Polymicro成功開發(fā)包含 low -OH 合成熔融石英內(nèi)芯的光纖產(chǎn)品

　　專有的silica-based 200 µm硬聚合物覆層光纖具有遠遠高于行業(yè)標準 150 kpsi的抗張強度 ，并且在650 nm下典型衰減≤10 dB/km，在850 nm下 ≤6 dB/km

　　（新加坡 – 2013年10月15日） 全球領(lǐng)先的全套互連產(chǎn)品供應(yīng)商Molex公司子公司Polymicro Technologies成功地開發(fā)了一款包含low -OH 合成熔融石英（syntheTIc fused silica）內(nèi)芯的光纖產(chǎn)品，PolyClad™硬聚合物覆層和ETFE 緩沖器/護套jacket。其特性是具有高抗張強度和最小彎曲半徑，實現(xiàn)了高可靠性。Polymicro 200/230 PolyClad光纖適合工廠自動化和過程控制應(yīng)用中的短至中等距離數(shù)據(jù)通信，能夠耐受嚴苛溫度、化學(xué)品和輻射環(huán)境。

　　Molex業(yè)務(wù)發(fā)展經(jīng)理Imke Kuester稱：“我們?nèi)碌膶捁庾V200 µm硬聚合物覆層光纖經(jīng)過優(yōu)化，在650和850 nm下的典型衰減分別低于10和6 dB/km，具有遠遠超過行業(yè)標準150 kpsi的抗張強度，以及最小彎曲半徑，實現(xiàn)了高可靠性。Polymicro的200/230 PolyClad光纖具有出色的性能，并且結(jié)合了耐受可能導(dǎo)致退化和縮短產(chǎn)品壽命的嚴苛溫度、化學(xué)品和輻射的特性。”

　　200/230 PolyClad光纖兼容壓接和切割，并且符合 Euro RoHS標準，具有大型200 µm內(nèi)芯和大數(shù)值孔徑，實現(xiàn)簡便的端接和高光源耦合效率。由于具有高覆層/內(nèi)徑比例，連接器偏移最大限度減小至≤5 µm。由于抗張強度≥150 kpsi、最小彎曲半徑≥10 mm （短期）和≥16 mm （長期），并且在850nm下典型衰減≤6 dB/km，在650nm下≤10 dB/km，即使在嚴苛的環(huán)境條件下，Polymicro光纖也是非?？煽康?。

　　200/230 PolyClad光纖設(shè)計用于一系列高性能短至中等距離數(shù)據(jù)通信，用于廣泛的工廠自動化和過程控制應(yīng)用，包括化工廠、精煉廠、航空電子、汽車、生產(chǎn)和制造廠、移動平臺，風(fēng)力渦輪、發(fā)電廠和PLC中的應(yīng)用。要了解有關(guān)200/230 PolyClad光纖更多的信息，請訪問公司網(wǎng)頁www.molex.com/polymicro/opTIcalfibers.html。

　　關(guān)于Molex Incorporated

　　除連接器外，Molex 還為眾多市場提供完整的互連解決方案，范圍涵蓋數(shù)據(jù)通信、電信、消費類電子產(chǎn)品、工業(yè)、汽車、商用車輛、航天與國防、醫(yī)療和照明。公司成立于1938年，在全球15個國家擁有41家生產(chǎn)工廠。