在電機啟動器和取暖系統(tǒng)中實現(xiàn)具有機械電子雙重優(yōu)點的繼電器

前言

混合式繼電器是靜態(tài)繼電器(又稱固體繼電器、電子繼電器或半導體繼電器)與機電繼電器并聯(lián)在一起組成的電源開關，兼?zhèn)錂C電繼電器的低電壓降和固體繼電器的高可靠性。家電電機啟動器或家用電暖氣的控制開關是繼電器的常用應用領域。鑒于符合RoHS法規(guī)可能會降低機電繼電器電源開關的可靠性，混合式繼電器的市場關注度越來越高。

但是，正確控制混合式繼電器遠不像乍看起來那么容易，例如，機電繼電器和固體繼電器之間的切換操作可能產(chǎn)生尖峰電壓，輻射電磁噪聲。本文提供幾個容易實現(xiàn)的降低混合式繼電器的尖峰電壓的控制電路設計小貼士。

1.集固體技術和機電技術之大成

在選擇交流開關時，設計人員非常熟知機電開關和固體開關的優(yōu)點和缺點。半導體開關即固體開關的響應速度快，通電時無電壓反彈，斷電時無火花，不會輻射電磁干擾(EMI)，也不會縮短繼電器的產(chǎn)品壽命。機電式開關的主要優(yōu)點是導通損耗小，能夠為2 A RMS以上的應用系統(tǒng)省去一個散熱器，驅動線圈與電源接線端子之間的電隔離還節(jié)省了驅動可控制硅(SCR)整流管或三端雙向晶閘管的光耦合器。

第三個電源開關解決方案是將固體繼電器和機電繼電器并聯(lián)，集兩種繼電器技術之大成，設計一個混合式繼電器(HR)。圖1所示是電機啟動器所使用的混合繼電器拓撲。圖中的三相電機啟動器只使用兩個混合式繼電器。如果兩個繼電器都被關斷，只要負載沒有連接零線，電機就會保持斷態(tài)。

如果負載連接零線，也可以在L1線上串聯(lián)一個混合式繼電器開關。

圖1： 左圖)基于混合式繼電器的電機啟動器; 右圖) 繼電器/雙向晶閘管控制順序

圖1還給出了混合式繼電器的控制順序：

-導通順序：

- 首先，三端雙向晶閘管導通(如果電流更大，應改用兩個反極性并聯(lián)的可控硅整流管)，這準許負載零壓導通;

- 然后，繼電器在一個或幾個交流電周期后導通。繼電器的導通電壓極低(通常是在1-2V之間，是雙向晶閘管的電壓降);

- 最后，應在繼電器線圈上電至少1至2個周期后撤消雙向晶閘管柵電流，為繼電器在雙向晶閘管關斷前開始運行提供充足的時間。因此，在穩(wěn)態(tài)過程中負載電流只流經(jīng)機電繼電器。

-關斷順序：

- 首先，三端雙向晶閘管導通。當繼電器處于通態(tài)時，負載電流主要是通過機電繼電器送到電機。。

- 然后，繼電器在幾毫秒后關斷。繼電器的關斷電壓極低，類似于繼電器導通操作。因此，火花期被縮短。

- 最后，應在繼電器線圈掉電至少1至2個周期后撤消雙向晶閘管柵電流，雙向晶閘管關斷，混合式繼電器在零電流時關斷。

在近乎零壓時關斷機電式繼電器的設計方法可將繼電器壽命延長10倍，如果開關操作是直流電流或電壓，繼電器的壽命延長不只是10倍，可能更高。

最重要的是，因為RoHS行業(yè)法規(guī)(2002/95/EC)將于2016年7月起禁用鎘物質，觸點防銹和觸點焊接工藝使用的銀氧化鎘可能會被Ag-ZnO或Ag-SnO2替代，在這種情況下，除非使用更大的觸點，否則觸點壽命將會縮短。

零壓導通還準許使用容性負載降低涌流，例如，電子鎮(zhèn)流器和內(nèi)置補償電容或逆變器的熒光燈管。零壓導通還有助于延長電容的生命周期，避免交流電壓波動。

此外，固體繼電器準許電機實現(xiàn)漸進式軟件啟動或啟停。平順的加速或減速將會降低機械系統(tǒng)磨損，避免電泵、風機、電動工具、空氣壓縮機等設備損傷。例如，運輸管道中的水錘現(xiàn)象將會消失，貨物傳送帶可避免V型皮帶打滑和抖動。

