Qualcomm Quick Charge 4提升充電速度高達(dá)20%，并實(shí)現(xiàn)效率提升

—通過全新的第四代技術(shù)，現(xiàn)在利用Quick Charge 4充電五分鐘，智能手機(jī)將能使用五小時以上—

Qualcomm Incorporated今日宣布，其子公司Qualcomm Technologies, Inc.推出其最新一代快速充電技術(shù)Qualcomm® Quick Charge™ 4。下一代Qualcomm®驍龍™835處理器將支持Quick Charge 4。預(yù)計搭載驍龍835的商用終端將在2017年上半年出貨。

建立在Qualcomm Technologies快速充電方案現(xiàn)有的領(lǐng)先基礎(chǔ)之上，Quick Charge 4旨在實(shí)現(xiàn)相較于前幾代解決方案更短的充電時間和更高的效率，以提供卓越的充電解決方案。對于典型的高端手機(jī)用戶，Quick Charge 4能通過僅五分鐘的充電，將手機(jī)使用時間延長五小時甚至更久。通過Qualcomm Technologies的平行充電技術(shù)Dual Charge，與使用Quick Charge 3.0相比，用戶可享受到高達(dá)20%的充電速度提升，以及高達(dá)30%的效率提升。Quick Charge 4還集成了對USB Type-C和USB-PD的支持，使得業(yè)界最受歡迎的充電解決方案可廣泛的適用于各種連接線和適配器。

Qualcomm Technologies, Inc.產(chǎn)品管理高級副總裁Alex Katouzian表示：“由于移動終端的功能變得更強(qiáng)、特性變得更豐富，人們對它們的使用也更頻繁。這是消費(fèi)者如今對快速充電解決方案的需求和認(rèn)知達(dá)到空前高度的原因。Quick Charge 4能在大約15分鐘或更短時間內(nèi)，充入高達(dá) 50%的電池電量，從而滿足了這樣的需求。這樣你就不再會一整天被充電電線所束縛。”

Quick Charge 4采用了Qualcomm Technologies獨(dú)有的第三版最佳電壓智能協(xié)商(Intelligent Negotiation for Optimum Voltage ，INOV)電源管理算法。INOV現(xiàn)已包括了行業(yè)首創(chuàng)技術(shù)——實(shí)時散熱管理，將能夠在既定的散熱條件下，自主確定并選擇最佳的電力傳輸水平，從而優(yōu)化充電。

除了提供最一致的輸入與輸出充電體驗(yàn)，Quick Charge 4還支持面向適配器和移動終端的先進(jìn)安全特性。通過在多個層面和整個充電過程中部署保護(hù)措施，Quick Charge 4能在更準(zhǔn)確地測量電壓、電流和溫度的同時，保護(hù)電池、系統(tǒng)、線纜和連接器。額外保護(hù)層的增加，將幫助防止電池過度充電，并在每個充電周期調(diào)節(jié)電流。

為了實(shí)現(xiàn)Quick Charge 4的最佳性能，Qualcomm Technologies推出了最新的電源管理芯片(PMIC)SMB1380和SMB1381。SMB1380和SMB1381具有低阻抗、高達(dá)95%的峰值效率和先進(jìn)的快充特性(例如電池差分感知)，可經(jīng)由任何5V USB Type-C或高壓電源通過高度不到0.8毫米的充電解決方案組合，為超薄的移動終端提供最快的電池充電。SMB1380/1預(yù)計將于2016年底之前開始提供。

Quick Charge迅速發(fā)展的生態(tài)系統(tǒng)中已包含了100余款支持Quick Charge的移動終端，以及300余款獨(dú)特的配件產(chǎn)品，如壁式與車載適配器、電池組和擴(kuò)展基座。目前總計已有超過6億部移動終端與配件支持Quick Charge技術(shù)。這一強(qiáng)大的生態(tài)系統(tǒng)能讓客戶擁有更豐富的產(chǎn)品種類和更廣泛的可用性，與其他快充解決方案相比，以更好的價格享受無與倫比的解決方案。