GaN Systems的GSP65RxxHB-EVB絕緣金屬基板

時(shí)間：2019-08-12 22:06:59

關(guān)鍵字：電源新品絕緣金屬基板 gsp65rxxhb-evb

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[導(dǎo)讀]貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 即日起開(kāi)始供貨GaN Systems的GSP65RxxHB-EVB絕緣金屬基板 (IMS) 評(píng)估平臺(tái)。IMS評(píng)估平臺(tái)價(jià)格親民，對(duì)于汽車(chē)、消費(fèi)電子、工業(yè)和服務(wù)器或數(shù)據(jù)中心應(yīng)用中的功率系統(tǒng)而言，能夠改善熱傳導(dǎo)性能、提高功率密度并降低系統(tǒng)成本。

貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 即日起開(kāi)始供貨GaN Systems的GSP65RxxHB-EVB絕緣金屬基板 (IMS) 評(píng)估平臺(tái)。IMS評(píng)估平臺(tái)價(jià)格親民，對(duì)于汽車(chē)、消費(fèi)電子、工業(yè)和服務(wù)器或數(shù)據(jù)中心應(yīng)用中的功率系統(tǒng)而言，能夠改善熱傳導(dǎo)性能、提高功率密度并降低系統(tǒng)成本。

貿(mào)澤電子備貨的這款GaN Systems GSP65RxxHB-EVB IMS評(píng)估平臺(tái)包含一個(gè)GSP65MB-EVB 主板和兩個(gè)IMS 評(píng)估模塊。每個(gè)IMS評(píng)估模塊均搭載了GS66516B增強(qiáng)模式高電子遷移率晶體管 (E-HEMT)——底部散熱的高功率GaN系統(tǒng)，其工作電壓為650 V ，能配置為半橋模式，并具有13m Ω 2-4kw和25m Ω 4-7kW兩種版本。將主板與IMS評(píng)估模塊搭配使用時(shí)可支持10種不同配置，如果再增加一個(gè)主板，則可以支持12種配置。設(shè)計(jì)人員還可以將IMS評(píng)估模塊作為高功率氮化鎵 (GaN) 智能功率模塊(IPM) 與其現(xiàn)有電路板搭配使用，進(jìn)行系統(tǒng)內(nèi)原型開(kāi)發(fā)。

此系列評(píng)估模塊阻抗低，并具有優(yōu)化的驅(qū)動(dòng)板，能夠同時(shí)降低功耗和柵極驅(qū)動(dòng)回路數(shù)。典型應(yīng)用包括板載充電器、用于電動(dòng)汽車(chē)與混合動(dòng)力汽車(chē)的DC/DC轉(zhuǎn)換器和三相逆變器、工業(yè)光伏逆變器和電機(jī)驅(qū)動(dòng)、以及用于服務(wù)器/數(shù)據(jù)中心和住宅儲(chǔ)能系統(tǒng)的開(kāi)關(guān)電源。