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[導(dǎo)讀]   外延片的生產(chǎn)制作過(guò)程是非常復(fù)雜,展完外延片,接下來(lái)就在每張外延片隨意抽取九點(diǎn)做測(cè)試,符合要求的就是良品,其它為不良品(電壓偏差很大,波長(zhǎng)偏短或偏長(zhǎng)等)。良品的外延片就要開(kāi)始做電極(P極,N極

  外延片的生產(chǎn)制作過(guò)程是非常復(fù)雜,展完外延片,接下來(lái)就在每張外延片隨意抽取九點(diǎn)做測(cè)試,符合要求的就是良品,其它為不良品(電壓偏差很大,波長(zhǎng)偏短或偏長(zhǎng)等)。良品的外延片就要開(kāi)始做電極(P極,N極),接下來(lái)就用激光切割外延片,然后百分百分撿,根據(jù)不同的電壓,波長(zhǎng),亮度進(jìn)行全自動(dòng)化分檢,也就是形成LED晶片(方片)。然后還要進(jìn)行目測(cè),把有一點(diǎn)缺陷或者電極有磨損的,分撿出來(lái),這些就是后面的散晶。此時(shí)在藍(lán)膜上有不符合正常出貨要求的晶片,也就自然成了邊片或毛片等。不良品的外延片(主要是有一些參數(shù)不符合要求),就不用來(lái)做方片,就直接做電極(P極,N極),也不做分檢了,也就是目前市場(chǎng)上的LED大圓片(這里面也有好東西,如方片等)。

  半導(dǎo)體制造商主要用拋光Si片(PW)和外延Si片作為IC的原材料。20世紀(jì)80年代早期開(kāi)始使用外延片,它具有標(biāo)準(zhǔn)PW所不具有的某些電學(xué)特性并消除了許多在晶體生長(zhǎng)和其后的晶片加工中所引入的表面/近表面缺陷。

  歷史上,外延片是由Si片制造商生產(chǎn)并自用,在IC中用量不大,它需要在單晶Si片表面上沉積一薄的單晶Si層。一般外延層的厚度為2~20μm,而襯底Si厚度為610μm(150mm直徑片和725μm(200mm片)。

  外延沉積既可(同時(shí))一次加工多片,也可加工單片。單片反應(yīng)器可生產(chǎn)出質(zhì)量最好的外延層(厚度、電阻率均勻性好、缺陷少);這種外延片用于150mm“前沿”產(chǎn)品和所有重要200mm產(chǎn)品的生產(chǎn)。

  外延產(chǎn)品

  外延產(chǎn)品應(yīng)用于4個(gè)方面,CMOS互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體支持了要求小器件尺寸的前沿工藝。CMOS產(chǎn)品是外延片的最大應(yīng)用領(lǐng)域,并被IC制造商用于不可恢復(fù)器件工藝,包括微處理器和邏輯芯片以及存儲(chǔ)器應(yīng)用方面的閃速存儲(chǔ)器和DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)。分立半導(dǎo)體用于制造要求具有精密Si特性的元件。“奇異”(exoTIc)半導(dǎo)體類(lèi)包含一些特種產(chǎn)品,它們要用非Si材料,其中許多要用化合物半導(dǎo)體材料并入外延層中。掩埋層半導(dǎo)體利用雙極晶體管元件內(nèi)重?fù)诫s區(qū)進(jìn)行物理隔離,這也是在外延加工中沉積的。

  目前,200mm晶片中,外延片占1/3.2000年,包括掩埋層在內(nèi),用于邏輯器件的CMOS占所有外延片的69%,DRAM占11%,分立器件占20%.到2005年,CMOS邏輯將占55%,DRAM占30%,分立器件占15%.

  LED外延片--襯底材料

  襯底材料是半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)技術(shù)發(fā)展的基石。不同的襯底材料,需要不同的外延生長(zhǎng)技術(shù)、芯片加工技術(shù)和器件封裝技術(shù),襯底材料決定了半導(dǎo)體照明技術(shù)的發(fā)展路線(xiàn)。襯底材料的選擇主要取決于以下九個(gè)方面:

  1、結(jié)構(gòu)特性好,外延材料與襯底的晶體結(jié)構(gòu)相同或相近、晶格常數(shù)失配度小、結(jié)晶性能好、缺陷密度小

  2、界面特性好,有利于外延材料成核且黏附性強(qiáng)

  3、化學(xué)穩(wěn)定性好,在外延生長(zhǎng)的溫度和氣氛中不容易分解和腐蝕

  4、熱學(xué)性能好,包括導(dǎo)熱性好和熱失配度小

  5、導(dǎo)電性好,能制成上下結(jié)構(gòu)

  6、光學(xué)性能好,制作的器件所發(fā)出的光被襯底吸收小

  7、機(jī)械性能好,器件容易加工,包括減薄、拋光和切割等

  8、價(jià)格低廉

  9、大尺寸,一般要求直徑不小于2英寸。

  襯底的選擇要同時(shí)滿(mǎn)足以上九個(gè)方面是非常困難的。所以,目前只能通過(guò)外延生長(zhǎng)技術(shù)的變更和器件加工工藝的調(diào)整來(lái)適應(yīng)不同襯底上的半導(dǎo)體發(fā)光器件的研發(fā)和生產(chǎn)。用于氮化鎵研究的襯底材料比較多,但是能用于生產(chǎn)的襯底目前只有三種,即藍(lán)寶石Al2O3和碳化硅SiC襯底以及Si襯底。

  評(píng)價(jià)襯底材料必須綜合考慮下列因素:

  1.襯底與外延膜的結(jié)構(gòu)匹配:外延材料與襯底材料的晶體結(jié)構(gòu)相同或相近、晶格常數(shù)失配小、結(jié)晶性能好、缺陷密度低;

  2.襯底與外延膜的熱膨脹系數(shù)匹配:熱膨脹系數(shù)的匹配非常重要,外延膜與襯底材料在熱膨脹系數(shù)上相差過(guò)大不僅可能使外延膜質(zhì)量下降,還會(huì)在器件工作過(guò)程中,由于發(fā)熱而造成器件的損壞;

  3.襯底與外延膜的化學(xué)穩(wěn)定性匹配:襯底材料要有好的化學(xué)穩(wěn)定性,在外延生長(zhǎng)的溫度和氣氛中不易分解和腐蝕,不能因?yàn)榕c外延膜的化學(xué)反應(yīng)使外延膜質(zhì)量下降;

  4.材料制備的難易程度及成本的高低:考慮到產(chǎn)業(yè)化發(fā)展的需要,襯底材料的制備要求簡(jiǎn)潔,成本不宜很高。襯底尺寸一般不小于2英寸。

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