eGaN?FET實現(xiàn)98%效率、250 W/48 V的DC/DC解決方案，用于超薄且有高密度的計算應用

宜普電源轉換公司(EPC)宣布推出用于48 V DC/DC轉換的EPC9148和EPC9153演示板。 EPC9153是一款250 W超薄電源模塊，采用簡單且低成本的同步降壓配置，峰值效率高達98.2%，元件的最大厚度為6.5 毫米。EPC9148使用多電平拓撲結構，元件的最大厚度小于4 毫米，峰值效率為98%。

該兩款演示板集成了Microchip公司的dsPIC33CK數(shù)字信號控制器(DSC)和EPC公司最新一代100 V氮化鎵場效應晶體管，具有超薄外形尺寸，在12.5 A時，實現(xiàn)超過 98%的效率。由于Microchip數(shù)字控制器具有高靈活性，因此允許在44 V~60 V范圍內調節(jié)輸入電壓，而輸出電壓在5 V~20 V范圍內。

EPC9148多電平轉換器縮小了支持磁性元件的模塊尺寸，同時在緊湊的解決方案中，實現(xiàn)高效率。EPC9148演示板的亮點之一是采用Würth Elektronik的超薄功率電感器，從而實現(xiàn)具有超高功率密度的設計。

EPC9153演示板提供簡單且低成本的同步降壓配置，從而使元件可以實現(xiàn)纖薄的最大厚度、98.2%的峰值效率和在20 V輸出時，上升溫度少于40°C。eGaN FET憑借其快速的開關性能，提高整體效率，而它的芯片級占位面積使其易于散熱，從而實現(xiàn)緊湊型設計所需的低上升溫度。

EPC公司應用工程副總裁Michael de Rooij說：“計算機、顯示器、智能電話和其它消費電子系統(tǒng)變得越來越纖薄，功能卻越來越強大。我們很高興與Microchip Technology和Würth Elektronik合作，開發(fā)超薄且高效的解決方案，以應對在有限的空間和體積內取得更高的功率的挑戰(zhàn)?！?

宜普電源轉換公司是基于增強型氮化鎵的功率管理器件的領先供貨商，為首家公司推出替代功率MOSFET器件的硅基增強型氮化鎵(eGaN)場效應晶體管及集成電路，其目標應用包括直流- 直流轉換器、 無線電源傳送、 包絡跟蹤、射頻傳送、功率逆變器、激光雷達(LiDAR) 及 D類音頻放大器等應用，器件性能比最好的硅功率MOSFET器件高出很多倍。此外，宜普公司正在擴大基于eGaN IC的產品系列，為客戶提供進一步節(jié)省占板面積、節(jié)能及節(jié)省成本的解決方案。詳情請訪問我們的網站，eGaN® 是Efficient Power Conversion Corporation宜普電源轉換公司的注冊商標。