快來了解Microchip的SiC汽車功率器件，你知道嗎？

人類社會的進步離不開社會上各行各業(yè)的努力，各種各樣的電子產(chǎn)品的更新?lián)Q代離不開我們的設(shè)計者的努力，其實很多人并不會去了解電子產(chǎn)品的組成，比如碳化硅肖特基二極管。

Microchip新推出的器件通過了AEC-Q101認證，對于需要在提高系統(tǒng)效率的同時保持高質(zhì)量的電動汽車電源設(shè)計人員來說，可以最大限度地提高系統(tǒng)的可靠性和耐用性，實現(xiàn)穩(wěn)定和持久的應(yīng)用壽命。新器件卓越的雪崩整流性能使設(shè)計人員可以減少對外部保護電路的需求，降低系統(tǒng)成本和復(fù)雜性。

碳化硅是最早發(fā)現(xiàn)的半導(dǎo)體材料之一，然而，由于生長高質(zhì)量的碳化硅晶體比較困難，使碳化硅器件的發(fā)展落后于其他同族材料。近幾年來，碳化硅器件發(fā)展有顯著進步，而且證實了碳化硅由于優(yōu)越的物理和電學(xué)特性，與硅材料和器件相比更適合應(yīng)用于大功率電路。

Microchip分立產(chǎn)品業(yè)務(wù)部副總裁LeonGross表示：“作為汽車行業(yè)的長期供應(yīng)商，Microchip持續(xù)拓展車用電源解決方案，引領(lǐng)汽車電氣化領(lǐng)域的電源系統(tǒng)轉(zhuǎn)型。我們一直專注于提供汽車解決方案，幫助客戶輕松過渡到碳化硅(SiC)，同時將質(zhì)量、供應(yīng)和支持挑戰(zhàn)的風(fēng)險降至最低?！?

碳化硅具有比硅更寬的禁帶寬度(3C-SIC：2.3eV，6H-SIC：2.9eV，4H-SIC：3.2eV)，臨界擊穿電場比硅高8～10倍。因此，碳化硅高壓器件可以通過高摻雜的薄漂移層實現(xiàn)，從而使器件的導(dǎo)通電阻降低幾個數(shù)量級。

Microchip作為汽車行業(yè)供應(yīng)商的歷史已經(jīng)超過25年。公司擁有碳化硅(SiC)技術(shù)以及多個通過IATF16949:2016認證的制造工廠，可通過靈活的制造方案提供高質(zhì)量器件，幫助最大限度地降低供應(yīng)鏈風(fēng)險。

SIC材料以其優(yōu)越的電學(xué)特性使其在高功率、高溫應(yīng)用中具有獨特的優(yōu)勢。對于式(1)，與硅材料相比，4H-SIC的臨界擊穿電場大約比硅高10倍，對于給定的擊穿電壓，由式(1)得到的比導(dǎo)通電阻將減小約3個數(shù)量級。

經(jīng)過Microchip內(nèi)部以及第三方測試，關(guān)鍵可靠性指標已經(jīng)證明，與其他廠商生產(chǎn)的SiC器件相比，Microchip的器件性能更加卓越。與其他在極端條件下出現(xiàn)性能下降的碳化硅(SiC)器件不同，Microchip器件性能保持穩(wěn)定，有助于延長應(yīng)用壽命。Microchip碳化硅(SiC)解決方案的可靠性和耐用性在業(yè)界處于領(lǐng)先水平。其耐用性測試表明，Microchip的碳化硅肖特基二極管(SiCSBD)在非箝位電感開關(guān)(UIS)中的能量承受能力提升20%，在高溫下電流泄漏水平最低，從而可以延長系統(tǒng)壽命，實現(xiàn)更可靠的運行。

碳化硅肖特基二極管不僅應(yīng)用于功率電路，還用于其他領(lǐng)域，如氣敏傳感器、微波和紫外探測器等。

Microchip的SiC汽車功率器件進一步拓展了其豐富的控制器、模擬和連接解決方案產(chǎn)品組合，為設(shè)計人員提供電動汽車和充電站的整體系統(tǒng)解決方案。Microchip還利用最新一代碳化硅(SiC)裸片，提供700、1200和1700V碳化硅肖特基二極管(SiCSBD)和金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)功率模塊的廣泛產(chǎn)品組合。此外，Microchip推出的dsPIC®數(shù)字信號控制器可提供高性能、低功耗和靈活的外設(shè)。Microchip的AgileSwitch®系列數(shù)字可編程門驅(qū)動器進一步加快了從設(shè)計階段到生產(chǎn)的進程。這些解決方案還可應(yīng)用于可再生能源、電網(wǎng)、工業(yè)、交通、醫(yī)療、數(shù)據(jù)中心、航空航天和國防系統(tǒng)。

本文只能帶領(lǐng)大家對碳化硅肖特基二極管有了初步的了解，對大家入門會有一定的幫助，同時需要不斷總結(jié)，這樣才能提高專業(yè)技能，也歡迎大家來討論文章的一些知識點。