NAND閃存芯片被三星、東芝、SK Hynix、美光、Intel等少數(shù)公司壟斷，中國公司在此領域毫無話語權，甚至連收購、合作外資公司都沒可能，想獲得突破還得靠國產公司自立。紫光公司主導的長江存儲科技在武漢投資240億美元建設國家存儲芯片基地，該公司CEO楊士寧日前表態(tài)3D閃存晶圓廠的安裝設備將在2018年Q1季度完工，2019年全速量產，預計2020年會在技術趕超國際領先的閃存公司。
長江存儲科技前身是武漢新芯公司，該公司去年聯(lián)合湖北省政府投資基金在武漢投資240億美元建設國家存儲芯片基地，隨后該公司被紫光公司收購，變成了長江存儲科技(英文簡稱為TMTC)，武漢投資項目一期工程就是生產3D NAND閃存。
國產3D NAND閃存的起點還不算低，目前研究的是32層堆棧的3D NAND閃存，前不久長江存儲CEO楊士寧宣稱國產3D閃存各項指標已經達到了預期要求。該款存儲器芯片由長江存儲與(中科院)微電子所三維存儲器研發(fā)中心聯(lián)合開發(fā)，在微電子所三維存儲器研發(fā)中心主任、長江存儲NAND技術研發(fā)部項目資深技術總監(jiān)霍宗亮的帶領下，成功實現(xiàn)了工藝器件和電路設計的整套技術驗證，向產業(yè)化道路邁出具有標志性意義的關鍵一步。
3D NAND完成實驗室研發(fā)只是一小步，后續(xù)的大規(guī)模量產才是關鍵。Digitimes報道稱長江存儲科技CEO楊士寧表示3D閃存工廠的生產裝備將在2018年Q1季度完成安裝，2019年則會完全量產。該公司的目標是在2020年時技術上達到國際領先的存儲芯片供應商的水平。
楊士寧表示了NAND閃存市場需求正在被云計算、智能終端所推動，同時中國市場也具有極大的發(fā)展?jié)摿Α?/p>
不論是DRAM內存還是NAND閃存市場，目前都被極少數(shù)廠商所統(tǒng)治，楊士寧表示長江存儲科技希望打破少數(shù)公司對市場的壟斷，該公司進入市場將為業(yè)界帶來良性競爭。
中國市場消耗了全球55%的存儲芯片產能，楊士寧稱在強大的市場需求及中國政府的財政支持下，長江存儲科技公司將增強對現(xiàn)有幾家存儲芯片公司的競爭力。
要想獲得長久的成功，擁有自己的核心是技術也是非常關鍵的，長江存儲科技公司目前就在這么做。楊士寧稱收購或者戰(zhàn)略投資也是該公司實現(xiàn)增長的另一個選擇。
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