對(duì)于常規(guī)的雷達(dá)目標(biāo)雜波圖檢測(cè)技術(shù)來說 ,每一個(gè)方位 距離單元的背景功率水平估計(jì)是通過該分辨單元內(nèi)連續(xù) 掃描周期樣本的遞歸更新來得到的 , 然而 , 當(dāng)該分辨單元的連續(xù)掃描周期樣本中存在大量干擾目標(biāo)樣本時(shí) , 這種估計(jì)方 法失效 。 對(duì)此 , 本文將空域恒虛警中的樣本篩選技術(shù)借鑒到時(shí)域恒虛警中 ,設(shè)計(jì)了 一種基于 OTSU-CCA 的雜波圖檢測(cè)器 ,通過剔除連續(xù)掃描周期樣本中可能存在的干擾目標(biāo)樣本來提高背景功率水平估計(jì)的準(zhǔn)確性 ,進(jìn)而提升雜波圖的檢 測(cè)性能 。
基于 0. 18μm 工藝設(shè)計(jì)并實(shí)現(xiàn)了一款用于超高頻植入式 RFID 芯 片的 溫 度 傳 感 器 。該 溫 度 傳 感 器 將 MOS管 作 為感溫元件 ,采用基于亞閾值 MOS管的低功耗感溫核 心 。傳感器利用 PTAT 和 CTAT 兩種電壓延時(shí)器構(gòu)成脈寬產(chǎn)生電 路 ,從而生成脈寬信號(hào) ,并與時(shí)間數(shù)字轉(zhuǎn)換器(TDC) 一起構(gòu)成溫度量化電路 。核心電路的版圖面積為 298μm×261μm,測(cè)溫范 圍 為 35~ 45 ℃ 。 流 片測(cè) 試 結(jié) 果 表 明 , 三 顆 芯 片在 兩 點(diǎn) 校 準(zhǔn) 后 的 測(cè) 溫 最 大 誤 差為 ± 0. 4 ℃ , 關(guān) 鍵 溫 區(qū) 的 最 大 誤 差為 ±0. 2 ℃ , 實(shí)測(cè)功耗為 623 nW 。基于流片實(shí)測(cè)結(jié)果 ,發(fā)現(xiàn)了當(dāng)前芯片的局限性 ,并提出 了 未來芯片結(jié)構(gòu)的改進(jìn)方向 。
宇航元器件選用是航天任務(wù)中的重要環(huán)節(jié) , 空間環(huán)境復(fù)雜苛刻 ,對(duì)宇航用元器件的可靠性和性能要求極高 。傳統(tǒng) 的元器件選用方法通常依賴于專家經(jīng)驗(yàn)和單一指標(biāo)評(píng)估 ,難以全面考慮元器件之間的復(fù)雜關(guān) 聯(lián) 和 多維 度 性 能 指 標(biāo) 。 復(fù) 雜網(wǎng)絡(luò)理論的發(fā)展為元器件選用提供了一種新的思路 ,特別是社區(qū)檢測(cè)算法 , 可以幫助識(shí)別元器件之間的隱含關(guān)系和群 體特征 ,從而優(yōu)化選用過程 , 實(shí)現(xiàn)宇航元器件精準(zhǔn) 、快速 、高效 、靈活的選用 。本文介紹了 基 于 復(fù) 雜 網(wǎng) 絡(luò) 社 區(qū) 檢 測(cè) 算 法 的 元器件選用推薦方法 ,提出了基于模塊度優(yōu)化的進(jìn)化算法 。該算法引入了基于節(jié)點(diǎn)相似度的最大生成樹編碼方法 ,還引 入了一種生成初始種群的新方法和一種基于正弦的 自適應(yīng)變異函數(shù) , 并將其用于兩個(gè)元器件 選 用 網(wǎng) 絡(luò) 。該 算 法 有 效 地 檢測(cè) 出 了元器件選用網(wǎng)絡(luò)中的社區(qū)結(jié)構(gòu) , 實(shí)現(xiàn)了元器件的智能選用 。
通信技術(shù)與社會(huì)發(fā)展息息相關(guān),射頻電路推動(dòng)了通信技術(shù)的硬件水平,并已成為射頻系統(tǒng)研究的熱點(diǎn)之一。射頻電路與數(shù)字電路的區(qū)別在封裝技術(shù)方面也有區(qū)別,本文以封裝設(shè)計(jì)和工藝實(shí)現(xiàn)方法為研究對(duì)象,從射頻電路基本原理、封裝設(shè)計(jì)方法和工藝實(shí)現(xiàn)三個(gè)方面展開,介紹了射頻電路封裝的發(fā)展現(xiàn)狀、技術(shù)需求和工藝路線,對(duì)射頻電路的封裝具有一定的指導(dǎo)意義。
