電池充放電管理PCM保護(hù)板功率MOSFET應(yīng)用(1)
0、前言
鋰離子電池包的內(nèi)部,電芯和輸出負(fù)載之間要串聯(lián)功率MOSFET,使用專用的IC控制MOSFET的開關(guān),從而對電芯的充、放電進(jìn)行管理,如圖1所示。在消費(fèi)電子系統(tǒng)中,如手機(jī)電池包,筆記本電腦電池包等,帶有控制IC、功率MOSFETFE管以及其他電子元件的電路系統(tǒng)稱為電池充放電保護(hù)板Protection Circuit Module (PCM),而對于動力電池的電池管理系統(tǒng),則稱為Battery Management System (BMS)。
圖1:電池充放電保護(hù)板電路結(jié)構(gòu)?在電池充放電保護(hù)板PCM中,充、放電分別使用一顆功率MOSFET,背靠背的串聯(lián)起來。功率MOSFET管背靠背的串聯(lián)的方式有二種:一種是二顆功率MOSFET的漏極連接在一起;另一種是二顆功率MOSFET的源極連接在一起。功率MOSFET管放置的位置也有二種方式:一種是二顆功率MOSFET放在電池的負(fù)端,也就是所謂的“地端”、低端(Low Side);另一種是二顆功率MOSFET放在電池的正端,高端(High Side)。功率MOSFET背靠背連接的不同方式、以及放在不同的位置,都有各自的優(yōu)缺點,對應(yīng)著系統(tǒng)的不同要求。
PCM需要低的導(dǎo)通電阻,同時要控制成本,通常采用N溝道的功率MOSFET。P溝道的功率MOSFET放在高端驅(qū)動簡單靈活,有少量的應(yīng)用也會采用P溝道MOSFET。但是,P溝道MOSFET的導(dǎo)通電阻很難做低,成本高,選型的型號和供應(yīng)廠家也受限,因此,N溝道的功率MOSFET依然是主流的方案。
如果功率MOSFET有非常嚴(yán)格的體積和尺寸的要求,需要將二個功率MOSFET集成到一個芯片上,由于通用的功率MOSFET是垂直結(jié)構(gòu),襯底是漏極D,因此,使用漏極的背靠背結(jié)構(gòu)就可以采用這樣工藝。采用水平(橫向)結(jié)構(gòu)的功率MOSFET,可以使用漏極、或源極的背靠背結(jié)構(gòu),但是,水平結(jié)構(gòu)的功率MOSFET導(dǎo)通電阻很難做低,做低導(dǎo)通電阻成本也高。
1、背靠背功率MOSFET配置方式及工作原理
1.1 地端、漏極背靠背的工作原理
充、放電管理的二顆N溝道的功率MOSFET放在地端,漏極背靠背連接在一起,是PCM常用的方案之一,如圖2所示。其中,Q1為電池放電的功率MOSFET,Q2為電池充電的功率MOSFET,B 為電池(電芯)的正端,B-為電池(電芯)的負(fù)端,P 為電池包的正端,P-為電池包的負(fù)端,VSS為電池保護(hù)管理IC的地,電池的負(fù)端、VSS和Q1的源極連接在一起。PCM電路板工作前,Q1、Q2都是關(guān)斷的。
圖2:功率MOSFETFE放地端、漏極背靠背電路圖
(1)充電充電的時候,控制IC給出充電功率MOSFET管Q2的柵極驅(qū)動信號CO,Q2柵極驅(qū)動信號路徑為:外部充電電路的正端->P ->B ->R1->VDD->CO驅(qū)動輸出->Q1柵極->Q1源極->P-->外部充電電路的負(fù)端,形成完整的驅(qū)動回路,Q2開通,如圖3所示。
圖3:充電,CO輸出Q2的驅(qū)動信號
Q2開通后,充電電流的路徑為:P ->B ->B-->Q1體內(nèi)寄生二極管->Q2溝道->P-,電池就可以充電,如圖4所示。
圖4:Q2導(dǎo)通的充電回路
為了減小Q1的損耗,Q2開通后,控制IC給出放電功率MOSFET管Q1的柵極驅(qū)動信號DO開通Q1,Q1的導(dǎo)通電阻RDSON低,導(dǎo)通損耗遠(yuǎn)低于體內(nèi)寄生二級管的損耗,從而提高充電的效率。Q1驅(qū)動信號路徑為:VDD->DO驅(qū)動輸出->Q1柵極->Q1源極->B-->VSS,形成完整的驅(qū)動回路,Q1開通,如圖5所示。
圖5:充電,Q2導(dǎo)通后,DO輸出Q1的驅(qū)動信號?Q2、Q1同時處于導(dǎo)通狀態(tài),充電電流的路徑為:P ->B ->B-->Q1溝道->Q2溝道->P-,如圖6所示。
