EEPROM和flash這樣講，早就懂了！

時間：2021-09-06 15:23:42

關鍵字： EEPROM Flash

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[導讀]▼點擊下方名片，關注公眾號▼存儲器分為兩大類：RAM和ROM。RAM就不講了，主要討論ROM。ROM最初不能編程，出廠什么內容就永遠什么內容，不靈活。后來出現(xiàn)了PROM，可以自己寫入一次，要是寫錯了，只能換一片，自認倒霉。人類文明不斷進步，終于出現(xiàn)了可多次擦除寫入的EPROM，每...

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存儲器分為兩大類：RAM和ROM。RAM就不講了，主要討論ROM。

ROM最初不能編程，出廠什么內容就永遠什么內容，不靈活。

后來出現(xiàn)了PROM，可以自己寫入一次，要是寫錯了，只能換一片，自認倒霉。

人類文明不斷進步，終于出現(xiàn)了可多次擦除寫入的EPROM，每次擦除要把芯片拿到紫外線上照一下；想一下你往單片機上下了一個程序之后發(fā)現(xiàn)有個地方需要加一句話，為此你要把單片機放紫外燈下照半小時，然后才能再下一次，這么折騰一天也改不了幾次。

歷史的車輪不斷前進，偉大的EEPROM出現(xiàn)了，拯救了一大批程序員，終于可以隨意的修改ROM中的內容了。

EEPROM的全稱是“電可擦除可編程只讀存儲器”，即Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory。是相對于紫外擦除的ROM來講的。但是今天已經存在多種EEPROM的變種，變成了一類存儲器的統(tǒng)稱。

狹義的EEPROM

這種ROM的特點是可以隨機訪問和修改任何一個字節(jié)，可以往每個bit中寫入0或者1。這是最傳統(tǒng)的一種EEPROM，掉電后數(shù)據不丟失，可以保存100年，可以擦寫100w次。具有較高的可靠性，但是電路復雜/成本也高。因此目前的EEPROM都是幾十千字節(jié)到幾百千字節(jié)的，絕少有超過512K的。

例如常見的24C02：

廣義的EEPROM

flash屬于廣義的EEPROM，因為它也是電擦除的ROM。但是為了區(qū)別于一般的按字節(jié)為單位的擦寫的EEPROM，我們都叫它flash。

flash做的改進就是擦除時,不再以字節(jié)為單位，而是以塊為單位，一次簡化了電路，數(shù)據密度更高，降低了成本。

MB存量的ROM一般都是flash。如W25Q128JVSIQ：

flash又分為nor flash和nand flash。

（1）nor flash：

nor flash數(shù)據線和地址線分開，可以實現(xiàn)ram一樣的隨機尋址功能，可以讀取任何一個字節(jié)。但是擦除仍要按塊來擦。

（2）nand flash：

nand flash同樣是按塊擦除，但是數(shù)據線和地址線復用，不能利用地址線隨機尋址。讀取只能按頁來讀取。（nandflash按塊來擦除，按頁來讀，nor flash沒有頁），例如：W29N01HVSINA。

由于nand flash引腳上復用，因此讀取速度比nor flash慢一點，但是擦除和寫入速度比nor flash快很多。nand ?flash內部電路更簡單，因此數(shù)據密度大，體積小，成本也低。因此大容量的flash都是nand型的。小容量的2～12M的flash多是nor型的。

使用壽命上，nor flash的擦除次數(shù)是nand的數(shù)倍。而且nand flash可以標記壞塊，從而使軟件跳過壞塊。nor flash 一旦損壞便無法再用。