[導讀]點擊上方藍字關注我們！電路隔離也稱為電流隔離，可防止直流(DC)和干擾交流(AC)信號從系統(tǒng)的一個區(qū)域傳遞到需要保護的另一區(qū)域。隔離的其中一個用途是，通過防止高頻噪聲的傳播來保持系統(tǒng)的信號完整性，保護敏感電路受高壓浪涌和尖峰的影響，并為操作人員提供安全保障。簡介德州儀器(TI)最...
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電路隔離也稱為電流隔離，可防止直流 (DC) 和干擾交流 (AC)信號從系統(tǒng)的一個區(qū)域傳遞到需要保護的另一區(qū)域。
隔離的其中一個用途是，通過防止高頻噪聲的傳播來保持系統(tǒng)的信號完整性，保護敏感電路受高壓浪涌和尖峰的影響，并為操作人員提供安全保障。
簡介德州儀器 (TI) 最新開發(fā)的制造工藝可在電容電路中提供增強的信號隔離，該電容電路使用二氧化硅(SiO2)（一種基本的片上絕緣）作為電介質。該工藝是 TI 用于保護高壓、高頻信號傳遞、基于電容器的第二代集成增強型隔離技術。采用這種工藝生產的產品性能可靠，具有防震保護和增強型隔離性，這相當于在單個裝中提供了兩個基本型級別的隔離。
本技術簡介詳細討論了 TI 基于電容器的增強型信號隔離。該簡介運用大量的器件表征和測試數據來展示該工藝和相關器件是如何達到或超出增強型隔離的規(guī)范。
1.實現(xiàn)高壓隔離
高壓 (HV) 隔離可通過使用兩個（在隔離柵的每側各使用一個）串聯(lián)的厚 SiO2 電容器實現(xiàn)。
高壓電容采用高性能模擬工藝制造，并封裝在多芯片 SOIC 模塊中。晶圓制造工藝是一種在金屬之間形成高壓電容的多層級金屬工藝，如圖 1 所示。只需通過使用標準的層間電介質層，該結構即可實現(xiàn)高壓隔離所需的 SiO2 厚度。這種多層結構減少了高壓性能對任何單一介電層依賴，從而可提高質量和可靠性。圖 1. 高壓電容。使用這種隔離電容技術的多芯片模塊如圖 2 所示。發(fā)送器和接收器均具有隔離電容，與單個電容相比，其高壓隔離能力提高了一倍。非常厚的多層鈍化層可保護高壓隔離裸片，使其免受裸片周圍模塑化合物的損壞。 使用此配置的產品可滿足增強型隔離的業(yè)界通用要求，包括：VIOTM = 5.7kVrms 瞬態(tài)過電壓VIORM = 2.0kVrms 20 年增強型隔離工作電壓
VIOSM = 8kV 峰值圖 2. 高壓隔離多芯片模塊，在發(fā)送器和接收器上帶有串聯(lián)連接的高壓電容。多個組件級以及系統(tǒng)級和終端設備級標準管理和認證隔離產品。根據實際操作條件，隔離產品必須針對各種電壓應力曲線進行測試，以量化其高壓隔離性能[1]。這些組件級參數包括工作電壓 (VIOWM)、最大瞬態(tài)隔離電壓 (VIOTM)、隔離耐受電壓 (VISO)、最大重復峰值電壓 (VIORM) 和最大浪涌隔離電壓 (VIOSM)。表 2 列出了這些參數和用于驗證這些功能的測試。表 2. 高壓隔離測試。[1] https://www.ti.com/lit/wp/slyy063/slyy063.pdf
想要了解2.高壓隔離測試等完整內容，快點擊“閱讀原文”下載白皮書《實現(xiàn)高質量和可靠的高壓信號隔離》解鎖吧！2021年6月17日（周四）?10:00-12:00，在線直播：TI 隔離式電源控制器簡介即將上線！
本次直播我們將帶您了解 TI 廣泛的隔離式電源控制器。1.介紹可用于多種拓撲，包括降壓，升壓和 SEPIC 的 PWM 控制器產品組合，便于節(jié)省您在各種項目中的設計和認證時間
2.介紹能夠實現(xiàn)零電壓開關和超低靜態(tài)電流（IQ）的 AC / DC 反激控制器
