格羅方德半導體今日發(fā)布了全新的12nm FD-SOI半導體工藝平臺12FDXTM，實現(xiàn)了業(yè)內(nèi)首個多節(jié)點FD-SOI路線圖，從而延續(xù)了其領(lǐng)先地位。新一代12FDXTM平臺建立在其22FDXTM平臺的成功基礎(chǔ)之上，專為未來的移動計算、5G連接、人工智能、無人駕駛汽車等各類應用智能系統(tǒng)而設(shè)計。
隨著數(shù)以百萬計的互聯(lián)設(shè)備出現(xiàn)，世界正在逐步融合為一體，眾多新興的應用也不斷要求著半導體的進一步創(chuàng)新。用于實現(xiàn)這些應用的芯片正逐漸演進為微系統(tǒng)，集成包括無線連接、非易失性存儲器以及電源管理等在內(nèi)的越來越多的組件，這不斷驅(qū)動著對超低功耗的需求。格羅方德半導體全新的12FDX工藝正是專為實現(xiàn)這前所未有的系統(tǒng)集成度、設(shè)計靈活性和功耗調(diào)節(jié)而設(shè)計。
12FDX為系統(tǒng)集成樹立了全新標準，提供了一個將射頻(RF)、模擬、嵌入式存儲和高級邏輯整合到一個芯片的優(yōu)化平臺。此外，該工藝還通過軟件控制晶體管實現(xiàn)按需提供峰值性能，同時平衡靜態(tài)和動態(tài)功耗以取得頂級能效，實現(xiàn)業(yè)內(nèi)最廣泛的動態(tài)電壓調(diào)節(jié)和無與倫比的設(shè)計靈活性。
格羅方德半導體首席執(zhí)行官Sanjay Jha表示：“某些應用需要FinFET晶體管的高級性能，但大多數(shù)聯(lián)網(wǎng)設(shè)備需要在性能和功耗之間實現(xiàn)更高的集成度和靈活性，同時還要求低于 FinFET的成本。格羅方德的22FDX和12FDX工藝為打造下一代智能系統(tǒng)提供了一條新路徑，填補了行業(yè)路線圖的空白。我們的FDX平臺可大幅降低設(shè)計成本，重新打開了先進節(jié)點遷移的大門，并促進生態(tài)系統(tǒng)內(nèi)的進一步創(chuàng)新。”
格羅方德半導體全新的12FDX工藝基于一個12nm全耗盡平面晶體管(FD-SOI)平臺，能夠以低于16nm FinFET的功耗和成本提供等同于10nm FinFET的性能。該平臺支持全節(jié)點縮放，性能比現(xiàn)有FinFET工藝提升了15%，功耗降低了50%。
林利集團的創(chuàng)始人兼首席分析師Linley Gwennap評價說：“芯片制造已經(jīng)不再是將某一個微縮工藝用于一切產(chǎn)品。雖然FinFET是最高性能產(chǎn)品的首選技術(shù)，但對于許多成本敏感型的移動和物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)品來說，其要求以盡可能低的功耗提供仍然足夠的時鐘速度，行業(yè)路線圖并不夠清晰。格羅方德半導體的22FDX和12FDX技術(shù)定位恰到好處，填補了這一空缺，為先進節(jié)點設(shè)計提供了另一個替代遷移路徑，尤其是針對那些希望降低功耗卻不增加量產(chǎn)成本的設(shè)計。格羅方德半導體現(xiàn)在是22nm及以下節(jié)點 FD-SOI的唯一提供者，在業(yè)內(nèi)擁有明確的差異化特征。”
VLSI研究的董事長兼首席執(zhí)行官G.Dan Hutcheson說：“格羅方德半導體的22FDX 工藝平臺面世之初，我便注意到了其具備能夠改變市場游戲規(guī)則的一些特性。對于希望實現(xiàn)差異化設(shè)計的廠商來說，實現(xiàn)實時權(quán)衡功耗和性能是一個不容忽視的問題?，F(xiàn)在格羅方德半導體提供全新的12FDX ，明確顯示了其要為這種技術(shù)提供一個路線圖的承諾，尤其是針對物聯(lián)網(wǎng)和汽車市場——這兩者是當下最具顛覆性的市場力量，我相信格羅方德半導體的FD-SOI技術(shù)將成為這一顛覆的關(guān)鍵推動者。”
