史無前例！國(guó)內(nèi)芯片產(chǎn)能即將超越日本 進(jìn)入全球前三

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)已經(jīng)是高科技的制高點(diǎn)，各大國(guó)家及地區(qū)都在積極擴(kuò)張自己的半導(dǎo)體實(shí)力，其中半導(dǎo)體制造產(chǎn)能是重點(diǎn)。在這個(gè)領(lǐng)域，國(guó)內(nèi)的芯片產(chǎn)能今年有望超越日本，進(jìn)入世界前三。

半導(dǎo)體行業(yè)的權(quán)威機(jī)構(gòu)ICinsights日前發(fā)布了2021-2025年全球晶圓月產(chǎn)能報(bào)告，統(tǒng)計(jì)了2020年底全球各個(gè)國(guó)家及地區(qū)的芯片產(chǎn)能，其中按照歸屬地來算，比如三星在美國(guó)的工廠就算到美國(guó)產(chǎn)能中，在中國(guó)大陸的產(chǎn)能就會(huì)算到國(guó)內(nèi)產(chǎn)能中。

根據(jù)這個(gè)報(bào)告，截至2020年12月，全球芯片產(chǎn)能最高的是中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)，占全球21.4%的份額，第二位的是韓國(guó)，份額20.4%，這兩個(gè)地區(qū)遙遙領(lǐng)先。

其中臺(tái)灣地區(qū)的產(chǎn)能領(lǐng)先的主要是8英寸晶圓，12英寸晶圓產(chǎn)能中韓國(guó)公司還是略勝一籌，主要是三星、SK海力士的內(nèi)存、閃存芯片多數(shù)都使用12英寸晶圓，臺(tái)灣的臺(tái)積電、聯(lián)電等晶圓廠還有龐大的8英寸邏輯代工業(yè)務(wù)。

臺(tái)灣地區(qū)的芯片產(chǎn)能在2011年超越日本，2015年超越韓國(guó)，成為新的第一，預(yù)計(jì)到2025年依然會(huì)是全球第一，產(chǎn)能還會(huì)繼續(xù)增加140萬片等效8英寸晶圓/月。

在這個(gè)名單中，國(guó)內(nèi)的晶圓產(chǎn)能也在快速增加，2020年底的時(shí)候份額15.3%，略低于日本的15.8%，但是考慮到國(guó)內(nèi)晶圓廠建設(shè)力度是超強(qiáng)的，2021年國(guó)內(nèi)芯片產(chǎn)能超過日本毫無懸念，首次進(jìn)入世界前三。

國(guó)內(nèi)的晶圓產(chǎn)能在2010年超過歐洲，2019年超過北美，2020-2025年期間還會(huì)繼續(xù)增加份額，預(yù)計(jì)2025年可達(dá)19%，增加3.7百分點(diǎn)，而其他國(guó)家和地區(qū)的份額比例會(huì)下降。

這半年來全球半導(dǎo)體產(chǎn)能大缺貨，各大企業(yè)紛紛漲價(jià)，擴(kuò)張半導(dǎo)體產(chǎn)能已經(jīng)是迫在眉睫。

國(guó)內(nèi)現(xiàn)在也在大力投資半導(dǎo)體，很多人認(rèn)為國(guó)內(nèi)最缺的工藝是各種先進(jìn)工藝，比如14nm，7nm甚至5nm等，然而實(shí)際情況可能大出意外。

來自芯片行業(yè)的專業(yè)人士@芯謀研究顧文軍的消息稱，國(guó)內(nèi)現(xiàn)在最缺的不是28nm，也不是14nm，或者7nm工藝，而是55nm。

雖然產(chǎn)能緊張，但是28nm及更先進(jìn)的工藝實(shí)際上還有空余產(chǎn)能，55nm工藝今年全都滿了。

55nm工藝量產(chǎn)至少10多年了，在很多人看來已經(jīng)是非常落伍的工藝了，高性能計(jì)算市場(chǎng)當(dāng)然不會(huì)采用55nm工藝了，然而直到現(xiàn)在依然有很多芯片在用，特別是車載電子等工業(yè)產(chǎn)品中，工藝成熟、價(jià)格低廉是優(yōu)勢(shì)。

至于先進(jìn)工藝，國(guó)內(nèi)實(shí)際上已經(jīng)在快速追趕了，中芯國(guó)際的財(cái)報(bào)中顯示，完成了1.5萬塊晶圓的FinFET安裝產(chǎn)能目標(biāo)，第一代量產(chǎn)穩(wěn)步推進(jìn)，第二代進(jìn)入風(fēng)險(xiǎn)量產(chǎn)——中芯國(guó)際的N+1、N+2代工藝大概相當(dāng)于8nm、7nm的水平，今年也會(huì)試產(chǎn)了。

據(jù)中國(guó)臺(tái)灣媒體報(bào)道，半導(dǎo)體巨頭臺(tái)積電南京廠目前月產(chǎn)能已達(dá)成原定2萬片目標(biāo)，而之前依計(jì)劃擴(kuò)增南京廠產(chǎn)能，今年月產(chǎn)能已由1.5萬片擴(kuò)增至2萬片，制程技術(shù)以12nm及16nm為主。

此前有消息稱，臺(tái)積電決定啟動(dòng)南京廠第2期擴(kuò)建，并以28nm制程為主。對(duì)于這個(gè)消息，臺(tái)積電表示，目前南京廠尚無進(jìn)一步擴(kuò)產(chǎn)具體計(jì)劃。

臺(tái)積電財(cái)報(bào)顯示，臺(tái)積電南京廠去年即轉(zhuǎn)虧為盈，全年獲利新臺(tái)幣12.89億元(約合人民幣 2.97 億元)。隨著產(chǎn)能規(guī)模擴(kuò)大，今年前3季獲利擴(kuò)增至新臺(tái)幣91.29億元(約合人民幣21億元)。

此前還有媒體報(bào)道稱，為了保持領(lǐng)先，臺(tái)積電已經(jīng)下單訂購了至少13臺(tái)ASML的Twinscan NXE EUV光刻機(jī)，將會(huì)在2021年全年交付，不過具體的交付和安裝時(shí)間表尚不清楚。同時(shí)，明年臺(tái)積電實(shí)際需求的數(shù)量可能是高達(dá)16到17臺(tái)EUV光刻機(jī)。

目前，臺(tái)積電使用ASML的Twinscan NXE EUV光刻機(jī)在其N7+以及N5節(jié)點(diǎn)上制造芯片，但在未來幾個(gè)季度，該公司將增加N6(實(shí)際上將在2020年第四季度或2021年第一季度進(jìn)入HVM)以及同樣具有EUV層的N5P工藝。臺(tái)積電對(duì)EUV工具的需求正在增加是因?yàn)槠浼夹g(shù)越來越復(fù)雜，更多地方需要使用極紫外光刻工具處理。臺(tái)積電的N7+使用EUV來處理最多4層，以減少制造高度復(fù)雜的電路時(shí)多圖案技術(shù)的使用。