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[導讀]   半導體照明光源(這里主要指的是LED光源)現(xiàn)已經批量進入照明領域,但還是出現(xiàn)了不少問題,主要是能效、可靠性、光色質量以及成本等問題。有關能效和光色質量所涉及的內容很豐富,比如視覺舒適度、智能

  半導體照明光源(這里主要指的是LED光源)現(xiàn)已經批量進入照明領域,但還是出現(xiàn)了不少問題,主要是能效、可靠性、光色質量以及成本等問題。有關能效和光色質量所涉及的內容很豐富,比如視覺舒適度、智能化調光控制等,在此我們暫不描述。本文將討論急需解決的主要技術問題,歸結為“三高一低”,即高光效、高顯色性、高可靠和低成本的技術問題,實現(xiàn)低成本其實質上也是技術問題。解決這四大技術問題,需要在半導體照明產業(yè)鏈各個環(huán)節(jié)上采取一系列措施,比如采用新技術、新結構、新工藝、新材料等,這里只提及應該采取的技術路線和方向,希望對LED企業(yè)的產品創(chuàng)新有所幫助。

  一、如何實現(xiàn)高光效

  半導體照明的光效,或者說能效,是節(jié)能效果的重要指標。目前LED器件光效產業(yè)化水平可達120~140lm/W,作成照明燈具總的能效可大于100lm/W。這還是不高,節(jié)能效果不明顯,離半導體器件光效理論值250lm/W還有很大距離。真正要做到高光效,要從產業(yè)鏈各個環(huán)節(jié)上解決相關的技術問題,主要是提高內量子效率、外量子效率、封裝出光效率和燈具效率,本文將針對外延、芯片,封裝,燈具等幾個環(huán)節(jié)要解決的技術問題探討。

  1. 提高內量子效率和外量子效率

  主要采取以下幾點措施來提高內量子效率和外量子效率。

 ?。?)襯底表面粗化及非極性襯底

  采用納米級圖型襯底、“取向型”圖型襯底或非極性、半極性襯底生長GaN,減少位錯和缺陷密度及極性場影響,提高內量子效率[1]。

 ?。?)廣義同質襯底

  采用HVPE(氫化物液相外延)在Al2O3藍寶石襯底上生長GaN,作為混合同質襯底GaN/Al2O3,在此基礎上外延生長GaN,可極大地降低位錯密度達106~107cm-2,并較大地提高內量子效率。日亞、Cree及我國北大均在研發(fā)之中[2]。

 ?。?)改進量子阱結構

  控制In組分的變化方式和變化量、優(yōu)化量子阱結構提高電子和空穴交疊幾率,增加幅射復合幾率以及調節(jié)非平衡載流子的輸運等,提高內量子效率。

 ?。?)采用新結構的芯片

  采用新結構要求芯片六面出光,在芯片界面上采用新技術進行多種表面粗化方式,減少光子在芯片界面上反射幾率,并增加表面透光率,以提高芯片的外量子效率。

  2. 提高封裝出光效率及降低結溫

 ?。?)熒光粉效率及涂覆工藝

  熒光粉的光激發(fā)效率目前還不高,黃粉可達70%左右,紅粉和綠粉的效率較低,有待進一步提高。另外,熒光粉的涂覆工藝非常重要,有報道稱在芯片表面均勻涂復60微米厚度的熒光粉,激發(fā)效率較高。

 ?。?)COB封裝

  當前半導體照明的光源采用各種形式COB封裝,提高COB封裝的出光效率是當務之急,有報道稱,采用第二代(有的稱第三代)COB矩陣式結構封裝,其光效可達120lm/W以上。如果采用倒裝芯片和六面發(fā)光體進行全反射的結構,光效可達160lm/W以上。

 ?。?)降低結溫

  結溫為25℃時的發(fā)光量設為100%,當結溫上升至60℃時其發(fā)光量只有90%,當上升至140℃時只有70%,所以在封裝時要加大散熱措施,保持較低結溫,維持較高的發(fā)光效率。

  3. 提高燈具的取光效率

  不同LED燈具的效率相差很大,一般LED燈具效率大于80%,有一部分可大于90%。要根據LED光源的特點以及不同的應用場合,對燈具進行精細的二次光學設計,也要考慮燈具散熱和眩光問題,提高LED燈具的取光效率。

 

 

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