混合式繼電器在4-15 kW的電機應用中十分常見，不過也可用于最高250 kW的電機應用系統(tǒng)。

混合式繼電器還用于電暖氣等取暖產(chǎn)品，加熱功率或室溫/水溫的設定通常由脈沖串控制器來完成。脈沖串或周期跳躍式控制原理的實質是使負載保持N個周期的通態(tài)和K個周期的斷態(tài)，“N/K”比負責定義加熱功率，類似于脈沖調(diào)制控制技術中的占空比。這里的控制頻率小于25-30 Hz，但是，相對于取暖系統(tǒng)的時間常量，這個速度已經(jīng)夠用。

2. EMI噪聲源

三端雙向晶閘管的驅動方法雖然有多種，但是，行業(yè)法規(guī)要求在取暖應用中必須使用電隔離控制電路。如圖1所示，兩個雙向晶閘管沒有共用同一個參考電壓，這就是設計師期待使用光耦或脈沖變壓器設計控制電路的原因。兩個電路的工作方式不同，所產(chǎn)生的電磁干擾噪聲也不盡相同。

圖2所示是一個光耦雙向晶閘管驅動電路。當光耦雙向晶閘管激活時(即當微控制器的I/O引腳置高電平時)，通過電阻R1施加雙向晶閘管柵電流。電阻R2連接在雙向晶閘管柵極G和接線端子A1之間，用于阻止每當施加瞬變電壓時光耦雙向晶閘管電容器產(chǎn)生的電流。每當電流過零時，該控制電路都會產(chǎn)生一個尖峰電壓(如圖2所示)，即使在光耦雙向晶閘管內(nèi)置電壓過零電路，仍就會產(chǎn)生尖峰電壓。

圖 2：左圖) 光耦驅動電路，右圖)電流過零尖峰電壓

事實上，在一個光耦雙向晶閘管驅動電路內(nèi)，要想施加柵極電流，雙向晶閘管A1和接線端子A2之間必須存在電壓。雙向晶閘管導通壓降接近1V或1.5V，然而低于光耦雙向晶閘管和G-A1結的電壓降之和(兩個電路的電壓降都高于1V)，所以還不足以驅動電流經(jīng)過柵極。每當負載電流為零時，因為沒有電流施加到柵級，所以雙向晶閘管關斷。

在雙向晶閘管關斷后，線路電壓回加到接線端子上，使電壓VTPeak升高，升幅足以使在柵極施加的電流達到雙向晶閘管的額定柵極電流IGT。在圖2所示的T2550-12G雙向晶閘管(25 A，1200 V，50 mA IGT)測試中，該電壓的最大值電壓為7.5 V (在變成負電壓過程中)。假設光耦雙向晶閘管和G-A1結的典型電壓降分別為1.1 V和0.8 V，電阻R1為200 Ohm，這個電壓值將會產(chǎn)生28 mA的柵電流，這正是我們所用樣片在第3象限導通所需的IGT 電流(負VT電壓和負柵電流)。[!--empirenews.page--]

如果樣片的IGT 值接近最大額定值(50 mA)，VTPeak 電壓值可能會更高，因為IGT隨著結溫降低而升高，所以，如果結溫降低，VTPeak 電壓值也可能會提高。

因為VTPeak電壓的出現(xiàn)頻率是線路頻率的2倍(如果交流電頻率50 Hz，VTPeak電壓出現(xiàn)頻率是100 Hz)，使得繼電器的EMI噪聲輻射超出EN 55014-1家電和電動工具電磁干擾輻射標準規(guī)定的上限。需要說明的是，這一噪聲只有當雙向晶閘管導通時才會出現(xiàn)。只要繼電器將光耦電路旁通，該噪聲也就自動消失。這種斷續(xù)騷擾是否適用EN 55014-1標準規(guī)定，取決于斷續(xù)騷擾的重復率(或喀嚦聲)，即混合式繼電器工作頻率和騷擾時長。

為避免這些尖峰電壓，在脈沖變壓器和光耦雙向晶閘管中，應優(yōu)選脈沖變壓器。增加一個整流器全橋和一個電容器，以修平變壓器二次側整流電壓，這種方法可讓直流驅動雙向晶閘管柵極。因此，電流每次過零時都不會再有尖峰電壓發(fā)生。但是，在導通過程中，從機電式繼電器切換到雙向晶閘管時，仍然有騷擾噪聲出現(xiàn)，不過，這種切換好在只發(fā)生在在混合繼電器關斷過程中。圖3所示是切換期間發(fā)生的尖峰電壓。這個尖峰電壓恰好發(fā)生在雙向晶閘管導通時，也就是整個負載電流從繼電器突然轉移到雙向晶閘管期間。

