華為被禁之后，國產(chǎn)替代成了半導體企業(yè)關注的重點。作為中國最大，技術最先進的半導體代工廠家，中芯國際被寄予厚望。
近日有媒體報道稱，在大規(guī)模量產(chǎn)14nm工藝后，中芯國際的N+1代工藝已經(jīng)進入客戶導入階段，可望于2021年進入量產(chǎn)。
對此，中芯國際回應稱，該公司的第一代FinFET 14nm工藝已于2019年第四季度量產(chǎn)，第二代FinFET N+1工藝已經(jīng)進入客戶導入階段，可望于2020年底小批量試產(chǎn)。
在沒有使用EUV光刻機的情況下，中芯國際實現(xiàn)了14nm以下的先進制造工藝，不能不說是一個突破性進展。
據(jù)了解，中芯國際目前在國內(nèi)四個城市擁有多家晶圓廠，分別是上海的8英寸晶圓廠和12英寸晶圓廠，北京亦莊的12英寸晶圓廠一期和二期，天津和深圳各有一座8英寸晶圓廠。
作為一家純代工企業(yè)，中芯國際目前可以向全球客戶提供從0.35微米到14納米工藝的代工生產(chǎn)服務，同時，還可以為客戶提供從生產(chǎn)、封裝到測試的一體化全方位晶圓代工解決方案。目前，中芯國際的工藝技術主要分為三類：先進邏輯技術(14納米、在研的N+1代工藝等)、成熟邏輯技術(28nm，40nm ，65nm/55nm ，90nm,0.13/0.11μm,0.18μm,0.35μm等），特殊工藝(Analog&Power ，DDIC ，IGBT ，eNVM，NVM，Mixed Signal&RF，MEMS，IoT Solutions，Automotive等）。
21ic家注意到，在中芯國際的先進邏輯技術中，N+1代工藝是中芯國際對其第二代先進工藝的代號，但并未明確具體數(shù)字節(jié)點。不過從中芯國際透露的數(shù)據(jù)來看，其N+1代工藝比14nm工藝性能提升了20%、功耗降低57%、邏輯面積縮小63%、SoC面積縮小55%。N+1代工藝的制程節(jié)點正在追趕7nm制程，因為從其芯片面積縮小一半這個數(shù)據(jù)來看，晶體管的集成度提升了一倍，而臺積電從14nm到7nm工藝也就提升了1倍的密度。
按照中芯國際的回應，2020年底小批量試產(chǎn)N+1工藝，那可以預見量產(chǎn)也就不遠了，高端晶圓代工的國產(chǎn)替代指日可俟矣！
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