由于供過于求，近幾個季度DRAM價格大幅下跌。為了降低成本，并為內(nèi)存所需要的新應(yīng)用程序做好準(zhǔn)備，DRAM制造商正在積極轉(zhuǎn)向更新的工藝技術(shù)。盡管他們承認需要平衡DRAM的供需，但實際上他們?yōu)閿U大生產(chǎn)能力制定了積極的計劃，因為他們需要為即將到來的制造技術(shù)提供更干凈的空間。
在制造過程中，美光有一個積極的路線圖，包括四個以上的10個nm級節(jié)點。該公司正在研究最終過渡到極端紫外光刻(EUVL)。盡管如此，該公司也在擴大其生產(chǎn)能力，為下一代應(yīng)用程序生產(chǎn)下一代內(nèi)存。該公司目前正在利用其最新工藝技術(shù)的成果，為客戶端系統(tǒng)準(zhǔn)備32 GB內(nèi)存模塊，為服務(wù)器準(zhǔn)備64 GB調(diào)光器。
三星、SK海力士及美光確定未來會用EUV工藝，其中美光的EUV工藝內(nèi)存在2024年量產(chǎn)。
芯研所8月21日消息，CPU、GPU為代表的邏輯工藝制程進入7nm之后，EUV光刻工藝不可或缺。目前內(nèi)存停留在10nm工藝級別。三星、SK海力士及美光也確定未來會用EUV工藝，其中美光的EUV工藝內(nèi)存在2024年量產(chǎn)。
美光CEO Sanjay Mehrotra日前在采訪中確認，美光已將EUV技術(shù)納入DRAM技術(shù)藍圖，將由10nm世代中的1γ(gamma)工藝節(jié)點開始導(dǎo)入。美光EUV工藝DRAM將會先在臺中A3廠生產(chǎn)，預(yù)計2024年進入量產(chǎn)階段。此外，這個1γ工藝要更先進，10nm級別的內(nèi)存工藝中前三代是1x、1y、1z，再往后是1a、1β、1γ等。在美光之前，三星及SK海力士都更早進入了EUV節(jié)點，從去年底就開始部署EUV光刻工藝了，而且比美光更激進，最快在1a工藝節(jié)點就會量產(chǎn)EUV內(nèi)存芯片。
美光計劃在 2021 年提出建設(shè) A5 廠項目的申請，持續(xù)加碼投資 DRAM，將用于 1Znm 制程之后的微縮技術(shù)發(fā)展。
據(jù)悉，目前美光在臺灣地區(qū)布局，包括中科的前段晶圓制造 A1、A2 廠和后段封裝廠，在桃園有 A、B 兩廠，其中 1Znm 產(chǎn)線主要位于臺中廠，而桃園廠則以 1ynm 量產(chǎn)技術(shù)為主。此外，美光正在新建 A3 工廠潔凈室，預(yù)估將在 2021 年投入量產(chǎn) 1Znm 或 1α技術(shù)，進一步擴大先進技術(shù)的量產(chǎn)規(guī)模。
美光 2021 年 A5 廠建設(shè)計劃主要彰顯了美光對 DRAM 未來發(fā)展的樂觀看法，也提高了美光在臺灣地區(qū) DRAM 生產(chǎn)基地的重要戰(zhàn)略地位。不過，目前美光沒有透露 A5 投產(chǎn)計劃的細節(jié)，對于新廠地址也不予評論。
美光投資建廠不斷，對短期 DRAM 市場影響有限，新產(chǎn)能將在 2021 年放量。
據(jù)中國閃存市場 ChinaFlashMarket 數(shù)據(jù)，2020 年第二季度 DRAM 整體銷售額 170.6 億美元，環(huán)比增長 15%，同比增長 16%，三星、SK 海力士、美光三大原廠占據(jù) 95%以上的市場份額，一直處于全球壟斷地位，而美光市場份額占比 21.2%，排名第三，原廠 DRAM 擴產(chǎn)動作對市場影響深遠。
美光在全球DRAM市場中排名第三，僅次于三星電子和SK Hynix。它的市場份額約為20%。
美光最近在NAND閃存領(lǐng)域首次推出了176層產(chǎn)品。與其他頂級DRAM制造商一樣，該公司正在生產(chǎn)10納米第三代(1z)產(chǎn)品。預(yù)計該芯片制造商將在2021年上半年推出第四代(1a)DRAM。
但是，美光與三星電子和SK海力士之間的主要區(qū)別在于，美光不會將EUV技術(shù)應(yīng)用于1a DRAM。
美光公司在最近的一份聲明中建議，鑒于高成本和技術(shù)局限性，它甚至可能不會將EUV技術(shù)應(yīng)用于下一代DRAM“ 1-beta”產(chǎn)品。
美光公司副總裁Scott DerBauer表示，該公司將在1-delta產(chǎn)品的生產(chǎn)中引入EUV工藝。
具體而言，“1X納米代”為19納米-18納米、“1Y納米代”為17納米-16納米、“1Z納米代”為16納米-14納米(在鎂光進行了主題演講后，答疑環(huán)節(jié)獲得了此處的具體數(shù)值)。可以看出，代際的細微化發(fā)展僅有1納米-2納米左右，如果按照以上這個節(jié)奏發(fā)展下去，可以推測出“1α納米代(1Anm)”為14納米以下、“1β納米代(1B納米代)”為13納米以下。
在鎂光的演講中，也展示了其未來的發(fā)展藍圖(Roadmap)，“1β納米代(1B納米代)”以后為“1γ納米代”、“1δ納米代”。就細微化尺寸而言，推測“1γ納米代”為12納米級、“1δ納米代”為11納米級。
各個代際的量產(chǎn)間隔未來還會保持12個月左右的時間。具體而言如下：“1α納米代(1Anm)”的量產(chǎn)時間預(yù)計在2020年末-2021年初，“1β納米代(1B納米代)”的量產(chǎn)時間預(yù)計在2021年末-2022年初，“1γ納米代”的量產(chǎn)時間預(yù)計在2022年末-2023年初，“1δ納米代”的量產(chǎn)時間預(yù)計在2023年末-2024年初。
從 Sanjay Mehrotra 在財報分析師電話會議上透露的消息來看，美光科技是計劃 2024 年，在部分工藝節(jié)點部署極紫外光刻機，隨后擴大到更多工藝節(jié)點。
Sanjay Mehrotra 還表示，他們一直在關(guān)注極紫外光刻機的進展，他們其實也在評估引入極紫外光刻機。
事實上，美光科技此前就曾表示他們將引入極紫外光刻機。Sanjay Mehrotra 在會上就提到，他們曾多次表示，當(dāng)他們認為極紫外光刻機平臺及生態(tài)系統(tǒng)變得更成熟的時候，他們就將在適當(dāng)?shù)臅r間點引入極紫外光刻機。
值得注意的是，美光科技并不是首家引入極紫外光刻機的存儲芯片制造商，SK 海力士就已在他們的 M16 工廠安裝極紫外光刻機，在 2 月份就開始試生產(chǎn) 1anm 的 DRAM，預(yù)計在今年 7 月份開始大規(guī)模生產(chǎn)。
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