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[導(dǎo)讀]整理:一陽(yáng)出品:巧學(xué)模電數(shù)電單片機(jī)(hyyxszy)1.什么是LDO?LDO是低壓降的意思,這有一段說(shuō)明:低壓降線(xiàn)性穩(wěn)壓器的成本低,噪音低,靜態(tài)電流小,這些是它的突出優(yōu)點(diǎn)。它需要的外接元件也很少,通常只需要一兩個(gè)旁路電容。新的LDO線(xiàn)性穩(wěn)壓器可達(dá)到以下指標(biāo):輸出噪聲30μV;PSRR為60dB;靜態(tài)電流6μ;電壓降只有100mV。LDO線(xiàn)性穩(wěn)壓器的性能之所以能夠達(dá)到這個(gè)水平,主要原因在于其中的調(diào)整管是用P溝道MOSFET,而普通的線(xiàn)性穩(wěn)壓器是使用PNP晶體管。P溝道MOSFET是電壓驅(qū)動(dòng)的,是不需要電流的,所以大大降低了器件本身消耗的電流。另一方面,采用PNP晶體管的電路中,為了防止PNP晶體...

整理:一陽(yáng)出品:巧學(xué)模電數(shù)電單片機(jī)(hyyxszy)1. 什么是LDO?

LDO是低壓降的意思,這有一段說(shuō)明:低壓降線(xiàn)性穩(wěn)壓器的成本低,噪音低,靜態(tài)電流小,這些是它的突出優(yōu)點(diǎn)。

它需要的外接元件也很少,通常只需要一兩個(gè)旁路電容。

新的LDO線(xiàn)性穩(wěn)壓器可達(dá)到以下指標(biāo):

  • 輸出噪聲30μV;
  • PSRR為60dB;
  • 靜態(tài)電流6μ;
  • 電壓降只有100mV。
LDO線(xiàn)性穩(wěn)壓器的性能之所以能夠達(dá)到這個(gè)水平,主要原因在于其中的調(diào)整管是用P溝道MOSFET,而普通的線(xiàn)性穩(wěn)壓器是使用PNP晶體管。

P溝道MOSFET是電壓驅(qū)動(dòng)的,是不需要電流的,所以大大降低了器件本身消耗的電流。

另一方面,采用PNP晶體管的電路中,為了防止PNP晶體管進(jìn)入飽和狀態(tài)而降低輸出能力,輸入和輸出之間的電壓降不可以太低。

而P溝道MOSFET上的電壓降大致等于輸出電流與導(dǎo)通電阻的乘積。由于MOSFET的導(dǎo)通電阻很小,因而它上面的電壓降非常低。

如果輸入電壓和輸出電壓很接近,最好是選用LDO穩(wěn)壓器,可以達(dá)到很高的效率。所以,在把鋰離子電池電壓轉(zhuǎn)換為3V輸出電壓的應(yīng)用中,大多選用LDO穩(wěn)壓器。

雖說(shuō)電池的能量最后有百分之十是沒(méi)有使用,LDO穩(wěn)壓器仍然能夠保證電池的工作時(shí)間較長(zhǎng),同時(shí)噪音較低。

如果輸入電壓和輸出電壓不是很接近,就要考慮用開(kāi)關(guān)型的DC-DC了,因?yàn)閺纳厦娴脑砜梢灾?,LDO的輸入電流基本上是等于輸出電流的,如果壓降太大,耗在LDO上能量太大,效率不高。

2. 什么是DC-DC?

DC-DC轉(zhuǎn)換器包括升壓、降壓、升/降壓和反相等電路。DC-DC轉(zhuǎn)換器的優(yōu)點(diǎn)是效率高、可以輸出大電流、靜態(tài)電流小。

隨著集成度的提高,許多新型DC-DC轉(zhuǎn)換器僅需要幾只外接電感器和濾波電容器。但是,這類(lèi)電源控制器的輸出脈動(dòng)和開(kāi)關(guān)噪音較大、成本相對(duì)較高。

近幾年來(lái),隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展,表面貼裝的電感器、電容器、以及高集成度的電源控制芯片的成本不斷降低,體積越來(lái)越小。

由于出現(xiàn)了導(dǎo)通電阻很小的MOSFET可以輸出很大功率,因而不需要外部的大功率FET。

例如對(duì)于3V的輸入電壓,利用芯片上的NFET可以得到5V/2A的輸出。其次,對(duì)于中小功率的應(yīng)用,可以使用成本低小型封裝。

另外,如果開(kāi)關(guān)頻率提高到1MHz,還能夠降低成本、可以使用尺寸較小的電感器和電容器。

有些新器件還增加許多新功能,比如軟啟動(dòng)、限流、PFM或者PWM方式選擇等。

總的來(lái)說(shuō),升壓是一定要選DC-DC的,降壓,是選擇DC-DC還是LDO,要在成本、效率、噪聲和性能上比較。

3. LDO與DC-DC相比

首先從效率上,DC-DC的效率普遍要遠(yuǎn)高于LDO,這是其工作原理決定的。其次,DC-DC有Buck、Boost、Boost/Buck,而LDO只有降壓型。

再次,也是很重要的一點(diǎn),DC-DC因?yàn)槠溟_(kāi)關(guān)頻率的原因?qū)е缕潆娫丛肼暫艽?,遠(yuǎn)比LDO大的多,大家可以關(guān)注PSRR這個(gè)參數(shù)。

所以,當(dāng)要考慮到比較敏感的模擬電路時(shí)候,有可能就要犧牲效率為保證電源的純凈而選擇LDO。

還有,通常LDO所需要的外圍器件簡(jiǎn)單,占面積小,而DC-DC一般都會(huì)要求電感,二極管,大電容,有的還會(huì)要MOSFET。

特別是Boost電路,需要考慮電感的最大工作電流,二極管的反向恢復(fù)時(shí)間,大電容的ESR等等,所以從外圍器件的選擇來(lái)說(shuō)比LDO復(fù)雜,而且占面積也相應(yīng)的會(huì)大很多。

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