能支持IoT端點(diǎn)日增的功率需求的新方案
新的IEEE802.3bt PoE標(biāo)準(zhǔn)有潛力變革物聯(lián)網(wǎng)(IoT)所涉及的每個(gè)垂直市場,使更精密的端點(diǎn)可在更大的網(wǎng)絡(luò)運(yùn)行。IEEE802.3bt標(biāo)準(zhǔn)通過新的“Autoclass”特性優(yōu)化能量管理,令受電設(shè)備(PD)將其特定的功率需求傳遞給供電設(shè)備(PSE)。這也令每個(gè)PSE僅向每個(gè)PD分配適當(dāng)?shù)墓β柿浚瑥亩畲蠡捎媚芰亢蛶挕?/p>
與IEEE 802.at標(biāo)準(zhǔn)(PoE+)提供的30 W相比,IEEE 802.3bt可提供高達(dá)90 W的功率和互聯(lián)到新的應(yīng)用,無需專用且通常為離線的電源。PoE將簡化網(wǎng)絡(luò)拓?fù)?,并提供更?qiáng)固的“即插即用”用戶體驗(yàn)。
商業(yè)信息提供商IHS Markit電源半導(dǎo)體高級分析師Kevin Anderson說:“以太網(wǎng)供電是當(dāng)今電源半導(dǎo)體發(fā)展最快的市場之一,預(yù)計(jì)2017年到2022年的復(fù)合平均單位增長率為14%。IEEE 802.3bt中定義的更高供電能力促成新的應(yīng)用,如更高功率聯(lián)接的照明、聯(lián)網(wǎng)的高分辨率監(jiān)控?cái)z像機(jī)和高性能無線接入點(diǎn)。”
NCP1095和NCP1096接口控制器構(gòu)成安森美半導(dǎo)體PoE-PD方案的基礎(chǔ),具有實(shí)施PoE接口所需的所有特性,包括檢測、自動分類和限流??刂破鞑捎靡粋€(gè)外部(NCP1095)或內(nèi)部(NCP1096)熱插拔FET。NCP1096集成的熱插拔FET具有Type 3或Type 4 PoE控制器可提供的最低導(dǎo)通電阻??刂破髋湟訬CP1566 DC-DC控制器、FDMC8622單MOSFET、FDMQ8203和FDMQ8205A GreenBridge?四通道MOSFET,為PoE應(yīng)用中的二極管橋提供更有效的替代方案。這些器件賦能高效的PoE接口,最高可達(dá)標(biāo)準(zhǔn)的90 W功率限制,若需更高的功率,可用專用的100 W方案。