圖6:Q2、Q1導(dǎo)通的充電回路
(2)放電放電的時候,控制IC給出放電功率MOSFET管Q1的柵極驅(qū)動信號DO,Q1柵極驅(qū)動信號路徑為:VDD->DO驅(qū)動輸出->Q1柵極->Q1源極->B-->VSS,形成完整的驅(qū)動回路,就可以打開Q1,如圖7所示。
圖7:放電,DO輸出Q1的驅(qū)動信號
Q1開通后,放電的電流路徑為:P-->Q2體內(nèi)寄生二極管->Q1溝道->B-->B ->P ,電池就可以放電,如圖8所示。
圖8:Q1開通的放電回路?為了減小Q2的損耗,Q1開通后,控制IC給出充電功率MOSFET管Q2的柵極驅(qū)動信號CO開通Q2,Q2的導(dǎo)通電阻RDSON低,導(dǎo)通損耗遠(yuǎn)低于體內(nèi)寄生二級管的損耗,從而提高電池使用的時間。Q2驅(qū)動信號路徑為:VDD->CO驅(qū)動輸出->Q2柵極->Q2源極->Q2體內(nèi)寄生二極管->Q1溝道->B-->VSS,形成完整的驅(qū)動回路,Q2開通,如圖9所示。
圖9:放電,Q1導(dǎo)通后,CO輸出Q2的驅(qū)動信號?Q1、Q2同時處于導(dǎo)通狀態(tài),放電電流的路徑為:P-->Q2溝道->Q1溝道->B-->B ->P ,如圖10所示。
圖10:Q1、Q2導(dǎo)通的放電回路?1.2 地端、源極背靠背
N溝道的二顆功率MOSFET源極背靠背連接在一起,放在地端,如圖11所示,這種結(jié)構(gòu)在PCM里面應(yīng)用較少,在一些負(fù)載開關(guān)以及通信系統(tǒng)的熱插拔電路中,才有使用。
圖11:功率MOSFET源極背靠背連接?1. 3 高端、漏極背靠背的工作原理
充、放電管理的二顆N溝道的功率MOSFET放在電源端,也就是高端,漏極背靠背連接在一起,也是是PCM常用的方案之一,如圖12所示。其中,Q1為電池放電的功率MOSFET,Q2為電池充電的功率MOSFET。
N溝道的二顆功率MOSFET放在高端,MOSFET開通時,柵極G的電壓要高于源極S的電壓,源極S的電壓為輸入電源電壓,因此,需要二個的充電泵,疊加在輸入電源電壓(MOSFET的源極S)上,對它們進(jìn)行浮驅(qū)。
圖12:功率MOSFETFE放在高端,漏極背靠背?1.4 高端、源極背靠背的工作原理
充、放電管理的二顆N溝道的功率MOSFET放在電源端,也就是高端,源極背靠背連接在一起,如圖13所示。N溝道的二顆功率MOSFET共源極,因此,只需要一個的充電泵,就可以對它們進(jìn)行浮驅(qū),這種結(jié)構(gòu)應(yīng)用于一些負(fù)載開關(guān),如筆記本電腦內(nèi)部輸入電源電壓的負(fù)載開關(guān)。
圖13:功率MOSFETFE放在高端,源極背靠背?2、大電流多管并聯(lián)
目前,為了提高電子系統(tǒng)的使用時間和待機(jī)時間,電池的容量越來越大,如3000mAh到5000mAh,甚至更大,為了縮短充電時間,提高充電的速度,通常使用快充,也就是使用更大的充電電流,如4A、5A、6A,甚至高到8A,對電池充電,這樣PCM內(nèi)部功率MOSFET的功耗非常大,溫度非常高。為了降低功率MOSFET的溫升,滿足熱設(shè)計的要求,保證功率MOSFET可靠運(yùn)行,就會使用二個或多個功率MOSFET并聯(lián)工作,如圖14所示。
圖14:大電流多管并聯(lián)?3、冗余設(shè)計
根據(jù)安規(guī)LPS要求,如果PCM內(nèi)部的功率MOSFET發(fā)生損壞而短路,那么接上充電器,輸入電壓直接加在電池上,可能發(fā)生危險。為了提高系統(tǒng)的安全,可以再串聯(lián)一組背靠背的功率MOSFET,或使用其他的方案,形成冗余設(shè)計,當(dāng)一級保護(hù)失效后,還有另一級保護(hù),如圖15、圖16、圖17、圖18所示。
圖15:二組功率MOSFET,一組放在高端,一組放在低端
圖16:二組功率MOSFET放在低端
圖17:功率MOSFET放在高端,電子保險絲
圖18:功率MOSFET放在低端,電子保險絲
-- 未完待續(xù),第二部內(nèi)容見下期。
吸鐵石,鋼鞭和金锏