聯(lián)合碳化硅基于第四代先進(jìn)技術(shù)推出新型SiC FET器件

2020年12月1日，美國新澤西州普林斯頓：領(lǐng)先的碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體制造商UnitedSiC(聯(lián)合碳化硅)公司，現(xiàn)已基于其第四代SiC FET先進(jìn)技術(shù)平臺推出四款首批器件。作為目前市場上首批也是唯一的750V SiC FET，這四款第四代器件基于領(lǐng)先的品質(zhì)因數(shù)(FoM)實(shí)現(xiàn)了新的性能水平，從而使汽車、工業(yè)充電、電信整流器、數(shù)據(jù)中心功率因數(shù)校正(PFC)和 DC-DC轉(zhuǎn)換以及可再生能源和儲能領(lǐng)域的電源應(yīng)用都能夠從中受益。

這四款新型SiC FET包含18 mΩ和60mΩ兩種方案，其FoM無與倫比，并且其單位面積通態(tài)電阻更低，本征電容也很低。在硬開關(guān)應(yīng)用中，第四代FET實(shí)現(xiàn)了最低的RDS(on)×EOSS(mΩ·μJ)，因此其導(dǎo)通損耗和關(guān)斷損耗都得到降低。在軟開關(guān)應(yīng)用中，其低RDS(on)×Coss(tr)(mΩ·nF)規(guī)格則可實(shí)現(xiàn)更低的傳導(dǎo)損耗和更高的頻率。這些器件不僅超越了現(xiàn)有SiC MOSFET競爭產(chǎn)品的性能(無論是在25℃低溫還是125℃高溫下工作)，而且還提供了最低的體二極管VF，并具有出色的反向恢復(fù)特性，從而降低了死區(qū)損耗并提高了效率。

這些新器件將聯(lián)合碳化硅的產(chǎn)品擴(kuò)展到了750V，這樣就可以為設(shè)計人員提供更多的裕量并減少其設(shè)計約束。同時，這一VDS額定值的提高，也使這些FET有利于400/500V總線電壓應(yīng)用。由于與±20V、5V Vth的柵極驅(qū)動器廣泛兼容，所有的器件都可以用0至+12V柵極電壓驅(qū)動。因此，就可以將它們與現(xiàn)有的SiC MOSFET、Si IGBT和Si MOSFET柵極驅(qū)動器一起使用。

正如聯(lián)合碳化硅C公司工程副總裁Anup Bhalla所述：“從DC-DC轉(zhuǎn)換和車載充電到功率因數(shù)校正和太陽能逆變器，這些器件可幫助各行各業(yè)的工程師們解決他們在滿足最高電壓和功率要求時所面臨的各種挑戰(zhàn)。

“我們將在未來9個月內(nèi)發(fā)布許多第四代新器件，而在性價比、散熱效率和設(shè)計裕量等方面實(shí)現(xiàn)進(jìn)一步提高。到那時，各行各業(yè)就都有望克服大規(guī)模采用的挑戰(zhàn)，并借此加速創(chuàng)新。”

這四款第4代750V新SiC FET的定價(千片起，美國離岸價)從UJ4C075060K3S的3.57美元到UJ4C075018K4S的7.20美元不等。所有器件均可從授權(quán)分銷商處購買。

這四款SiC FET器件的規(guī)格如下所示：