功率半導(dǎo)體器件的簡要概述,你值得了解
說道功率半導(dǎo)體,早期的功率半導(dǎo)體器件:大功率二極管、晶閘管等等,主要用于工業(yè)和電力系統(tǒng)(正因如此,早期才被稱為電力電子器件)半導(dǎo)體器件,以前也被稱為電力電子器件,簡單來說,就是進(jìn)行功率處理的,具有處理高電壓,大電流能力的半導(dǎo)體器件。給個(gè)數(shù)量吧,電壓處理范圍從幾十V~幾千V,電流能力最高可達(dá)幾千A。典型的功率處理,包括變頻、變壓、變流、功率管理等等。
功率半導(dǎo)體器件,嘿嘿,本人的本行。后來,隨著以功率MOSFET器件為代表的新型功率半導(dǎo)體器件的迅速發(fā)展,現(xiàn)在功率半導(dǎo)體器件已經(jīng)非常廣泛啦, 在計(jì)算機(jī)、通行、消費(fèi)電子、汽車電子 為代表的4C行業(yè)(computer、communication、consumer electronics、cartronics),功率半導(dǎo)體器件可以說是越來越火,現(xiàn)在不是要節(jié)能環(huán)保嗎,低碳生活,那就需要對能量的處理進(jìn)行合理的管理,power是啥?通俗的理解不就是功率P=IV 嗎,所以就需要對電壓電流的運(yùn)用進(jìn)行有效的控制,這就與功率器件密不可分! 功率管理集成電路(Power Management IC,也被稱為電源管理IC)已經(jīng)成為功率半導(dǎo)體器件的熱點(diǎn),發(fā)展非常迅速噢!
功率半導(dǎo)體器件,在大多數(shù)情況下,是被作為開關(guān)使用(switch),開關(guān),簡單的說,就是用來控制電流的 通過 和 截?cái)唷? 那么,一個(gè)理想的開關(guān),應(yīng)該具有兩個(gè)基本的特性:
1,電流通過的時(shí)候,這個(gè)理想開關(guān)兩端的電壓降是零
2,電流截?cái)嗟臅r(shí)候,這個(gè)理想開關(guān)兩端可以承受的電壓可以是任意大小,也就是0~無窮大
因此,功率半導(dǎo)體器件的研究和發(fā)展,就是圍繞著這個(gè)目標(biāo)不斷前進(jìn)的?,F(xiàn)在的功率半導(dǎo)體器件,已經(jīng)具有很好的性能了,在要求的電壓電流處理范圍內(nèi),可以接近一個(gè)比較理想的開關(guān)。
好了,扯了這么多,舉幾個(gè)功率半導(dǎo)體器件的例子吧,剛才已經(jīng)說了,功率二極管,晶閘管,還有功率BJT(就是功率雙極型晶體管)這些都是第一代產(chǎn)品了,比較老的了,第二代是以功率MOSFET為代表的新型功率半導(dǎo)體器件,如VDMOS、LDMOS,以及IGBT。
VDMOS 即(vertical double-diffusion MOSFET)是縱向器件,多用于分立器件;LDMOS 即(Lateral double-diffusion MOSFET),是橫向器件,其三個(gè)電極均在硅片表面,易于集成,多用于功率集成電路領(lǐng)域。 IGBT 即 (Insulated Gate Bipolar Transistor 絕緣柵雙極型晶體管),可以看作是功率MOS和功率BJT的混合型新器件。 IGBT目前非?;鸢?,國內(nèi)才剛剛起步,大量需要IGBT的高技術(shù)人才,這個(gè)有錢途的。