英飛凌推出第二代高可靠非易失性SRAM

時間：2021-04-01 11:30:16

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[導(dǎo)讀]英飛凌科技股份公司旗下的Infineon Technologies LLC宣布推出第二代非易失性靜態(tài)RAM(nvSRAM)。

【2021年4月1日，德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司旗下的Infineon Technologies LLC宣布推出第二代非易失性靜態(tài)RAM(nvSRAM)。新一代器件已通過QML-Q和高可靠性工業(yè)規(guī)格的認證，支持苛刻環(huán)境下的非易失性代碼存儲和數(shù)據(jù)記錄應(yīng)用，包括航天和工業(yè)應(yīng)用。

英飛凌推出第二代高可靠非易失性SRAM

256 Kb STK14C88C和1 Mb STK14CA8C nvSRAM采用32引腳300 mil雙列直插式陶瓷封裝，符合MIL-PRF-38535 QML-Q規(guī)格(-55°C至125°C)和英飛凌的工業(yè)標準(-40 °C至85°C)。5 V和3 V版本均支持用于航天、通信和導(dǎo)航系統(tǒng)以及工業(yè)高爐和鐵路控制系統(tǒng)的引導(dǎo)代碼、數(shù)據(jù)記錄和校準數(shù)據(jù)存儲。英飛凌還提供晶圓銷售，以支持封裝系統(tǒng)。

英飛凌推出第二代高可靠非易失性SRAM

Infineon Technologies LLC航天與國防業(yè)務(wù)副總裁Helmut Puchner表示：“新一代nvSRAM擴展了英飛凌在電荷阱型存儲器領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位。我們nvSRAM系列中新增的這些符合QML-Q規(guī)范的高可靠性工業(yè)用器件證明了我們致力于為需要高性能、高可靠性存儲器的惡劣工作環(huán)境提供解決方案?！?

英飛凌的nvSRAM技術(shù)將高性能SRAM與一流的SONOS非易失性技術(shù)相結(jié)合。在正常工作條件下，nvSRAM的作用類似于傳統(tǒng)的異步SRAM。斷電時，nvSRAM會自動將SRAM數(shù)據(jù)的副本保存到非易失性存儲器中，該數(shù)據(jù)的保護期限超過20年。英飛凌已交付超過20億顆基于SONOS的非易失性嵌入式或獨立存儲器。

供貨情況

現(xiàn)在可以訂購256 Kb STK14C88C和1 Mb STK14CA8C nvSRAM。