Intel?4工藝Meteor?Lake?14代酷睿晶圓首秀：2023年發(fā)布
[導(dǎo)讀]Intel前天宣布了全新的工藝路線圖，一個最核心的變化就是改名：10nmEnhancedSuperFin改名為Intel7，7nm改名為Intel4，未來還有Intel3，以及全新晶體管架構(gòu)的Intel20A、Intel18A。Intel表示，此前的工藝節(jié)點命名規(guī)則始于1997年...
Intel前天宣布了全新的工藝路線圖，一個最核心的變化就是改名：10nm Enhanced SuperFin改名為Intel 7，7nm改名為Intel 4，未來還有Intel 3，以及全新晶體管架構(gòu)的Intel 20A、Intel 18A。
Intel表示，此前的工藝節(jié)點命名規(guī)則始于1997年，都是以實際的柵極寬度來定義(xxnm)，但是近些年來，工藝命名和柵極寬度已經(jīng)不匹配，因此Intel啟用了新的命名方式，便于產(chǎn)業(yè)、客戶、消費者理解。
Intel 7工藝號稱能耗比相對于10nm SuperFin提升大約10-15％，今年底的Alder Lake 12代酷睿首發(fā)，明年第一季度還有Sapphire Rapids四代可擴(kuò)展至強(qiáng)。
Intel 4工藝全面引入EUV極紫外光刻，能效比再提升大約20％，明年下半年投產(chǎn)，2023年產(chǎn)品上市。
首發(fā)消費級產(chǎn)品是Meteor Lake，已在今年第二季度完成計算單元的六篇，數(shù)據(jù)中心產(chǎn)品則是Granite Rapids。
Meteor Lake預(yù)計將隸屬于14代酷睿家族，它之前還有一代Raptor Lake，后者也是Intel 7工藝。
今天的會議上，Intel也首次展示了Meteor Lake的測試晶圓，除了新工藝還有Foveros 3D立體封裝。
這一代，也將是Intel消費級處理器第一次放棄完整的單顆芯片，引入不同工藝、不同IP的模塊，借助新的封裝技術(shù)，整合在一起。
再往后，Intel 3工藝進(jìn)一步優(yōu)化FinFET、提升EUV，能效比繼續(xù)提升大約18％，還有面積優(yōu)化，2023年下半年投產(chǎn)。
它也是最后一代FinFET晶體管，2011年的22nm二代酷睿Ivy Bridge第一次引入。
之后就是后納米時代了，工藝命名又改了新的規(guī)則，首先是Intel 20A，擁有兩項革命性技術(shù)，RibbonFET就是類似三星的GAA環(huán)繞柵極晶體管，PoerVia則首創(chuàng)取消晶圓前側(cè)的供電走線，改用后置供電，也可以優(yōu)化信號傳輸。2024年投產(chǎn)。
接下來是Intel 18A，預(yù)計2025年初投產(chǎn)，繼續(xù)強(qiáng)化RibbonFET，還有下一代高NA EUV光刻，與ASML合作。
RibbonFET晶體管
PowerVia
傳統(tǒng)晶圓(左)、Powervia晶圓(右)供電和信號走線對比：圖片上方對應(yīng)晶圓前側(cè)
END
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Intel表示，此前的工藝節(jié)點命名規(guī)則始于1997年，都是以實際的柵極寬度來定義(xxnm)，但是近些年來，工藝命名和柵極寬度已經(jīng)不匹配，因此Intel啟用了新的命名方式，便于產(chǎn)業(yè)、客戶、消費者理解。
Intel 7工藝號稱能耗比相對于10nm SuperFin提升大約10-15％，今年底的Alder Lake 12代酷睿首發(fā)，明年第一季度還有Sapphire Rapids四代可擴(kuò)展至強(qiáng)。
Intel 4工藝全面引入EUV極紫外光刻，能效比再提升大約20％，明年下半年投產(chǎn)，2023年產(chǎn)品上市。
首發(fā)消費級產(chǎn)品是Meteor Lake，已在今年第二季度完成計算單元的六篇，數(shù)據(jù)中心產(chǎn)品則是Granite Rapids。
Meteor Lake預(yù)計將隸屬于14代酷睿家族，它之前還有一代Raptor Lake，后者也是Intel 7工藝。
今天的會議上，Intel也首次展示了Meteor Lake的測試晶圓，除了新工藝還有Foveros 3D立體封裝。
這一代，也將是Intel消費級處理器第一次放棄完整的單顆芯片，引入不同工藝、不同IP的模塊，借助新的封裝技術(shù)，整合在一起。
再往后，Intel 3工藝進(jìn)一步優(yōu)化FinFET、提升EUV，能效比繼續(xù)提升大約18％，還有面積優(yōu)化，2023年下半年投產(chǎn)。
它也是最后一代FinFET晶體管，2011年的22nm二代酷睿Ivy Bridge第一次引入。
之后就是后納米時代了，工藝命名又改了新的規(guī)則，首先是Intel 20A，擁有兩項革命性技術(shù)，RibbonFET就是類似三星的GAA環(huán)繞柵極晶體管，PoerVia則首創(chuàng)取消晶圓前側(cè)的供電走線，改用后置供電，也可以優(yōu)化信號傳輸。2024年投產(chǎn)。
接下來是Intel 18A，預(yù)計2025年初投產(chǎn)，繼續(xù)強(qiáng)化RibbonFET，還有下一代高NA EUV光刻，與ASML合作。
RibbonFET晶體管
PowerVia
傳統(tǒng)晶圓(左)、Powervia晶圓(右)供電和信號走線對比：圖片上方對應(yīng)晶圓前側(cè)
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