Microchip推出首款通過航空航天認(rèn)證的無基座電源模塊產(chǎn)品系列，提高飛機(jī)電氣系統(tǒng)效率

為減少飛機(jī)排放，開發(fā)人員越來越傾向于采用更有效的設(shè)計(jì)，使用電氣系統(tǒng)取代當(dāng)前為機(jī)載交流發(fā)電機(jī)、執(zhí)行器和輔助動(dòng)力裝置(APU)提供動(dòng)力的氣動(dòng)和液壓系統(tǒng)。為實(shí)現(xiàn)下一代飛機(jī)電氣系統(tǒng)，需要新的電源轉(zhuǎn)換技術(shù)。Microchip Technology Inc.(美國(guó)微芯科技公司)今日宣布與由歐盟委員會(huì)(EC)和業(yè)界聯(lián)合組成的Clean Sky聯(lián)盟共同開發(fā)出首款符合航空標(biāo)準(zhǔn)的無基座電源模塊，旨在實(shí)現(xiàn)更高效、更輕便、更緊湊的電源轉(zhuǎn)換和電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)。

Microchip的BL1、BL2和BL3系列無基座電源模塊與Clean Sky聯(lián)盟合作開發(fā)，通過集成碳化硅功率半導(dǎo)體技術(shù)，提高交流-直流和直流-交流電源轉(zhuǎn)換和發(fā)電效率，支持歐盟制定的嚴(yán)格排放標(biāo)準(zhǔn)，在2050年前實(shí)現(xiàn)航空業(yè)氣候中立目標(biāo)。由于采用了改良的基材，這款創(chuàng)新設(shè)計(jì)比其他同類產(chǎn)品輕40%，成本較采用金屬底板的標(biāo)準(zhǔn)電源模塊低10%。Microchip的BL1、BL2和BL3器件符合RTCA DO-160G《機(jī)載設(shè)備環(huán)境條件和測(cè)試程序》G版(2010年8月)中規(guī)定的所有機(jī)械和環(huán)境合規(guī)要求。RTCA是一個(gè)就關(guān)鍵航空現(xiàn)代化問題制訂規(guī)則的行業(yè)聯(lián)盟。

新推出的系列模塊采用扁平、低電感封裝，帶有電源和信號(hào)連接器，設(shè)計(jì)人員可以直接焊接在印刷電路板上，有助于加快開發(fā)速度并提高可靠性。此外，該系列模塊之間的高度相同，可以將它們并聯(lián)或連接成三相橋和其他拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，從而制造更高性能的電源轉(zhuǎn)換器和逆變器。

Microchip分立產(chǎn)品業(yè)務(wù)部副總裁Leon Gross表示："Microchip強(qiáng)大的新模塊將有助于推動(dòng)飛機(jī)電氣化的創(chuàng)新，并最終朝著更低排放的未來邁進(jìn)。這是一項(xiàng)為開創(chuàng)飛行新時(shí)代的系統(tǒng)提供賦能的新技術(shù)。"

該系列模塊采用了碳化硅MOSFET和肖特基勢(shì)壘二極管(SBD)，以最大限度地提高系統(tǒng)效率。BL1、BL2和BL3系列的封裝可提供100W到10 KW以上功率，有許多拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)供選擇，包括相位腳、全橋、不對(duì)稱橋、升壓、降壓和雙共源。這些高可靠性電源模塊支持的電壓范圍從碳化硅MOSFET和IGBT的600V到1200V，直至整流二極管的1600V。

Microchip的電源模塊技術(shù)以及其通過ISO 9000和AS9100認(rèn)證的制造設(shè)施可利用靈活的制造方案，提供高質(zhì)量的產(chǎn)品。

在引入新創(chuàng)新的同時(shí)，Micrchip還與系統(tǒng)制造商和集成商合作進(jìn)行老化管理，幫助客戶最大限度地減少重新設(shè)計(jì)工作并延長(zhǎng)生命周期，從而降低系統(tǒng)總成本。

Microchip致力于為設(shè)計(jì)人員提供各種航空航天和國(guó)防應(yīng)用的整體系統(tǒng)解決方案。無基座電源模塊進(jìn)一步完善了Microchip旗下電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制器、存儲(chǔ)集成電路、現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列(FPGA)、單片機(jī)(MCU)、存儲(chǔ)器保護(hù)單元(MPU)、計(jì)時(shí)產(chǎn)品、半導(dǎo)體和負(fù)載點(diǎn)穩(wěn)壓器等航空航天產(chǎn)品組合。Microchip還為航空航天、汽車和工業(yè)應(yīng)用提供完整的碳化硅技術(shù)解決方案產(chǎn)品。

供貨

Microchip的BL1、BL2和BL3無基座電源模塊輸出功率規(guī)格包括75A和145A碳化硅MOSFET，以及50A的IGBT和90A整流二極管。