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我們知道,三極管是利用Ib的電流去控制電流Ic的,所以說三極管是電流控制電流的器件。



MOS管是利用Ugs的電壓去控制電流Id的,所以說MOS管是電壓控制電流的器件。
對(duì)于N溝道增強(qiáng)型的MOS管,當(dāng)Ugs>Ugs(th)時(shí),MOS就會(huì)開始導(dǎo)通,如果在D極和S極之間加上一定的電壓,就會(huì)有電流Id產(chǎn)生。
在一定的Uds下,D極電流Id的大小是與G極電壓Ugs有關(guān)的。
我們先來看一下MOS管的輸出特性曲線,MOS管的輸出特性可以分為三個(gè)區(qū):截止區(qū)、恒流區(qū)、可變電阻區(qū)。
▲?MOSFET輸出特性曲線


截止區(qū):當(dāng)滿足Ugsgs(th),MOS管進(jìn)入截止區(qū)。
截止區(qū)在輸出特性最下面靠近橫坐標(biāo)的部分,表示MOS管不能導(dǎo)電,處在截止?fàn)顟B(tài)。截止區(qū)也叫夾斷區(qū),在該區(qū)時(shí)溝道全部夾斷,電流Id為0,管子不工作。
恒流區(qū):當(dāng)滿足Ugs≥Ugs(th),且Uds≥Ugs-Ugs(th),MOS管進(jìn)入恒流區(qū)。
恒流區(qū)在輸出特性曲線中間的位置,電流Id基本不隨Uds變化,Id的大小主要決定于電壓Ugs,所以叫做恒流區(qū),也叫飽和區(qū),當(dāng)MOS用來做放大電路時(shí)就是工作在恒流區(qū)(飽和區(qū))。
注:MOS管輸出特性的恒流區(qū)(飽和區(qū)),相當(dāng)于三極管的放大區(qū)。
可變電阻區(qū):當(dāng)滿足Ugs>Ugs(th),且Udsgs-Ugs(th),MOS管進(jìn)入可變電阻區(qū)。
可變電阻區(qū)在輸出特性的最左邊,Id隨著Uds的增加而上升,兩者基本上是線性關(guān)系,所以可以看作是一個(gè)線性電阻,當(dāng)Ugs不同電阻的阻值就會(huì)不同,所以在該區(qū)MOS管相當(dāng)就是一個(gè)由Ugs控制的可變電阻。
擊穿區(qū)在輸出特性左邊區(qū)域,隨著Uds增大,PN結(jié)承受太大的反向電壓而被擊穿,工作時(shí)應(yīng)該避免讓管子工作在該區(qū)域。
根據(jù)MOS管的輸出特性曲線,比如下圖是取Uds=10V的點(diǎn),然后用作圖的方法,可取得到相應(yīng)的轉(zhuǎn)移特性曲線。


轉(zhuǎn)移性是表示Uds不變時(shí),Id與Ugs之間的關(guān)系。
在上圖的轉(zhuǎn)移特性曲線上,我們可以看到當(dāng)Ugs大于4V時(shí),Id大幅度增加,而當(dāng)Ugs到達(dá)6V時(shí),Id達(dá)到了最大值。。End


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