STM32F334C8T6微控制器，內(nèi)存、循環(huán)冗余校驗、低功耗詳細(xì)介紹

意法半導(dǎo)體STM32F334C8T6微控制器將是下述內(nèi)容的主要介紹對象，通過這篇文章，小編希望大家可以對STM32F334C8T6的相關(guān)情況以及信息有所認(rèn)識和了解，詳細(xì)內(nèi)容如下。

微控制器是將微型計算機的主要部分集成在一個芯片上的單芯片微型計算機。微控制器誕生于20世紀(jì)70年代中期，經(jīng)過20多年的發(fā)展，其成本越來越低，而性能越來越強大，這使其應(yīng)用已經(jīng)無處不在，遍及各個領(lǐng)域。而意法半導(dǎo)體的STM32F334C8T6正是一款性能優(yōu)秀的微控制器。

一、STM32F334C8T6微控制器概述

STM32F334C8T6集成了高性能Arm®Cortex®-M432位RISC內(nèi)核，可在高達(dá)72 MHz的頻率下運行，并嵌入了浮點單元(FPU)、高速嵌入式存儲器(最大64 KB閃存，高達(dá)12 KB的SRAM)以及連接到兩條APB總線的各種增強型I / O和外圍設(shè)備。

STM32F334C8T6微控制器提供兩個快速的12位ADC(5 Msps)，多達(dá)三個超快速比較器、一個運算放大器、三個DAC通道、一個低功耗RTC、一個高分辨率計時器、一個通用用途的32位計時器、一個專用于電機控制的計時器和四個通用的16位計時器。STM32F334C8T6微控制器還具有標(biāo)準(zhǔn)和高級通信接口：一個I2C、一個SPI、多達(dá)三個USART和一個CAN。

STM32F334C8T6在–40至+85°C和–40至+105°C的溫度范圍(2.0至3.6 V電源)下工作。 一套全面的省電模式允許設(shè)計低功耗應(yīng)用。

二、STM32F334C8T6微控制器內(nèi)存

(一)嵌入式閃存

STM32F334C8T6微控制器具有高達(dá)64 KB的嵌入式閃存，可用于存儲程序和數(shù)據(jù)。 將閃存訪問時間調(diào)整為CPU時鐘頻率(上述0個等待狀態(tài)，從0到24 MHz，1個等待狀態(tài)，從24到48 MHz，以及上述2個等待狀態(tài))

(二)嵌入式SRAM

STM32F334C8T6微控制器具有高達(dá)12 KB的嵌入式SRAM，并具有硬件奇偶校驗功能。 可以以0個等待狀態(tài)以CPU時鐘速度以讀/寫方式訪問該存儲器，當(dāng)從CCM(核心耦合內(nèi)存)RAM運行代碼時，允許CPU在72 MHz下達(dá)到90 Dhrystone Mips。

SRAM的組織方式如下：

?帶有奇偶校驗(核心耦合內(nèi)存或CCM)的指令和數(shù)據(jù)總線上的4 KB SRAM，用于執(zhí)行關(guān)鍵例程或訪問數(shù)據(jù);

?12 KB的SRAM，具有奇偶校驗，映射在數(shù)據(jù)總線上。

三、STM32F334C8T6微控制器循環(huán)冗余校驗計算單元(CRC)

CRC(循環(huán)冗余校驗)計算單元用于使用可配置的生成器多項式值和大小來獲取CRC碼。 在其他應(yīng)用中，基于CRC的技術(shù)用于驗證數(shù)據(jù)傳輸或存儲完整性。在EN / IEC 60335-1標(biāo)準(zhǔn)范圍內(nèi)，它們提供了驗證閃存完整性的方法。CRC計算單元有助于在運行時計算軟件簽名，并將其與鏈接時生成并存儲在給定存儲位置的參考簽名進(jìn)行比較。

四、STM32F334C8T6微控制器低功耗模式

STM32F334C8T6微控制器支持三種低功耗模式，以在低功耗、短啟動時間和可用喚醒源之間實現(xiàn)最佳折衷：

? 睡眠模式

在睡眠模式下，僅CPU停止。當(dāng)發(fā)生中斷/事件時，所有外設(shè)都可以繼續(xù)運行，并且可以喚醒CPU。

?停止模式

停止模式可實現(xiàn)最低功耗，同時保留SRAM和寄存器的內(nèi)容。停止1.8 V域中的所有時鐘，禁用PLL、HSI RC和HSE晶體振蕩器，STM32F334C8T6微控制器的穩(wěn)壓器也可以置于正常或低功耗模式，可以通過任意EXTI線將設(shè)備從停止模式喚醒。EXTI線路源可以是16條外部線路之一，即PVD輸出、RTC警報、COMPx、I2C或USARTx。

? 待機模式

待機模式用于實現(xiàn)最低功耗。內(nèi)部穩(wěn)壓器關(guān)閉，因此整個1.8 V域都關(guān)閉了電源，PLL、HSI RC和HSE晶體振蕩器也被關(guān)閉。進(jìn)入待機模式后，除了備份域和待機電路中的寄存器外，SRAM和寄存器內(nèi)容都會丟失。當(dāng)發(fā)生外部復(fù)位(NRST引腳)、IWDG復(fù)位、WKUP引腳上的上升沿或RTC警報時，設(shè)備退出待機模式。

最后，小編誠心感謝大家的閱讀。你們的每一次閱讀，對小編來說都是莫大的鼓勵和鼓舞。最后的最后，祝大家有個精彩的一天。