為拓展海外業(yè)務(wù)，三星掌門人將親赴美國選址：建廠競賽開始！

全球晶圓代工先進(jìn)制程領(lǐng)域競爭愈發(fā)白熱化，在臺積電公布亮眼財(cái)報(bào)，并宣告將赴日本設(shè)廠，用以生產(chǎn)22/28納米特殊制程，成為臺積電繼美國亞利桑那州興建5納米晶圓廠后，又一向海外拓展的重要決策。

對此，三星集團(tuán)實(shí)際領(lǐng)導(dǎo)人、三星電子副會長李在镕預(yù)計(jì)稍晚前往美國，就盡速拍板美國晶圓廠投資案。

李在镕8月假釋出獄后，立即宣布未來3年投入240兆韓元，鞏固該公司在后疫情時(shí)代科技產(chǎn)業(yè)的優(yōu)勢地位，甚至稱該公司下一代制程節(jié)點(diǎn)3納米制程采用環(huán)繞閘極技術(shù)（Gate-All-AroundGAA）不會輸給競爭對手、也就是臺積電。三星甚至在近期技術(shù)論壇上提及，預(yù)計(jì)在2025年2納米制程量產(chǎn)，企圖彎道超車競爭對手臺積電，頗有叫戰(zhàn)臺積電的意味。

韓媒《BusinessKorea》報(bào)導(dǎo)，李在镕已經(jīng)申請簽證，準(zhǔn)備前往美國，預(yù)料最快時(shí)間落在10月底，主要是要確定在美國新晶圓廠的選址。三星2021年5月宣布投資170億美元，在美國設(shè)立第二座晶圓廠。

三星目前5個(gè)選址中，德州泰勒市（Taylor City） 機(jī)率最高，泰勒市議會于美國時(shí)間10月14日，通過對三星設(shè)廠的稅務(wù)優(yōu)惠，包括前10年土地稅減免92.5％，第2個(gè)10年減免90％，第3個(gè)10年減免85％，另外提供水電費(fèi)優(yōu)惠。

三星自2016年收購車用零件供應(yīng)商哈曼國際（Harman International）之后，再也沒有通過大型并購交易，但業(yè)界傳出，三星已經(jīng)鎖定幾家大廠，包括先前傳出的車用芯片主要供應(yīng)商包括荷蘭恩智浦（NXP）、美國德州儀器（TI）、日本瑞薩（Renesas）等。

為了捍衛(wèi)韓國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的優(yōu)勢，外界認(rèn)為韓國政府這是讓李在镕假釋出獄的主要理由，三星也在實(shí)際領(lǐng)導(dǎo)人出現(xiàn)后，針對與臺積電、英特爾競爭提出許多措施，也加強(qiáng)對外放話，但三星最重要赴美設(shè)廠投資案，最終的選址仍未定案。

臺積電在2020年5月中旬宣布，將在亞利桑那州鳳凰城投資120億美元興建晶圓廠，用以生產(chǎn)5納米制程，預(yù)計(jì)2024年量產(chǎn)，月產(chǎn)能將達(dá)2萬片。鳳凰城去年間11月18日以9票贊成0票反對，無異議通過臺積電開發(fā)協(xié)議，鳳凰城則將由市府資金提撥2.05億美元，用于改善道路及水源等基礎(chǔ)建設(shè)。臺積電美國新廠今年上半年開始動工，首批250名員工招募完成，其中有部分新進(jìn)員工將來臺灣的臺積電南科廠培訓(xùn)為期1年半的時(shí)間，訓(xùn)練結(jié)束后將返回鳳凰城。

英特爾CEO Pat Gelsinger今年上任后，2021年3月宣布將啟動IDM 2.0戰(zhàn)略，將重返晶圓代工業(yè)務(wù)，并透露將投入200億美元，在亞利桑那州興建2座晶圓廠。英特爾在Fab 52/Fab62晶圓廠9月舉行動工典禮，預(yù)計(jì)2024年量產(chǎn)采用全新RibbonFET和PowerVia的英特爾20A制程，亞利桑那州也將成為英特爾最大生產(chǎn)基地，若照先前英特爾公布最新制程藍(lán)圖來看，將供應(yīng)給高通、亞馬遜的云端運(yùn)算芯片。

雖然臺積電、英特爾都已經(jīng)開始動工新廠區(qū)，但是在三星搶先采用GAA技術(shù)，以及取得ASML所提供的極紫外光（EUV）微影設(shè)備已經(jīng)在7納米制程導(dǎo)入，等于是三方各有勝負(fù)，這三星是否有機(jī)會在3納米、甚至是2納米超車，外界持續(xù)關(guān)注。