瀾起科技宣布DDR5第一子代內(nèi)存接口及模組配套芯片實現(xiàn)量產(chǎn)

上海2021年10月29日 /美通社/ -- 瀾起科技宣布其DDR5第一子代內(nèi)存接口及模組配套芯片已成功實現(xiàn)量產(chǎn)。該系列芯片是DDR5內(nèi)存模組的重要組件，包括寄存時鐘驅(qū)動器 (RCD)、數(shù)據(jù)緩沖器 (DB)、串行檢測集線器 (SPD Hub)、溫度傳感器 (TS) 和電源管理芯片 (PMIC)，可為DDR5 RDIMM、LRDIMM、UDIMM、SODIMM等內(nèi)存模組提供整體解決方案。

隨著信息技術(shù)的飛速發(fā)展，內(nèi)存技術(shù)現(xiàn)已發(fā)展至DDR5世代。作為業(yè)界領(lǐng)先的內(nèi)存接口芯片組供應(yīng)商和JEDEC內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)的積極貢獻(xiàn)者，瀾起科技專注于內(nèi)存接口技術(shù)的持續(xù)創(chuàng)新，這次推出的DDR5第一子代內(nèi)存接口芯片RCD/DB，支持的最高速率達(dá)4800Mbps，是DDR4最高速率的1.5倍；接口電壓低至1.1V，能耗更低；采用創(chuàng)新的信號校準(zhǔn)協(xié)議及均衡技術(shù)，大幅提高了內(nèi)存信號完整性。

與DDR4內(nèi)存模組相比，DDR5內(nèi)存模組在架構(gòu)上進(jìn)行了革新，除配置內(nèi)存顆粒和內(nèi)存接口芯片之外，還需要搭配其它專用配套芯片。瀾起科技精準(zhǔn)把握這一技術(shù)趨勢，首次推出了DDR5 PMIC、TS 及SPD Hub這三款配套芯片，可為DDR5內(nèi)存模組提供多通道電源及管理、多點溫度檢測、I3C串行總線及路由等輔助功能。這些配套芯片與內(nèi)存接口芯片一起，共同助力DDR5內(nèi)存模組在速度、容量、節(jié)能及可靠性等方面實現(xiàn)全面提升，滿足新一代服務(wù)器、臺式機(jī)及便攜式電腦對內(nèi)存系統(tǒng)的更高要求。

10月27-28日，作為英特爾公司多年的生態(tài)伙伴，瀾起科技應(yīng)邀參加了英特爾舉辦的在線創(chuàng)新峰會 (Intel Innovation)，并在英特爾官網(wǎng)布置虛擬展臺，以視頻、圖片和宣傳彩頁等形式向業(yè)界展示了這五款芯片及其應(yīng)用場景。

瀾起科技在英特爾創(chuàng)新峰會布置虛擬展臺

瀾起科技的銷售及商務(wù)拓展副總裁Geof Findley表示：“瀾起在內(nèi)存接口芯片領(lǐng)域深耕多年，基于DDR2、DDR3、DDR4這幾代產(chǎn)品的成功研發(fā)和量產(chǎn)經(jīng)驗，我們非常高興能為英特爾最新一代的服務(wù)器和客戶端產(chǎn)品提供性能更強(qiáng)、可靠性更高的DDR5內(nèi)存接口解決方案。”

英特爾公司數(shù)據(jù)平臺集團(tuán)副總裁兼內(nèi)存和IO技術(shù)總經(jīng)理Carolyn Duran表示：“英特爾與瀾起科技在內(nèi)存領(lǐng)域已密切合作了十多年，熱切期待在DDR5內(nèi)存世代繼續(xù)與瀾起科技展開深度合作。”

展望未來，瀾起科技將以自身在內(nèi)存接口領(lǐng)域的深厚積累和生態(tài)優(yōu)勢，持續(xù)為客戶提供卓越的內(nèi)存接口產(chǎn)品與服務(wù)，為數(shù)據(jù)中心、云計算及人工智能行業(yè)創(chuàng)造更大價值。

如需了解更多產(chǎn)品詳情，請參閱：https://www.montage-tech.com/cn/Memory_Interface/DDR5