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[導(dǎo)讀]2021年5月20日,美國(guó)新澤西州普林斯頓 --- 全球領(lǐng)先的碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體制造商美商聯(lián)合碳化硅股份有限公司(UnitedSiC)宣布繼續(xù)擴(kuò)展FET產(chǎn)品組合,并推出六款全新的650V和1200V產(chǎn)品。

2021年5月20日,美國(guó)新澤西州普林斯頓 --- 全球領(lǐng)先的碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體制造商美商聯(lián)合碳化硅股份有限公司(UnitedSiC)宣布繼續(xù)擴(kuò)展FET產(chǎn)品組合,并推出六款全新的650V和1200V產(chǎn)品,所有這些器件均采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)D2PAK-7L表面貼裝封裝。這些最新的SiC FET可提供30、40、80和150mΩ版本,表明碳化硅器件在加速向服務(wù)器和電信電源、工業(yè)電池充電器和電源、電動(dòng)汽車(chē)車(chē)載充電器和DC-DC轉(zhuǎn)換器等應(yīng)用的擴(kuò)展過(guò)程中又邁出了一大步。

D2PAK-7L SiC FET支持大幅提高的開(kāi)關(guān)速度,通過(guò)開(kāi)爾文(Kelvin)源極連接改善了柵極驅(qū)動(dòng)器的回路性能,并具有業(yè)界領(lǐng)先的散熱能力。通過(guò)利用銀燒結(jié)技術(shù)(Ag Sintering),可以在常規(guī)PCB以及復(fù)雜的絕緣金屬基板(IMS)上完成管芯貼附。此外,它們具有出色的爬電距離(6.7mm)和電氣間隙能力(6.1mm),這意味著即使在更高電壓下也可以確保最高的操作安全性。

UnitedSiC宣布推出六款新型D2PAK-7L碳化硅FET

UnitedSiC工程副總裁Anup Bhalla表示:“這些最新FET由于具備快速開(kāi)關(guān)能力,再加上銀燒結(jié)技術(shù)帶來(lái)的卓越散熱性能,我們將能夠繼續(xù)為電源設(shè)計(jì)人員帶來(lái)性能、可靠性、尺寸和布局等方面的優(yōu)勢(shì)。”

UnitedSiC的 FET-Jet CalculatorTM完全支持新型D2PAK-7L器件,利用這一免費(fèi)的在線資源,工程師可以評(píng)估具體應(yīng)用所需的不同運(yùn)行參數(shù),進(jìn)行詳細(xì)的性能比較,然后可以迅速、放心地確定哪種是最適合具體設(shè)計(jì)要求的SiC解決方案。

新型650V D2PAK-7L SiC FET的單價(jià)(1000片起,美國(guó)離岸價(jià))從UF3C065080B7S的3.27美元到UF3SC065030B7S的7.54美元不等。對(duì)于1200V D2PAK-7L器件,單價(jià)為從UF3C120150B7S的3.10美元到UF3SC120040B7S的10.91美元。所有器件均可從UnitedSiC授權(quán)分銷(xiāo)商處購(gòu)買(mǎi)。

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