想要了解移相器知識(shí)?大佬帶你解讀MEMS移相器!

在這篇文章中，小編將為大家?guī)?lái)MEMS移相器的相關(guān)報(bào)道。如果你對(duì)本文即將要講解的內(nèi)容存在一定興趣，不妨繼續(xù)往下閱讀哦。

近年來(lái)，隨著射頻微機(jī)械技術(shù)的發(fā)展，MEMS移相器引起了越來(lái)越多的關(guān)注，并已成為主要的研究MEMS器件之一。與傳統(tǒng)移相器相比，MEMS移相器主要使用半導(dǎo)體材料作為襯底，并通過(guò)微加工技術(shù)制備。它們具有帶寬，低損耗，低成本，超小型化以及易于與IC，MMIC電路等集成的優(yōu)點(diǎn)。因此，在微波和毫米波控制電路中具有廣闊的應(yīng)用前景。美國(guó)密歇根大學(xué)的Barker博士首先通過(guò)將MEMS金屬橋周期性地加載到共面波導(dǎo)上，從而實(shí)現(xiàn)了毫米波波段和寬帶的MEMS相移器。如圖1所示，其基本原理是改變MEMS金屬橋。改變傳輸路徑上的相移常數(shù)的高度，從而達(dá)到改變相移的目的。在本文中，基于電容耦合MEMS開(kāi)關(guān)設(shè)計(jì)了一個(gè)90°分布式MEMS相移器。 MEMS移相器的基本設(shè)計(jì)思想是將具有高電容比的MEMS可移動(dòng)膜橋周期性地加載到共面波導(dǎo)上，從而增加共面波導(dǎo)與地面之間的分布電容，使共面波導(dǎo)傳輸線成為慢波系統(tǒng)起著相位延遲的作用。在線路上施加直流偏置會(huì)改變分布電容，并導(dǎo)致傳輸線路的參數(shù)發(fā)生變化，從而改變電磁波的相位。相移量由MEMS單元的電容與傳輸線本身的電容之比確定。

MEMS是利用基于半導(dǎo)體制造技術(shù)的IC(集成電路)技術(shù)制成的微設(shè)備和設(shè)備陣列。它是微電子技術(shù)和精密機(jī)械制造技術(shù)的結(jié)合。 MEMS工藝技術(shù)起源于IC技術(shù)，是一種微處理技術(shù)，它使用諸如薄膜沉積、光刻、IBE蝕刻、剝離和封裝之類的基本工藝來(lái)制造復(fù)雜的三維結(jié)構(gòu)。

自1979年首次發(fā)布低頻MEMS開(kāi)關(guān)以來(lái)，MEMS開(kāi)關(guān)已廣泛用于軍事和民用領(lǐng)域。與傳統(tǒng)的半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)相比，MEMS開(kāi)關(guān)具有一系列優(yōu)點(diǎn)：低插入損耗，高線性度，高隔離度，頻率帶寬和易于集成。 MEMS組件的低插入損耗和高線性度的優(yōu)勢(shì)促進(jìn)了MEMS相移器的快速發(fā)展。 MEMS分布式電容移相器的設(shè)計(jì)原理是周期性地以高電容變化率加載MEMS電容器，以將傳輸線更改為慢波系統(tǒng)，并通過(guò)加載偏置電壓來(lái)更改MEMS分布式電容，從而改變傳輸線上的相速度。相移功能。

目前，國(guó)內(nèi)外對(duì)MEMS移相器的研究相對(duì)較熱。與使用PIN二極管的數(shù)字移相器相比，使用MEMS技術(shù)的移相器具有更小的插入損耗和更低的從X波段到W波段的轉(zhuǎn)換。而至于能源方面，與PIN二極管移相器相比，其性能得到了極大提高。由于MEMS移相器的損耗主要來(lái)自導(dǎo)體損耗而不是介電損耗，并且由于MEMS的電容性介質(zhì)是真空或空氣，因此其泄漏電流可以忽略不計(jì)，因此MEMS移相器廣泛用于低損耗和高損耗的環(huán)境中。頻率應(yīng)用。場(chǎng)合。

MEMS移相器從電路結(jié)構(gòu)上可以劃分為兩大類別：第一種移相器類似于PIN二極管移相器。傳輸線的電參數(shù)通過(guò)MEMS開(kāi)關(guān)進(jìn)行更改，以實(shí)現(xiàn)相移。移相器是MEMS。交換網(wǎng)絡(luò)移相器。第二類分布式移相器采用分布式MEMS傳輸線結(jié)構(gòu)，通過(guò)調(diào)整可變電容器的尺寸并改變相速度來(lái)實(shí)現(xiàn)相移。

所以總的來(lái)說(shuō)呢，MEMS移相器具有插入損耗低，寄生電容小和應(yīng)用頻帶更寬的優(yōu)點(diǎn)。然而，由于不成熟的MEMS理論和技術(shù)，對(duì)MEMS橋中殘余力的研究尚未深入，導(dǎo)致懸臂經(jīng)典力學(xué)性能的理論模型不足。同時(shí)，MEMS移相器的制造工藝相對(duì)復(fù)雜，機(jī)械結(jié)構(gòu)的響應(yīng)時(shí)間更長(zhǎng)，并且難以與硅基CMOS單片集成。這些因素阻礙了MEMS移相器的廣泛應(yīng)用。

以上便是小編此次想要和大家共同分享的有關(guān)MEMS移相器的內(nèi)容，如果你對(duì)本文內(nèi)容感到滿意，不妨持續(xù)關(guān)注我們網(wǎng)站喲。最后，十分感謝大家的閱讀，have a nice day!