IBS， Inc創(chuàng)始人兼CEO Handel Jones表示：“FD-SOI技術(shù)能夠為那些需要差異化設(shè)計的廠商實現(xiàn)功耗、性能和成本之間的實時權(quán)衡。格羅方德推出全新12FDX，提供了業(yè)內(nèi)首個FD-SOI路線圖，為先進節(jié)點設(shè)計提供了一條最低成本的遷移路徑，有助于實現(xiàn)未來的智能客戶端、5G、AV/VR和汽車市場互聯(lián)系統(tǒng)。”
目前，格羅方德位于德國德累斯頓的正在全力準備進行12FDX平臺的研發(fā)活動和后續(xù)生產(chǎn)。客戶流片預計將于2019年上半年啟動。
中科院院士、上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所所長王曦博士表示：“我們?yōu)楦窳_方德半導體的12FDX產(chǎn)品和其將為中國客戶帶來的價值感到非常高興。FD-SOI路線圖的拓展，將幫助客戶更好利用FDX技術(shù)功耗效率和性能優(yōu)勢，打造出在移動、物聯(lián)網(wǎng)和汽車等市場有競爭力的產(chǎn)品。”
恩智浦(NXP)半導體i.MX應用處理器產(chǎn)品線副總裁Ron MarTIno指出：“恩智浦半導體公司的下一代多媒體應用處理器正在使用FD-SOI的優(yōu)勢，以奠定其在汽車、工業(yè)和消費應用中提供超低功耗和按需調(diào)整性能的領(lǐng)先地位。格羅方德半導體的12FDX技術(shù)將FD-SOI拓展到了下一個節(jié)點，是對這個行業(yè)一個極大的補充。其將會進一步擴大平面結(jié)構(gòu)器件提供更低風險、更廣泛動態(tài)范圍以及更具競爭力性價比的能力，從而實現(xiàn)未來的智能聯(lián)網(wǎng)安全系統(tǒng)。”
芯原股份有限公司總裁兼首席執(zhí)行官戴偉民說：“芯原股份有限公司利用其平臺化芯片設(shè)計服務(wù)(SiPaaS)和為片上系統(tǒng)提供一流IP和設(shè)計服務(wù)的經(jīng)驗，成為FD-SOI設(shè)計的先行者之一。FD-SOI技術(shù)的獨特優(yōu)勢為我們在汽車、物聯(lián)網(wǎng)、移動連接和消費電子市場細分領(lǐng)域具備了差異化特征。我們期待擴大和格羅方德半導體的合作，利用其12FDX向我們中國市場的客戶提供高質(zhì)量、低功耗和經(jīng)濟高效的解決方案。”
法國原子能中心科研所(CEA Tech)下屬研究機構(gòu)CEA-LETI首席執(zhí)行官Marie Semeria指出：“12FDX的發(fā)展將在功耗、性能和智能調(diào)節(jié)方面實現(xiàn)另一個突破，因為12nm能夠?qū)崿F(xiàn)最佳的雙重曝光，而且能夠以最低的制程復雜度提供最好的系統(tǒng)性能和功耗。LETI團隊和格羅方德半導體在美國和德國為了FD-SOI技術(shù)的擴展路線圖相互協(xié)作，取得了這個可喜的成果，其將成為實現(xiàn)聯(lián)網(wǎng)設(shè)備的片上系統(tǒng)完全集成的最佳平臺。”
Soitec的首席執(zhí)行官Paul Boudre說：“我們非常高興地看到22FDX擁有強大的發(fā)展動力，擁有非常堅定的無晶圓廠商客戶采用者。格羅方德12FDX技術(shù)將進一步擴大FD-SOI的市場普及。Soitec已經(jīng)做好充分的準備來支持格羅方德半導體，為其提供高產(chǎn)量、高質(zhì)量的22nm至12nm的FD-SOI襯底。這是我們的行業(yè)一個驚人的機會，為新的移動和連接應用發(fā)展提供了及時的巨大動力。”
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