MOSFET與電壓相關(guān)的漏電流

時(shí)間：2021-09-08 14:42:30

關(guān)鍵字： MOSFET 電子開關(guān) 漏電流

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[導(dǎo)讀]本文將重點(diǎn)討論與電壓相關(guān)的漏電流——漏源漏電流 (I DSS ) 和柵源漏電流(I GSS )。

1. 前言

本文將重點(diǎn)討論與電壓相關(guān)的漏電流——漏源漏電流 (I DSS ) 和柵源漏電流(I GSS )。

為什么會(huì)出現(xiàn)漏電流？在為我們的應(yīng)用選擇功率 MOSFET 時(shí)，漏電流之所以重要，有兩個(gè)基本原因。

首先，在電子系統(tǒng)中，減少電力浪費(fèi)，尤其是當(dāng)系統(tǒng)在待機(jī)模式下運(yùn)行時(shí)。其次，在電池供電系統(tǒng)中，低泄漏有助于最大限度地延長原電池的電池壽命和二次電池充電之間的運(yùn)行時(shí)間。

2.MOSFET 漏電流介紹

如圖 1 所示，CSD15380F3 的 MOSFET 數(shù)據(jù)表指定了兩個(gè)漏電流：I DSS和 I GSS。

圖 1：來自 CSD15380F3 數(shù)據(jù)表的漏電流規(guī)格

最大泄漏是在一個(gè)電壓下指定的：I DSS在 BV DSS 的80% (V GS = 0 V) 和 I GSS在絕對(duì)最大 V GS (V DS = 0 V)。經(jīng)常有人問我這些參數(shù)如何隨電壓變化，答案不僅取決于施加的電壓，還取決于柵極靜電放電 (ESD) 結(jié)構(gòu)，如技術(shù)文章“您的 MOSFET 提供哪種類型的 ESD 保護(hù)包括？” 回顧一下，TI MOSFET 中使用的三種 ESD 保護(hù)類型是無（最低泄漏）、單端（最低泄漏）和背對(duì)背（最高泄漏）。

I GSS電流

在本節(jié)中，我將展示具有三種柵極 ESD 保護(hù)的幾種 TI N 和 P 溝道 NexFET功率 MOSFET 的I GSS隨電壓變化的圖表。這些是僅用于設(shè)計(jì)指導(dǎo)的典型曲線，不能保證性能。TI 僅保證 MOSFET 數(shù)據(jù)表中規(guī)定的泄漏。

圖 2 顯示了沒有柵極 ESD 保護(hù)的 30V N 溝道 FET (NFET) 和 –20V P 溝道 FET (PFET)的 I GSS與 V GS 的掃描圖。泄漏相對(duì)平坦，直到 V GS接近其正負(fù)絕對(duì)最大極限。

圖 2：I GSS與沒有 ESD 保護(hù)的V GS：30-V NFET (a)；和–20V PFET (b)

圖 3 顯示了具有單端柵極 ESD 保護(hù)結(jié)構(gòu)的 20V N 溝道 FET 和 –20V P 溝道 FET 的I GSS。當(dāng)柵極 ESD 二極管變?yōu)檎蚱脮r(shí)，漏電流呈指數(shù)增加。如果在應(yīng)用中很可能發(fā)生這種情況，則必須使用外部柵極電阻來限制電流并防止損壞 MOSFET。

圖 3：具有單端 ESD 保護(hù)的I GSS與 V GS：20-V NFET (a)；和 –20V PFET (b)

圖 4 中的曲線顯示了具有背對(duì)背柵極 ESD 保護(hù)結(jié)構(gòu)的 60V NFET 和 –8V PFET 的I GSS。由于背對(duì)背柵極 ESD 二極管，這些器件在 V GS = 0 V附近顯示出對(duì)稱泄漏特性。

圖 4：具有背對(duì)背 ESD 保護(hù)的I GSS與 V GS：60-V NFET (a)；和 –8V PFET (b)

I DSS電流

當(dāng) FET 關(guān)閉時(shí)，另一個(gè) MOSFET 漏電流 I DSS是從漏到源的。接下來的幾幅圖顯示了具有三種類型 ESD 保護(hù)的 TI NFET 和 PFET 的I DSS與 V DS的關(guān)系。這些是僅用于設(shè)計(jì)指導(dǎo)的典型曲線，不能保證性能。TI 僅保證 MOSFET 數(shù)據(jù)表中規(guī)定的泄漏。