ROHM開發(fā)出實現(xiàn)超低導通電阻的新一代雙極MOSFET

全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)開發(fā)出內(nèi)置有2枚耐壓±40V和±60V的MOSFET且支持24V輸入的雙極MOSFET*1“QH8Mx5/SH8Mx5系列(Nch+Pch*2)”，非常適用于FA等工業(yè)設備和基站(冷卻風扇)的電機驅(qū)動。

近年來，為了支持工業(yè)設備和基站的電機所使用的24V輸入，MOSFET作為用于驅(qū)動的器件，需要具備考慮到電壓穩(wěn)定裕度的、40V和60V的耐壓能力。此外，為了進一步提高電機的效率并減小尺寸，對于MOSFET還提出了更低導通電阻和高速開關工作的要求。

在這種背景下，ROHM繼2020年年底發(fā)布的新一代Pch MOSFET*2之后，此次又開發(fā)出在Nch中融入新微細工藝的第6代40V和60V耐壓的MOSFET。通過這種組合，使ROHM在支持24V輸入的±40V和±60V耐壓級別擁有了業(yè)界先進的Nch+Pch雙極MOSFET產(chǎn)品。此外，為了滿足更廣泛的需求，ROHM還開發(fā)出+40V和+60V耐壓的“QH8Kxx / SH8Kxx系列(Nch+Nch)”，產(chǎn)品陣容已達12款。

本系列產(chǎn)品采用ROHM新工藝，實現(xiàn)了業(yè)界超低的導通電阻，±40V耐壓產(chǎn)品的導通電阻比普通產(chǎn)品低61%(雙極MOSFET的Pch部分比較)，有助于進一步降低各種設備的功耗。此外，通過將兩枚器件集成到一個封裝中，有助于通過減少安裝面積從而實現(xiàn)設備的小型化，還有助于減少器件選型(Nch和Pch的組合)的時間。

本系列產(chǎn)品已于2021年3月開始暫以月產(chǎn)100萬個的規(guī)模投入量產(chǎn)(樣品價格 250日元/個，不含稅)。另外，新產(chǎn)品也已開始電商銷售，可通過電商平臺Ameya360購買。

今后，ROHM還會面向要求更高耐壓的工業(yè)設備開發(fā)100V和150V耐壓產(chǎn)品，以擴大本系列產(chǎn)品的陣容，通過降低各種應用的功耗和實現(xiàn)其小型化來助力解決環(huán)境保護等社會問題。

<新產(chǎn)品特點>

1.實現(xiàn)業(yè)界超低導通電阻

在ROHM此次開發(fā)的業(yè)界先進的雙極MOSFET 中，采用了新工藝的、±40V耐壓的產(chǎn)品與普通產(chǎn)品相比，Pch部分的導通電阻降低多達61%，Nch部分的導通電阻也降低達39%，有助于降低各種設備的功耗。

2. 具備只有雙極MOSFET才有的特點，有助于實現(xiàn)設備的小型化和縮短設計周期

通過在一個封裝中內(nèi)置兩枚器件，有助于設備的小型化和減少器件選型的時間。在小型化方面，如果將以往的Nch+Pch雙極MOSFET(SOP8)替換成新產(chǎn)品(TSMT8)，安裝面積可減少75%。

<與預驅(qū)動器IC組合，可提供更出色的電機驅(qū)動解決方案>

通過將本產(chǎn)品與已具有豐碩實際應用業(yè)績的ROHM單相和三相無刷電機用預驅(qū)動器IC相結(jié)合，可以進一步考慮電機的小型化、低功耗和靜音驅(qū)動。通過為外圍電路設計提供雙極MOSFET系列和預驅(qū)動器IC相結(jié)合的綜合支持，為客戶提供滿足其需求且更出色的電機驅(qū)動解決方案。

組合示例

■QH8MC5(±60V耐壓Nch+Pch雙極MOSFET)和BD63001AMUV(三相無刷電機預驅(qū)動器IC)

■SH8KB6(+40V耐壓Nch+Nch雙極MOSFET)和BM62300MUV(三相無刷電機預驅(qū)動器IC)

■SH8KB6(+40V耐壓Nch+Nch雙極MOSFET)和BD63002AMUV(三相無刷電機預驅(qū)動器IC)等

<產(chǎn)品陣容>

Nch+Pch雙極MOSFET

Nch+Nch雙極MOSFET

<應用示例>

■FA設備、機器人等工業(yè)設備和基站用的風扇電機

■大型消費電子設備用的風扇電機

<術語解說>

*1) MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor的縮寫)

金屬-氧化物-半導體場效應晶體管，是FET中最常用的結(jié)構(gòu)。 用作開關元件。

*2) Pch MOSFET 和Nch MOSFET

Pch MOSFET：通過向柵極施加相對于源極為負的電壓而導通的MOSFET。

可用比低于輸入電壓低的電壓驅(qū)動，因此電路結(jié)構(gòu)較為簡單。

Nch MOSFET：通過向柵極施加相對于源極為正的電壓而導通的MOSFET。

相比Pch MOSFET，漏源間的導通電阻更小，因此可減少常規(guī)損耗。

*3) 導通電阻

使MOSFET啟動(ON)時漏極與源極之間的電阻值。該值越小，則運行時的損耗(電力損耗)越少。