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隔離101：如何為您的應用找到合適的隔離解決方案
為什么信號隔離在48V HEV/EV系統(tǒng)中十分重要
前方預告來襲——電源工程師培訓授證項目中級課程上線啦！
從2012年起，TI中國成立了專門的培訓部門，展開了大量面向工程師的線上線下培訓。TI電源工程師培訓授證項目是由中國電子學會(CIE)指導，電源工程師技術培訓網(ee-training)運營的專業(yè)電源類培訓，分為初級、中級、高級三個階段由淺入深的分級教學。同時考慮到網絡培訓的特點，該系列課程采用多章節(jié)多段落方式，使工程師可以利用碎片時間有針對性地選擇學習。
6月15日（周二）13:00-17:00，資深電源工程-中級課程即將開課！快來掃描下方二維碼預約您的課程席位通過科學系統(tǒng)的電源培訓課程步步進階吧！電源培訓 | 延展閱讀只為遇見最好的電源培訓
當電源培訓遇上漢桑的企業(yè)變革
這里有靠譜的電源培訓！
電源培訓，TI是認真的！
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電路隔離也稱為電流隔離，可防止直流 (DC) 和干擾交流 (AC)信號從系統(tǒng)的一個區(qū)域傳遞到需要保護的另一區(qū)域。隔離的其中一個用途是，通過防止高頻噪聲的傳播來保持系統(tǒng)的信號完整性，保護敏感電路受高壓浪涌和尖峰的影響，并為操作人員提供安全保障。
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1.實現(xiàn)高壓隔離
高壓 (HV) 隔離可通過使用兩個（在隔離柵的每側各使用一個）串聯(lián)的厚 SiO2 電容器實現(xiàn)。
高壓電容采用高性能模擬工藝制造，并封裝在多芯片 SOIC 模塊中。晶圓制造工藝是一種在金屬之間形成高壓電容的多層級金屬工藝，如圖 1 所示。只需通過使用標準的層間電介質層，該結構即可實現(xiàn)高壓隔離所需的 SiO2 厚度。這種多層結構減少了高壓性能對任何單一介電層依賴，從而可提高質量和可靠性。
圖 1. 高壓電容。使用這種隔離電容技術的多芯片模塊如圖 2 所示。發(fā)送器和接收器均具有隔離電容，與單個電容相比，其高壓隔離能力提高了一倍。非常厚的多層鈍化層可保護高壓隔離裸片，使其免受裸片周圍模塑化合物的損壞。 使用此配置的產品可滿足增強型隔離的業(yè)界通用要求，包括：VIOTM = 5.7kVrms 瞬態(tài)過電壓VIORM = 2.0kVrms 20 年增強型隔離工作電壓VIOSM = 8kV 峰值
圖 2. 高壓隔離多芯片模塊，在發(fā)送器和接收器上帶有串聯(lián)連接的高壓電容。多個組件級以及系統(tǒng)級和終端設備級標準管理和認證隔離產品。根據實際操作條件，隔離產品必須針對各種電壓應力曲線進行測試，以量化其高壓隔離性能[1]。這些組件級參數包括工作電壓 (VIOWM)、最大瞬態(tài)隔離電壓 (VIOTM)、隔離耐受電壓 (VISO)、最大重復峰值電壓 (VIORM) 和最大浪涌隔離電壓 (VIOSM)。表 2 列出了這些參數和用于驗證這些功能的測試。表 2. 高壓隔離測試。[1] https://www.ti.com/lit/wp/slyy063/slyy063.pdf想要了解2.高壓隔離測試等完整內容，快點擊“閱讀原文”下載白皮書《實現(xiàn)高質量和可靠的高壓信號隔離》解鎖吧！2021年6月17日（周四）?10:00-12:00，在線直播：TI 隔離式電源控制器簡介即將上線！
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