新方案發(fā)布 | 創(chuàng)新的超高密度離線電源方案
[導讀]點擊藍字?關注我們安森美半導體(ONSemiconductor，美國納斯達克上市代號：ON)，推出業(yè)界首款專用臨界導通模式(CrM)?圖騰柱PFC控制器，是公司超高密度離線電源方案集的新成員。在傳統(tǒng)的PFC電路中，整流橋二極管在240W電源中的損耗約4W，占總損耗的20%左右。相...
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安森美半導體 (ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ON)，推出業(yè)界首款專用臨界導通模式 (CrM)?圖騰柱PFC控制器，是公司超高密度離線電源方案集的新成員。
在傳統(tǒng)的PFC電路中，整流橋二極管在240 W電源中的損耗約4 W，占總損耗的20%左右。相比之下，PFC級的能效通常為97%，LLC電路實現(xiàn)類似的性能。然而，用“圖騰柱”配置的開關取代有損耗的二極管，并拉入升壓PFC功能，可減少電橋損耗，顯著提高整體能效。此外，NCP1680可適用于任何開關類型，無論是超級結硅MOSFET還是碳化硅 (SiC)?或氮化鎵 (GaN)?等寬禁帶開關。
新的 NCP1680 CrM 圖騰柱 PFC 控制器采用新穎的電流限制架構和線路相位檢測，同時結合經驗證的控制算法，提供高性價比的圖騰柱 PFC方案，而不影響性能。該 IC 的核心是內部補償數(shù)字環(huán)路控制。該創(chuàng)新器件采用含谷底開關的恒定導通時間 CrM 架構。由于內置非連續(xù)導通模式 (DCM)，在頻率返走工作期間谷底同步導通，因此可滿足現(xiàn)代能效標準，包括那些要求在輕載下提供高能效的標準。
該高度集成的器件可使電源設計在通用電源 (90 至 265 Vac)?下以高達350 W的建議功率水平工作。在 230 Vac 電源輸入下，基于 NCP1680 的 PFC 電路能夠在 300 W實現(xiàn)近 99% 的能效。在外部只需幾個簡單的器件即可實現(xiàn)全功能圖騰柱 PFC，從而節(jié)省空間和器件成本。進一步減少器件數(shù)，實現(xiàn)逐周期電流限制，無需霍爾效應傳感器。
NCP1680采用小型SOIC-16封裝，也可作為評估平臺的一部分，支持快速開發(fā)和調試先進的圖騰柱PFC設計。
根據(jù)圖騰柱開關技術中，當中包括了高速半橋和低速半橋兩路，其中在高速半橋上，NCP1680 可與 NCP51820 半橋 GaN 高電子遷移率晶體管 (HEMT)?門極驅動器或 NCP51561 隔離型 SiC MOSFET 門極驅動器一起使用。NCP51561 是隔離型雙通道門極驅動器，具有 4.5 A 源電流和 9 A 灌電流峰值能力。新器件適用于硅功率 MOSFET 和基于 SiC 的 MOSFET 器件的快速開關，提供短且匹配的傳播延遲。兩個獨立的 5 kVRMS (UL1577 級)?電隔離門極驅動器通道可用作兩個下橋、兩個上橋開關或一個半橋驅動器，具有可編程的死區(qū)時間。一個使能引腳將同時關斷兩個輸出，且 NCP51561 提供其他重要的保護功能，如用于兩個門極驅動器的獨立欠壓鎖定 (UVLO) 和使能功能。
安森美半導體提供陣容廣泛的 SiC MOSFET，它們比硅 MOSFET 提供更高能效。低導通電阻 (RDS(on)) 和小巧的芯片尺寸確保低電容和門極電荷 (Qg)，以在更小的系統(tǒng)尺寸中提供最高的能效，從而提高功率密度。安森美半導體已發(fā)布采用 TO-247-4L 和 D2PAK-7L 封裝的 650 V SiC MOSFET，并將繼續(xù)猛增該產品系列。此外，安森美半導體提供完整的硅基 650 V SUPERFET? III MOSFET 產品組合。
安森美半導體 (ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ON)，推出業(yè)界首款專用臨界導通模式 (CrM)?圖騰柱PFC控制器，是公司超高密度離線電源方案集的新成員。
在傳統(tǒng)的PFC電路中，整流橋二極管在240 W電源中的損耗約4 W，占總損耗的20%左右。相比之下，PFC級的能效通常為97%，LLC電路實現(xiàn)類似的性能。然而，用“圖騰柱”配置的開關取代有損耗的二極管，并拉入升壓PFC功能，可減少電橋損耗，顯著提高整體能效。此外，NCP1680可適用于任何開關類型，無論是超級結硅MOSFET還是碳化硅 (SiC)?或氮化鎵 (GaN)?等寬禁帶開關。
新的 NCP1680 CrM 圖騰柱 PFC 控制器采用新穎的電流限制架構和線路相位檢測，同時結合經驗證的控制算法，提供高性價比的圖騰柱 PFC方案，而不影響性能。該 IC 的核心是內部補償數(shù)字環(huán)路控制。該創(chuàng)新器件采用含谷底開關的恒定導通時間 CrM 架構。由于內置非連續(xù)導通模式 (DCM)，在頻率返走工作期間谷底同步導通，因此可滿足現(xiàn)代能效標準，包括那些要求在輕載下提供高能效的標準。
該高度集成的器件可使電源設計在通用電源 (90 至 265 Vac)?下以高達350 W的建議功率水平工作。在 230 Vac 電源輸入下，基于 NCP1680 的 PFC 電路能夠在 300 W實現(xiàn)近 99% 的能效。在外部只需幾個簡單的器件即可實現(xiàn)全功能圖騰柱 PFC，從而節(jié)省空間和器件成本。進一步減少器件數(shù)，實現(xiàn)逐周期電流限制，無需霍爾效應傳感器。
NCP1680采用小型SOIC-16封裝，也可作為評估平臺的一部分，支持快速開發(fā)和調試先進的圖騰柱PFC設計。
根據(jù)圖騰柱開關技術中，當中包括了高速半橋和低速半橋兩路，其中在高速半橋上，NCP1680 可與 NCP51820 半橋 GaN 高電子遷移率晶體管 (HEMT)?門極驅動器或 NCP51561 隔離型 SiC MOSFET 門極驅動器一起使用。NCP51561 是隔離型雙通道門極驅動器，具有 4.5 A 源電流和 9 A 灌電流峰值能力。新器件適用于硅功率 MOSFET 和基于 SiC 的 MOSFET 器件的快速開關，提供短且匹配的傳播延遲。兩個獨立的 5 kVRMS (UL1577 級)?電隔離門極驅動器通道可用作兩個下橋、兩個上橋開關或一個半橋驅動器，具有可編程的死區(qū)時間。一個使能引腳將同時關斷兩個輸出，且 NCP51561 提供其他重要的保護功能，如用于兩個門極驅動器的獨立欠壓鎖定 (UVLO) 和使能功能。
安森美半導體提供陣容廣泛的 SiC MOSFET，它們比硅 MOSFET 提供更高能效。低導通電阻 (RDS(on)) 和小巧的芯片尺寸確保低電容和門極電荷 (Qg)，以在更小的系統(tǒng)尺寸中提供最高的能效，從而提高功率密度。安森美半導體已發(fā)布采用 TO-247-4L 和 D2PAK-7L 封裝的 650 V SiC MOSFET，并將繼續(xù)猛增該產品系列。此外，安森美半導體提供完整的硅基 650 V SUPERFET? III MOSFET 產品組合。
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