全球晶圓代工先進制程領域競爭愈發(fā)白熱化，在臺積電公布亮眼財報，并宣告將赴日本設廠，用以生產(chǎn)22/28納米特殊制程，成為臺積電繼美國亞利桑那州興建5納米晶圓廠后，又一向海外拓展的重要決策。
對此，三星集團實際領導人、三星電子副會長李在镕預計稍晚前往美國，就盡速拍板美國晶圓廠投資案。
李在镕8月假釋出獄后，立即宣布未來3年投入240兆韓元，鞏固該公司在后疫情時代科技產(chǎn)業(yè)的優(yōu)勢地位，甚至稱該公司下一代制程節(jié)點3納米制程采用環(huán)繞閘極技術（Gate-All-AroundGAA）不會輸給競爭對手、也就是臺積電。三星甚至在近期技術論壇上提及，預計在2025年2納米制程量產(chǎn)，企圖彎道超車競爭對手臺積電，頗有叫戰(zhàn)臺積電的意味。
韓媒《BusinessKorea》報導，李在镕已經(jīng)申請簽證，準備前往美國，預料最快時間落在10月底，主要是要確定在美國新晶圓廠的選址。三星2021年5月宣布投資170億美元，在美國設立第二座晶圓廠。
三星目前5個選址中，德州泰勒市（Taylor City） 機率最高，泰勒市議會于美國時間10月14日，通過對三星設廠的稅務優(yōu)惠，包括前10年土地稅減免92.5％，第2個10年減免90％，第3個10年減免85％，另外提供水電費優(yōu)惠。
三星自2016年收購車用零件供應商哈曼國際（Harman International）之后，再也沒有通過大型并購交易，但業(yè)界傳出，三星已經(jīng)鎖定幾家大廠，包括先前傳出的車用芯片主要供應商包括荷蘭恩智浦（NXP）、美國德州儀器（TI）、日本瑞薩（Renesas）等。
為了捍衛(wèi)韓國半導體產(chǎn)業(yè)的優(yōu)勢，外界認為韓國政府這是讓李在镕假釋出獄的主要理由，三星也在實際領導人出現(xiàn)后，針對與臺積電、英特爾競爭提出許多措施，也加強對外放話，但三星最重要赴美設廠投資案，最終的選址仍未定案。
臺積電在2020年5月中旬宣布，將在亞利桑那州鳳凰城投資120億美元興建晶圓廠，用以生產(chǎn)5納米制程，預計2024年量產(chǎn)，月產(chǎn)能將達2萬片。鳳凰城去年間11月18日以9票贊成0票反對，無異議通過臺積電開發(fā)協(xié)議，鳳凰城則將由市府資金提撥2.05億美元，用于改善道路及水源等基礎建設。臺積電美國新廠今年上半年開始動工，首批250名員工招募完成，其中有部分新進員工將來臺灣的臺積電南科廠培訓為期1年半的時間，訓練結束后將返回鳳凰城。
英特爾CEO Pat Gelsinger今年上任后，2021年3月宣布將啟動IDM 2.0戰(zhàn)略，將重返晶圓代工業(yè)務，并透露將投入200億美元，在亞利桑那州興建2座晶圓廠。英特爾在Fab 52/Fab62晶圓廠9月舉行動工典禮，預計2024年量產(chǎn)采用全新RibbonFET和PowerVia的英特爾20A制程，亞利桑那州也將成為英特爾最大生產(chǎn)基地，若照先前英特爾公布最新制程藍圖來看，將供應給高通、亞馬遜的云端運算芯片。
雖然臺積電、英特爾都已經(jīng)開始動工新廠區(qū)，但是在三星搶先采用GAA技術，以及取得ASML所提供的極紫外光（EUV）微影設備已經(jīng)在7納米制程導入，等于是三方各有勝負，這三星是否有機會在3納米、甚至是2納米超車，外界持續(xù)關注。
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