圖3.b所示是流經(jīng)雙向晶閘管的電流的放大圖。電流上升速率dIT/t接近8 A/?s。如果雙向晶閘管被觸發(fā)但沒有導通(整個電流仍然流經(jīng)機電繼電器)，當電流開始流動時，硅襯底的電阻率很高，這會產(chǎn)生很高的峰值電壓，在使用T2550-12G進行的試驗中，這個峰值電壓為11.6 V，如圖3所示。

在雙向晶閘管導通后，晶閘管硅結構的頂部和底部P-N結將向襯底注入少數(shù)載流子，在注入過程中，襯底電阻率降低，通態(tài)電壓降至大約1-1.5 V。

這個現(xiàn)象與PIN二極管上出現(xiàn)峰值電壓降和導通時出現(xiàn)高電流上升速率是同一現(xiàn)象，這也是PIN二極管數(shù)據(jù)手冊提供VFP 峰壓的原因。該參數(shù)大小取決于所施加的電壓上升速率dI/dt，如果頻率很高，則峰壓值將影響應用能效。對于混合式繼電器應用，該VFP 電壓只在混合繼電器關斷時才會出現(xiàn)，當評測功率損耗時無需考慮這個參數(shù)。

還應指出的是，因為導致VFP現(xiàn)象的原因是注入少數(shù)載流子調(diào)整襯底電阻率需要時間，所以，與800V的雙向晶閘管(例如，T2550-8)相比，1200V雙向晶閘管的VFP電壓更高，所以必須精心挑選晶閘管對耐受電壓的要求，因為電壓裕量過大將產(chǎn)生更高的導通峰壓。

雖然脈沖電壓器峰壓測量值高于光耦雙向晶閘管驅動電路的峰壓測量值，但是EMI電磁干擾降低了，因為峰壓現(xiàn)象每周期只出現(xiàn)一次，即混合繼電器每關斷一次才出現(xiàn)一次，且持續(xù)時間僅幾微秒，所以，即使尺寸大，釹鐵芯昂貴，成本高，脈沖變壓器仍然是首選驅動解決方案。

圖3： 混合繼電器關斷(a) – 雙向晶閘管導通放大圖 (b)

3. 降低VFP 峰壓的小貼士

在控制電路設計中采納幾個簡單的小貼士，有助于降低混合繼電器的VFP現(xiàn)象。

最有實效的小貼士是控制繼電器在負電流導通時關斷。事實上，相對于正電流，負電流時VFP更低。圖4所示的VFP電壓測試條件與圖3.b的VFP電壓測試條件相同，只是正電流改為負電流。從圖中不難看出，VFP電壓降了二分之一，從正電流的11.6V降至負電流的5.5V。負電流VFP電壓低的原因是，硅結構在第3象限導通比在第2象限(正A2-A1電壓和負柵電流)更容易。

圖4： 負關斷電流時的VFP

第二個小貼士是提高雙向晶閘管的柵極電流。以T2550-12G雙向晶閘管為例，特別是對于正關斷電流，當施加的柵極電流從額定的IGT 電流 (僅50 mA)提升到100 mA時，VFP 電壓可以降低二分之一甚至三分之二。

另一個降低VFP 電壓的解決方案是設法在電流過零時關斷繼電器。事實上，限制關斷電流還能限制在雙向晶閘管導通時施加的dIT/dt電流上升速率。當然，要想實現(xiàn)這種解決方案，必須選擇關斷時間小于幾毫秒的機電式繼電器。

給雙向晶閘管串聯(lián)一個電感也能降低dIT/dt參數(shù)，但是這里不建議縮短機電繼電器與雙向晶閘管之間的PCB跡線。

結論：

現(xiàn)在，混合繼電器被家電和系統(tǒng)廠商用于延長交流開關的壽命，設計尺寸緊湊的控制開關。

本文分析了尖峰電壓產(chǎn)生的原因，并提出了相應的降低電壓的解決方案，例如，在負電流導通時關斷繼電器，在雙向晶閘柵極施加直流或更大電流，或者給雙向晶閘管串聯(lián)一個電感。