通過對(duì)國(guó)產(chǎn)運(yùn)算放大器的一項(xiàng)失效分析研究,揭示了由于工藝變更引起的疊層 MIS電容短路是導(dǎo)致器件失效的主要原因。在低電場(chǎng)條件下,電容表現(xiàn)正常,但在高電場(chǎng)條件下,由于 Fowler-Nordheim 隧穿效應(yīng),熱電子碰撞引發(fā)的缺陷積累最終導(dǎo)致了電容的短路失效。通過 Sentaurus TCAD 仿真分析,驗(yàn)證了界面摻雜原子濃度差異對(duì)氧化層生長(zhǎng)速率的影響,并提出了相應(yīng)的工藝改進(jìn)建議,進(jìn)而提升國(guó)產(chǎn)芯片的可靠性。
宇航用抗輻射光收發(fā)模塊可實(shí)現(xiàn)宇航應(yīng)用環(huán)境下的高速多路并行電光轉(zhuǎn)換傳輸功能,并實(shí)現(xiàn)高速信號(hào)的光傳輸,解決星載數(shù)據(jù)傳輸?shù)钠款i,從傳輸架構(gòu)上降低了系統(tǒng)重量,提升了傳輸帶寬,具有里程碑式的意義。本文詳細(xì)分析了其工作原理、結(jié)構(gòu)組成和相關(guān)特性,結(jié)合具體應(yīng)用環(huán)境,對(duì)某抗輻照12路并行光收發(fā)模塊的功能性能、質(zhì)量可靠性和環(huán)境適應(yīng)性進(jìn)行分析,并基于產(chǎn)品定義和用戶需求,正向設(shè)計(jì)了標(biāo)準(zhǔn)的指標(biāo)體系和考核要求,為新型光模塊產(chǎn)品的標(biāo)準(zhǔn)制定提供指導(dǎo)。
人工智能器件是提供實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)功能的微小型化器件,是實(shí)現(xiàn)空間環(huán)境感知、自主判斷、自主任務(wù)規(guī)劃等的硬件載 體和基礎(chǔ)。此類新型元器件在宇航應(yīng)用前,仍然面臨成熟度、可靠性、抗輻射能力、宇航適用性等諸多挑戰(zhàn)。本文從分析 人工智能器件國(guó)內(nèi)外發(fā)展現(xiàn)狀出發(fā),分析人工智能器件宇航應(yīng)用面臨的挑戰(zhàn)與應(yīng)對(duì)措施,給出典型人工智能器件質(zhì)量保 證案例,并歸納和總結(jié)后續(xù)人工智能器件宇航應(yīng)用的相關(guān)建議。
隨著數(shù)據(jù)密集型任務(wù)日益增多,宇航激光器驅(qū)動(dòng)芯片的通信速率需求已達(dá)百 Gb/s量級(jí),其主要研制難點(diǎn)在于克 服由抗輻照、高可靠設(shè)計(jì)引入的特殊結(jié)構(gòu)極大程度造成的高頻信號(hào)損耗。提出了一種自適應(yīng)可調(diào)諧連續(xù)時(shí)間均衡器設(shè) 計(jì)方法,基于SiGeBiCMOS工藝對(duì)電路交流和傳輸特性進(jìn)行理論計(jì)算及仿真驗(yàn)證,設(shè)計(jì)指標(biāo)可滿足14GHz下最高 16dB的傳輸損耗補(bǔ)償,具備自適應(yīng)增益補(bǔ)償調(diào)節(jié)能力,最高支持25Gb/s的 NRZ信號(hào)傳輸。
隨著高功率微波技術(shù)的發(fā)展 ,超寬帶 、高功率等強(qiáng)電磁技術(shù)對(duì)電子化設(shè)備威脅越來越大 ,使用高 功率微波摧毀電子信息裝備成為了干擾通信系統(tǒng)的重要方式 。 對(duì)高功率微波的防護(hù)主要分為前 門防護(hù)和后門防護(hù) , 限幅器作為前門防護(hù)的重要微波器件也面臨越來越高的要求 。本文首先介紹 了 GaN材料及肖特基二極管的器件特點(diǎn)和性能優(yōu)勢(shì) , 然后論文介紹了以半導(dǎo)體器件為基礎(chǔ)的限幅器原理及電路結(jié)構(gòu) ,并對(duì)以 GaN 肖特基二極管為基礎(chǔ)的新一代大功率微波限幅技術(shù)研究進(jìn)展進(jìn)行論述 。
本站介紹 歡迎投稿 隱私聲明 廣告業(yè)務(wù) 網(wǎng)站地圖 聯(lián)系我們 誠(chéng)聘英才
21IC電子網(wǎng) 2000- 版權(quán)所有
