壓力傳感器在生活中有很多應用，比如某些停車場系統(tǒng)中，便有壓力傳感器的身影。為增進大家對壓力傳感器的認識，本文將對半導體壓力傳感器予以介紹。通過本文，你將對壓力傳感器以及壓力傳感器的結構有所了解。如果你對壓力傳感器具有興趣，不妨繼續(xù)往下閱讀哦。
半導體壓力傳感器可分為兩類，一類是根據半導體PN結(或肖特基結)在應力作用下,I-υ特性發(fā)生變化的原理制成的各種壓敏二極管或晶體管。這種壓力敏感元件的性能很不穩(wěn)定，未得到很大的發(fā)展。另一類是根據半導體壓阻效應構成的傳感器，這是半導體壓力傳感器的主要品種。早期大多是將半導體應變片粘貼在彈性元件上，制成各種應力和應變的測量儀器。60年代，隨著半導體集成電路技術的發(fā)展，出現了由擴散電阻作為壓阻元件的半導體壓力傳感器。這種壓力傳感器結構簡單可靠，沒有相對運動部件，傳感器的壓力敏感元件和彈性元件合為一體，免除了機械滯后和蠕變，提高了傳感器的性能。
半導體的壓阻效應 半導體具有一種與外力有關的特性，即電阻率(以符號ρ 表示)隨所承受的應力而改變，稱為壓阻效應。單位應力作用下所產生的電阻率的相對變化，稱為壓阻系數,以符號π表示。以數學式表示為 墹ρ/ρ=πσ
式中σ 表示應力。半導體電阻承受應力時所產生的電阻值的變化(墹R/R)，主要由電阻率的變化所決定，所以上述壓阻效應的表達式也可寫成成R/R=πσ
在外力作用下,半導體晶體中產生一定的應力(σ)和應變(ε)，它們之間的相互關系，由材料的楊氏模量(Y)決定，即 Y=σ/ε
若以半導體所承受的應變來表示壓阻效應，則是 墹R/R=Gε
G 稱為壓力傳感器的靈敏因子，它表示在單位應變下所產生的電阻值的相對變化。
壓阻系數或靈敏因子是半導體壓阻效應的基本物理參數。它們之間的關系正如應力與應變之間的關系一樣，由材料的楊氏模量決定，即 G=πY
由于半導體晶體在彈性上各向異性，楊氏模量和壓阻系數隨晶向而改變。半導體壓阻效應的大小，還與半導體的電阻率密切有關，電阻率越低靈敏因子的數值越小。擴散電阻的壓阻效應由擴散電阻的晶體取向和雜質濃度決定。雜質濃度主要是指擴散層的表面雜質濃度。
常用的半導體壓力傳感器選用N 型硅片作為基片。先把硅片制成一定幾何形狀的彈性受力部件，在此硅片的受力部位，沿不同的晶向制作四個P型擴散電阻,然后用這四個電阻構成四臂惠斯登電橋，在外力作用下電阻值的變化就變成電信號輸出。這個具有壓力效應的惠斯登電橋是壓力傳感器的心臟，通常稱作壓阻電橋(如圖1)。壓阻電橋的特點是：①電橋四臂的電阻值相等(均為R0);②電橋相鄰臂的壓阻效應數值相等、符號相反;③電橋四臂的電阻溫度系數相同，又始終處于同一溫度下。圖1中R0為室溫下無應力時的電阻值;墹RT為溫度變化時由電阻溫度系數(α)所引起的變化;墹Rδ為承受應變(ε)時引起的電阻值變化;電橋的輸出電壓為 u=I0墹Rδ=I0RGδ (恒流源電橋)
式中I0為恒流源電流， E為恒壓源電壓。壓阻電橋的輸出電壓直接與應變(ε)成正比，與電阻溫度系數引起的RT無關,這使傳感器的溫度漂移大大減小。半導體壓力傳感器中應用最廣的是一種檢測流體壓力的傳感器。其主要結構是全部由單晶硅材料構成的膜盒(如圖2)。膜片制成杯狀,杯底是承受外力的部分，壓力電橋就制作在杯底上面。用同樣的硅單晶材料制成圓環(huán)臺座，然后把膜片粘結在臺座上。這種壓力傳感器具有靈敏度高、體積小、固體化等優(yōu)點，已在航空、宇宙航行、自動化儀表和醫(yī)療儀器等方面得到廣泛應用。
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