朗科自產(chǎn)DDR5內(nèi)存高清圖賞：沖擊10GHz！

今年底，Intel Alder Lake 12代酷睿平臺(tái)將會(huì)首發(fā)支持DDR5內(nèi)存，因此，2021年將成為DDR5內(nèi)存啟動(dòng)的元年。

這段時(shí)間，DDR5領(lǐng)域開始異?；钴S，從顆粒廠商到模組廠商都在積極備戰(zhàn)，加速研發(fā)新產(chǎn)品，各大主板廠商也紛紛投身其中。

國產(chǎn)存儲(chǔ)品牌朗科科技日前宣布，DDR5內(nèi)存已經(jīng)進(jìn)入研發(fā)階段，來自美光的首批DDR5 DRAM內(nèi)存顆粒已抵達(dá)研發(fā)總部。

最新消息稱，朗科已經(jīng)完成自產(chǎn)DDR5內(nèi)存模組階段，正在與華碩、微星等主板廠商合作驗(yàn)證兼容性測試，進(jìn)展順利，已成功開機(jī)并運(yùn)行至操作系統(tǒng)。

據(jù)悉，朗科DDR5內(nèi)存模組單根、單面規(guī)格容量為16GB，時(shí)序40-40-40，標(biāo)準(zhǔn)頻率4800MHz，電壓1.1V，采用美光的R5顆粒，編號(hào)為Z9ZSB ES，搭配最新黑板PCB，板號(hào)為KO-8802A-5。

這一顆粒采用1znm工藝制造，F(xiàn)BGA 82-ball封裝，長寬尺寸分別為11×9毫米。

朗科還宣稱，將會(huì)投入研發(fā)頻率達(dá)到甚至超過10GHz的DDR5內(nèi)存產(chǎn)品，這也將是內(nèi)存歷史上第一次跨越10GHz大關(guān)。

DDR5的改變非常多，而對絕大多數(shù)用戶、玩家來說，最直接的變化就是頻率繼續(xù)飆升，而且會(huì)繼續(xù)大大突破JEDEC標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范。

DDR3時(shí)代，JEDEC標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范最高頻率僅為1600MHz，但是后期出現(xiàn)了大量的2800-3200MHz頻率產(chǎn)品。DDR4的標(biāo)準(zhǔn)頻率范圍為2133-3200MHz，但目前已經(jīng)可以看到各種各樣的4800-5600MHz高頻條。

JEDEC規(guī)定了DDR5的標(biāo)準(zhǔn)頻率范圍是3200-4800MHz，但這對DDR4來說都不是事兒，因此實(shí)際上的DDR5，必然會(huì)走向更高頻率，目前公開的說法是會(huì)沖到8400MHz。

作為本土存儲(chǔ)品牌，其實(shí)朗科早在2018年就進(jìn)入了內(nèi)存行業(yè)，并在近期推出了新款電競內(nèi)存產(chǎn)品，只是相對一直比較低調(diào)。

目前，朗科的DDR5內(nèi)存已經(jīng)進(jìn)入研發(fā)階段，首批DDR5 DRAM內(nèi)存顆粒已抵達(dá)研發(fā)總部。

朗科收到的也是美光DDR5顆粒，IC編號(hào)為Z9ZSB，根據(jù)美光官網(wǎng)查詢?yōu)镋S工程樣品，單顆容量為2Gbx8(2GB)，時(shí)序40-40-40，標(biāo)準(zhǔn)頻率4800MHz。

這一顆粒采用1znm工藝制造，F(xiàn)BGA 82-ball封裝，長寬尺寸分別為11×9毫米。

朗科表示，將會(huì)投入研發(fā)頻率達(dá)到甚至超過10GHz的DDR5內(nèi)存產(chǎn)品，這也將是內(nèi)存歷史上第一次跨越10GHz大關(guān)。

接下來就欣賞一下DDR5內(nèi)存顆粒的高清圖吧：