半導(dǎo)體行業(yè)同仁的關(guān)注。有機(jī)構(gòu)直言：芯動(dòng)是中國(guó)少數(shù)在細(xì)分領(lǐng)域能夠引領(lǐng)全球產(chǎn)品創(chuàng)新的一站式IP和芯片定制領(lǐng)軍企業(yè)。

二、內(nèi)存接口芯片：站穩(wěn)并拓寬應(yīng)用方向

在對(duì)國(guó)內(nèi)SoC設(shè)計(jì)項(xiàng)目的調(diào)查中發(fā)現(xiàn)，一些高速接口IP核還依賴于國(guó)外企業(yè)，而且這些IP核的供應(yīng)商較少，國(guó)內(nèi)企業(yè)的選擇面較窄，IP核的價(jià)格也十分昂貴。

據(jù)了解，芯動(dòng)科技全國(guó)產(chǎn)自主可控的高速混合電路IP核在滿足國(guó)際通用標(biāo)準(zhǔn)的同時(shí)，還可根據(jù)客戶應(yīng)用場(chǎng)景進(jìn)行面積、功耗等PPA優(yōu)化，一步到位交鑰匙快速集成，全程為客戶產(chǎn)品成功保駕護(hù)航，實(shí)現(xiàn)芯片差異化競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。這對(duì)于國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體生態(tài)圈來(lái)說(shuō)真的是一個(gè)好消息，從設(shè)計(jì)到量產(chǎn)，都能使用全國(guó)產(chǎn)自主可控的IP了。

據(jù)東方證券估算，DDR5 需要使用更多內(nèi)存接口芯片。相比DDR3只采用1顆寄存緩存芯片、DDR4最多采用“1+9” 個(gè)內(nèi)存芯片，DDR5對(duì)內(nèi)存接口的需求進(jìn)一步提升，最多達(dá)到“1+10”個(gè)(1RCD+10DB)，此外，內(nèi)存性能顯著提升要求內(nèi)存接口芯片也顯著提升。內(nèi)存接口芯片有望迎來(lái)量?jī)r(jià)齊升。

從官方消息了解，芯動(dòng)科技突破“內(nèi)存墻”瓶頸推出的DDR系列內(nèi)存產(chǎn)品，始終處于行業(yè)前沿，除了早已成功運(yùn)用于過(guò)去主流計(jì)算市場(chǎng)的DDR3/4/LPDDR3/4，以其靈活的combo phy出名，還推出更大容量、更高帶寬、更低功耗、更高穩(wěn)定性產(chǎn)品涵蓋高性能產(chǎn)品GDDR6(16GT/s，1.35V)、主流產(chǎn)品DDR5(6.4GT/s，1.1V)、低功耗產(chǎn)品LPDDR5(6.4GT/s，0.5.V)等。

三、服務(wù)器：國(guó)產(chǎn)化新材料助推新技術(shù)

隨著云計(jì)算時(shí)代的到來(lái)，服務(wù)器需求正呈現(xiàn)井噴態(tài)勢(shì)。本質(zhì)來(lái)說(shuō)，這也是基于新算力時(shí)代需求而來(lái)的產(chǎn)物。

中科曙光工程師指出，早期使用風(fēng)冷方式散熱，是因?yàn)樵缙诔?jí)計(jì)算機(jī)采用的芯片功率較低，沒有超級(jí)大規(guī)模的運(yùn)算需求和能力，但隨著運(yùn)算需求提升，逐漸變成類似風(fēng)扇的方式，把服務(wù)器內(nèi)的熱氣“吹”出來(lái)。

但其弊端在于，可以容納的服務(wù)器內(nèi)置刀片(類似內(nèi)存盤)密度不夠大，為了適應(yīng)當(dāng)前的算力需求、增加刀片密度，因此具備更高功率密度、更高電源轉(zhuǎn)換效率的計(jì)算機(jī)產(chǎn)品便應(yīng)運(yùn)而生。