全球第五家，中芯國(guó)際今年開始研發(fā)7nm工藝

國(guó)內(nèi)把半導(dǎo)體技術(shù)作為重點(diǎn)來(lái)抓，首先要突破的是3D NAND閃存，這方面主要是長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技在做，而在芯片制造工藝方面，國(guó)內(nèi)比Intel、三星、TSMC落后的更多，這方面追趕還得看SMIC中芯國(guó)際。日前中芯國(guó)際CEO邱慈云表態(tài)今年晚些時(shí)候會(huì)投資研發(fā)7nm工藝，不過他并沒有給出國(guó)產(chǎn)7nm工藝問世時(shí)間，考慮到14nm工藝目標(biāo)定在2018-2020年左右，估計(jì)國(guó)產(chǎn)的7nm工藝至少也得在2020年之后了。

中芯國(guó)際是國(guó)內(nèi)最先進(jìn)的半導(dǎo)體代工廠，2016年?duì)I收29億美元，同比增長(zhǎng)30%，不過與全球晶圓代工一哥TSMC臺(tái)積電差距還是相當(dāng)大的，后者去年?duì)I收約為300億美元，半導(dǎo)體工藝更是領(lǐng)先——TSMC早就量產(chǎn)16nm FinFET工藝了，今年還會(huì)量產(chǎn)10nm工藝，SIMC目前最先進(jìn)的工藝還是28nm，主力工藝還是40nm、55nm等。

2015年比利時(shí)國(guó)王訪華時(shí)，中比雙方簽署了一系列合作協(xié)議，其中一條就是中芯國(guó)際、華為、高通與比利時(shí)微電子中心IMEC合作研發(fā)14nm FinFET工藝，預(yù)計(jì)會(huì)在2020年之前達(dá)成《國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》提出的16/14納米工藝實(shí)現(xiàn)規(guī)模量產(chǎn)的目標(biāo)。

中芯國(guó)際從28nm直接進(jìn)入14nm，跳過了20nm節(jié)點(diǎn)，未來(lái)也很有可能跳過10nm節(jié)點(diǎn)，直接進(jìn)入7nm節(jié)點(diǎn)。該公司CEO邱慈云博士日前對(duì)外表態(tài)稱今年晚些時(shí)候會(huì)投入R&D研發(fā)資金開發(fā)7nm工藝，他還提到近年來(lái)中芯國(guó)際加大了研發(fā)投入力度，R&D投資占據(jù)公司12-13%的營(yíng)收，2016年資本支出也創(chuàng)紀(jì)錄地達(dá)到了27億美元。

邱博士并沒有提到國(guó)內(nèi)7nm工藝的具體情況，目前看來(lái)只是開始投入研發(fā)資金，這一點(diǎn)上要比Intel、三星GF、TSMC早幾年就研發(fā)7nm工藝要晚得多，不過他們依然是全球第五家表態(tài)研發(fā)7nm工藝的半導(dǎo)體公司，隨著制程工藝越來(lái)越先進(jìn)，全球有能力研發(fā)新工藝的晶圓廠越來(lái)越少。