RFID作為一項專業(yè)度較高的技術(shù),在一些公司,可能還會專門招聘專業(yè)的RFID工程師。本篇闡述的涉及到的只是基本選型設(shè)計、電路框架,關(guān)于RFID天線調(diào)試、低功耗檢卡調(diào)試等,后續(xù)再其他篇章會繼續(xù)更新!
NFC(Near Field Communication)芯片選型:
主要考量點:
芯片支持的協(xié)議、是否支持低功耗檢卡、是否能過金融認(rèn)證、芯片價格
芯片支持協(xié)議:
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ISO14443A/B、ISO15693、 ISO18092 和 ISO21481 等
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ISO14443A 卡:Mifare 系列、 Ultralight 系列、 Plus 系列、 CPU 卡系列等。
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ISO14443B 卡:身份證、 SR176、 SRI512 等。
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ISO15693:NXP 的 ICODE 系列、 TI 的 Tag_it HF-I、 ST LRI 等。
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ISO18092:包括讀卡模式、卡模式、點對點通信模式。
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ISO21481:在 ISO18092 基礎(chǔ)上兼容 ISO15693 協(xié)議。
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LPCD 功能:芯片低功耗檢測卡片功能。沒有卡片靠近時,芯片處于低功耗狀態(tài), 僅需10uA 電流,就能完成卡片偵測, 當(dāng)卡片靠近時,芯片偵測到卡片,喚醒單片機讀卡。
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金融認(rèn)證:PBOC2.0/3.0 標(biāo)準(zhǔn)、 EMV 標(biāo)準(zhǔn)
電路架構(gòu):
NFC芯片外部電路通常由以下幾個部分組成:供電電路、通信接口電路、天線電路、振蕩電路;
供電電路:主要包括模擬電源AVDD、數(shù)字電源DVDD、發(fā)射器電源TVDD、引腳電源PVDD、測試引腳電源PVDD2;
a. 如果需要提高發(fā)射功率可提高TVDD的電壓,例如5V供電的TVDD形成的發(fā)射功率會比3V的要強;
b. 芯片的供電電流通常在幾十到幾百mA,主要的能量消耗在發(fā)射器的電路上。例如FM175xx的天線發(fā)射電流在100mA,RC663則可以達(dá)250mA,因此選擇供電芯片、電感器件時,需要注意留足余量;
c.讀卡芯片天線13.56MHz的正弦波信號會干擾電源,為減少傳導(dǎo)干擾,可以在電源端加π型濾波器,但為減少電路設(shè)計冗余度,一般情況下不添加。
通信接口:
通常都支持SPI/I2C/UART,一般通過外部引腳配置選擇,為方便升級,可做兼容設(shè)計;
天線設(shè)計:
天線電路主要由4部分組成:EMC濾波、匹配電路、天線、接收電路。以FM17550為例,如下:
濾波電路:
由L1、C1組成的低通濾波器用于濾除13.56MHz的衍生諧波,該濾波器截止頻率應(yīng)設(shè)計在14MHz以上。L1電感不可靠近擺放,以免互相干擾(互感效應(yīng))。濾波電路元件匹配公式:f=1/(2π√LC)
匹配電路:
用于調(diào)節(jié)發(fā)射負(fù)載和諧振頻率。射頻電路功率受芯片內(nèi)阻和外阻抗影響,當(dāng)芯片內(nèi)阻和外阻抗一致時,發(fā)射功率效率最高。C2是負(fù)載電容,天線感量越大,C2取值越小。C3是諧振電容,取值和天線電感量直接相關(guān),使得諧振頻率在13.56MHz。
接收電路:
C4濾除直流信號,R2和R3組成分壓電路,使得RX接收端正弦波信號幅度在1.5-3V之間。
天線:
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由R1電阻(通常是1ohm或0ohm)和印制PCB組成。
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天線越大,讀卡距離越遠(yuǎn),當(dāng)天線面積達(dá)到5cm x 5cm以后,再增大天線,讀卡距離沒有明顯提升。
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天線線寬建議選擇0.5mm - 1mm。天線大于5cm x 5cm不能多于3圈,小于3cm x 3cm不能小于4圈
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為減小EMC輻射干擾,需要將PCB走線轉(zhuǎn)角處畫成圓弧。
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天線區(qū)域內(nèi)和天線邊緣禁止將信號、電源、地線畫成圈或者半圓,天線圈內(nèi)不可有大面積金屬物體、金屬鍍膜,避免引起磁場渦流效應(yīng)造成能力嚴(yán)重?fù)p耗。
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天線PCB繞線方式是相對的,不是同向。
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天線電路設(shè)計元件的精度應(yīng)控制在2%以內(nèi),否則容易導(dǎo)致天線諧振頻點偏差,導(dǎo)致讀卡性能嚴(yán)重下降,產(chǎn)品一致性難以保證
天線大小和讀卡距離關(guān)系
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