Thermaltake GT 650電源輸出紋波測(cè)評(píng)

本文中，小編將對(duì)Thermaltake GT 650電源的輸出紋波進(jìn)行測(cè)評(píng)，一起來(lái)了解下吧。

我們使用數(shù)字示波器在20MHz模擬帶寬下按照Intel規(guī)范給治具板測(cè)量點(diǎn)處并接去耦電容，對(duì)電源進(jìn)行滿載紋波的測(cè)量，以低頻下的紋波峰峰值作為打分基準(zhǔn)。

Thermaltake GT 650W電源在100%滿載時(shí)的+12V、+5V、+3.3V低頻紋波為42mV、18mV和16mV，屬于表現(xiàn)優(yōu)秀的水平;超載至115%也就是750W后，電源輸出紋波有小幅度的增加，三路輸出分別上升至51mV、24mV和19mV，并沒(méi)有本質(zhì)上的性能改變，這說(shuō)明電源的紋波抑制還是做得不錯(cuò)的。

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