全球首款首款HKMG DDR5內(nèi)存：三星將在不久后開始量產(chǎn)768GB

三星電子昨天公布了其2021年第二季度的收益。該公司整體表現(xiàn)良好，其內(nèi)存業(yè)務(wù)也不例外。該公司預(yù)計(jì)該部門將持續(xù)增長，尤其是針對高端服務(wù)器和高性能計(jì)算(HPC)市場的DRAM產(chǎn)品。這就是為什么三星一直在推動其用于此類用途的高密度內(nèi)存模塊，該公司最近發(fā)布了業(yè)界首個512GB DDR5 DRAM模塊，從任何角度看都是一個真正的高容量解決方案。

但事實(shí)證明，這家韓國巨頭可能還不滿足，因?yàn)樗?jì)劃在不久的將來的某個時候更進(jìn)一步，生產(chǎn)768GB DDR5模塊，也就是使用24Gb DRAM芯片。這可以從該公司的財(cái)報(bào)電話記錄中推斷出來，其中一位三星代表提到，該公司正在 "開發(fā)一個最大的24Gb DDR5產(chǎn)品"。他還補(bǔ)充說，這家科技巨頭正在為即將推出的英特爾Alder Lake處理器提供14納米DDR5產(chǎn)品的樣品，這些處理器預(yù)計(jì)將在今年晚些時候推出，可能是在10月27-28日的英特爾創(chuàng)新活動上。

三星電子近日宣布，正在研發(fā)單顆 24GB 的 DDR5 內(nèi)存顆粒，用于滿足企業(yè)用戶的需求，尤其是云數(shù)據(jù)中心等客戶。使用 32 顆這種顆粒制造的內(nèi)存條，可以實(shí)現(xiàn)單條 768GB 的容量，能夠?yàn)榉?wù)器大幅提高內(nèi)存容量。

三星此前展示過單條 512GB 的 RDIMM 服務(wù)器內(nèi)存條原型，其使用 32 片 16GB 顆粒。

外媒表示，三星的 24GB DDR5 內(nèi)存顆粒可能使用 8-Hi 疊層工藝制造。目前最新的的服務(wù)器 CPU、工作站 CPU 大都具備 8 條內(nèi)存通道，如果單條 768GB DDR5 內(nèi)存得以應(yīng)用，每通道使用兩條，共計(jì) 16 條內(nèi)存可以實(shí)現(xiàn)單 CPU 高達(dá) 12TB 的內(nèi)存容量。

了解到，目前三星的 16GB 內(nèi)存顆?？梢詫?shí)現(xiàn)量產(chǎn)，但是 24GB 內(nèi)存顆粒還需要一段時間才能研發(fā)成功。除此之外，三星還公布了 EUV 工藝的最新進(jìn)展，并表示自家最新的 14nm 制程是同級別的最先進(jìn)的工藝，預(yù)計(jì)將會于下半年使用 EUV 工藝，制造 5 層層疊式 16GB DDR5 DRAM 內(nèi)存芯片。

三星表示，該內(nèi)存是業(yè)界首個基于High-K Metal Gate(HKMG)工藝技術(shù)的512GB內(nèi)存，容量、性能、功耗均有較大幅度提升，可以滿足超級計(jì)算機(jī)、機(jī)器學(xué)習(xí)、人工智能等方面需求，而且低功耗的特性更符合對于能源效率要求較高的數(shù)據(jù)中心。遺憾的是，三星這款DDR5產(chǎn)品目前僅面向服務(wù)器領(lǐng)域，消費(fèi)級市場還要再等一等。

2020年7月，JEDEC正式公布了DDR5標(biāo)準(zhǔn)，起步頻率4800MHz。上一代DDR4內(nèi)存，巔峰頻率也只有4266MHz。再加上實(shí)際帶寬可提高87%，電壓降低至1.1V，更改時序和超頻更簡單，DDR5的性能全方位領(lǐng)先DDR4。

三星開發(fā)出了全球首款基于HKMG技術(shù)的DDR5內(nèi)存，單條容量最高可達(dá)512GB，功耗降低13%，頻率可達(dá)7200MHz，是普通DDR4的兩倍。

三星利用TSV硅穿孔技術(shù)實(shí)現(xiàn)8層堆疊，以確保低功耗和高質(zhì)量的信號傳輸，單顆DRAM芯片容量為16Gb， 512GB的DDR5內(nèi)存模組總共需要32顆。新的DDR5內(nèi)存的性能比DDR4內(nèi)存提高了一倍，最高可達(dá)7200Mbps的傳輸速率，也就是7200MHz頻率，可以滿足超算、AI和機(jī)器學(xué)習(xí)等領(lǐng)域的計(jì)算要求。

事實(shí)上，這不是三星第一次使用HKMG工藝，早在2018年就該工藝開始應(yīng)用在GDDR6顯存上。三星表示，通過擴(kuò)大HKMG工藝的應(yīng)用，三星進(jìn)一步鞏固了其在下一代DRAM(Dynamic Random Access Memory，動態(tài)隨機(jī)存取存儲器)技術(shù)中的領(lǐng)導(dǎo)地位。

三星電子DRAM部門副總裁Young-Soo Sohn表示：“三星是目前唯一一家能夠使用HKMG制造內(nèi)存芯片的半導(dǎo)體廠商。通過將這種創(chuàng)新工藝引入到DRAM制造，我們可以為客戶提供高性能、高能效的內(nèi)存解決方案，為醫(yī)學(xué)研究、金融市場、自動駕駛、智慧城市以及其他領(lǐng)域所需的應(yīng)用提供動力?！?

7月29日消息，全球第二大獨(dú)立內(nèi)存模組制造商美國世邁科技近日發(fā)布了全新的工業(yè)級DDR5內(nèi)存條，這是目前首批針對工業(yè)環(huán)境設(shè)計(jì)的DDR5內(nèi)存，相比民用產(chǎn)品擁有更高的可靠性，能夠在多種惡劣條件下穩(wěn)定運(yùn)行。

該產(chǎn)品能夠在寬溫環(huán)境下運(yùn)行，范圍達(dá) -40°C~+85°C。每款產(chǎn)品經(jīng)過專門的測試流程，使用定制的老化設(shè)備進(jìn)行測試。具體來看，測試時從 -40°C 開始，緩緩升溫至 85°C，這期間軟件一直給內(nèi)存條提供高壓讀寫測試。

世邁公司產(chǎn)品營銷總監(jiān)表示，這款工業(yè)級 DDR5 內(nèi)存條擁有保護(hù)涂層、抗硫工藝等特性，確保產(chǎn)品在最惡劣的環(huán)境下都能可靠運(yùn)行。

了解到，世邁此款 DDR5 內(nèi)存條提供 16GB、32GB、64GB 的普通版本，以及 8GB、16GB、32GB 容量的 ECC 版本。為了保證接觸穩(wěn)定性，官方還提供了內(nèi)存固定夾，可以牢牢將內(nèi)存與接口鎖定，適用于特殊的劇烈振動場景。